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公开(公告)号:CN104755485B
公开(公告)日:2017-07-11
申请号:CN201380052746.0
申请日:2013-11-26
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C07F5/06 , C23C16/40 , H01L21/316
CPC classification number: C23C16/45553 , C07F5/069 , C23C16/06 , C23C16/403 , C23C16/44
Abstract: 本发明涉及下述通式(I)所示的铝化合物。另外,本发明涉及含有该铝化合物而成的薄膜形成用原料。下述通式(I)中,R1及R2各自独立地表示碳数为2~5的直链或支链状的烷基,R3表示甲基或乙基。优选R1及R2为乙基。本发明的化合物为低熔点,显示充分的挥发性且具有高的热稳定性,适合作为利用CVD法的薄膜形成用原料。
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公开(公告)号:CN101143873B
公开(公告)日:2012-07-25
申请号:CN200710152709.3
申请日:2007-09-14
Applicant: 株式会社艾迪科
CPC classification number: C23C16/405 , C07F7/003
Abstract: 本发明提供一种具有气化工序的薄膜制造方法,其中,对于供给薄膜以钛、锆、铪的前体,赋予其适合作为薄膜形成用原料、特别是CVD用原料的利用加热和/或氧化的分解特性、热稳定性、蒸气压等性质。本发明还提供一种用下述通式(1)表示的金属醇盐化合物。式中,R1~R8各自独立地表示氢原子或甲基,M表示钛、锆或铪原子。
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