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公开(公告)号：CN1898192A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200480038476.9
申请日：2004-11-09
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C07C215/08 , C07F7/00 , C07F7/24 , C07F7/28 , C23C16/40
CPC classification number: C23C16/409 , C07F7/003 , C23C16/18
Abstract: 本发明的金属化合物为以通式(I)所示的物质，其熔点低、能够以液体状态输送、且蒸气压大而易气化，而且即便与其它金属化合物混合，也不会因为配体交换和化学反应而变质，适于作为使金属化合物气化而形成薄膜的CVD法等薄膜制造方法中所使用的原料。通式(I)中，R1、R2、R3及R4表示碳原子数为1～4的烷基，A表示碳原子数为1～8的亚烷基，M表示铅原子、钛原子或锆原子，n在M为铅原子时表示2、在M为钛原子或锆原子时表示4。
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公开(公告)号：CN104470892B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201380035400.X
申请日：2013-10-21
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C07C251/08 , C23C16/16 , C23C16/40 , H01L21/28 , H01L21/285 , C07F1/08 , C07F15/04 , C07F15/06
CPC classification number: C07F15/065 , C07C251/04 , C07C251/08 , C07F1/08 , C07F7/28 , C07F15/045 , C23C16/18 , C23C16/406 , C23C16/408
Abstract: 本发明提供一种具有适合作为CVD法中的薄膜形成用原料的物性的金属醇盐化合物，特别是具有适合作为金属铜薄膜形成用原料的物性的金属醇盐化合物。具体地说，提供一种由下述通式(I)表示的金属醇盐化合物以及含有该金属醇盐化合物的薄膜形成用原料。通式(I)中，R1表示甲基或乙基，R2表示氢原子或甲基，R3表示碳原子数为1～3的直链或分支状的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示金属原子或硅原子的价数。
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公开(公告)号：CN104755485A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201380052746.0
申请日：2013-11-26
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C07F5/06 , C23C16/40 , H01L21/316
CPC classification number: C23C16/45553 , C07F5/069 , C23C16/06 , C23C16/403 , C23C16/44 , C23C16/12 , H01L21/28556
Abstract: 本发明涉及下述通式(I)所示的铝化合物。另外，本发明涉及含有该铝化合物而成的薄膜形成用原料。下述通式(I)中，R1及R2各自独立地表示碳数为2～5的直链或支链状的烷基，R3表示甲基或乙基。优选R1及R2为乙基。本发明的化合物为低熔点，显示充分的挥发性且具有高的热稳定性，适合作为利用CVD法的薄膜形成用原料。
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公开(公告)号：CN104470892A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380035400.X
申请日：2013-10-21
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C07C251/08 , C23C16/16 , C23C16/40 , H01L21/28 , H01L21/285 , C07F1/08 , C07F15/04 , C07F15/06
CPC classification number: C07F15/065 , C07C251/04 , C07C251/08 , C07F1/08 , C07F7/28 , C07F15/045 , C23C16/18 , C23C16/406 , C23C16/408
Abstract: 本发明提供一种具有适合作为CVD法中的薄膜形成用原料的物性的金属醇盐化合物，特别是具有适合作为金属铜薄膜形成用原料的物性的金属醇盐化合物。具体地说，提供一种由下述通式(I)表示的金属醇盐化合物以及含有该金属醇盐化合物的薄膜形成用原料。通式(I)中，R1表示甲基或乙基，R2表示氢原子或甲基，R3表示碳原子数为1～3的直链或分支状的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示金属原子或硅原子的价数。
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公开(公告)号：CN101065349A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200580036149.4
申请日：2005-10-05
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C07C215/08 , H01L21/312 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/78 , C23C16/40 , C07F15/02
CPC classification number: C23C16/40 , C07C215/08 , H01L21/316 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 本发明的烷氧基化合物由下述通式(I)表示。本发明的烷氧基化合物是在液体的状态下可以输送且蒸汽压大而易于气化的铁化合物，特别地，可以实现组成控制性优异的薄膜的制造，适合于通过CVD法制造多成分薄膜的情况。式中，R1和R2分别独立地表示氢原子或者碳原子数为1－4的烷基，R3和R4表示碳原子数为1－4的烷基，A表示碳原子数为1－8的亚烷基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1914150A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580004018.8
申请日：2005-02-14
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C07C215/08 , C23C16/40 , H01L21/316 , C07F7/00 , C07F7/04
CPC classification number: C07F7/045 , C07C215/08 , C23C16/401 , C23C16/405 , H01L21/02148 , H01L21/02181 , H01L21/02192 , H01L21/02216 , H01L21/02219 , H01L21/02271 , H01L21/31604 , H01L21/31645 , H01L28/40 , H01L29/51 , H01L29/517
Abstract: 本发明的烷氧基金属化合物以下述通式(1)表示，其适用于例如CVD法等的使化合物气化而形成薄膜的方法中所使用的薄膜形成用原料。此外，本发明的薄膜形成用原料含有该烷氧基金属化合物，本发明的薄膜的制造方法是将含有使该薄膜形成用原料气化而得到的烷氧基金属化合物的蒸汽引入到基材上，使蒸汽分解和/或进行化学反应而在基材上形成薄膜，式中，R1和R2中的之一表示碳原子数为1～4的烷基，另一个表示氢原子或者碳原子数为1～4的烷基，R3和R4表示碳原子数为1～4的烷基，A表示碳原子数为1～8的亚烷基，M表示硅原子或者铪原子，n表示4。
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公开(公告)号：CN101052615B
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200580037753.9
申请日：2005-10-26
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C07C215/08 , C23C16/40 , H01L21/285 , H01L21/316 , C07F9/00
CPC classification number: C07C215/08 , C07F9/005 , C23C16/40 , H01L21/3141 , H01L21/31637
Abstract: 本发明的金属化合物是用下述通式(I)表示的化合物，特别适合用作具有包括ALD法的CVD法等气化工序的薄膜制造方法的前体。通式(I)中，M表示钽或铌；R1表示碳原子数为1～4的烷基；R2和R3分别独立地表示氢原子、甲基或者乙基。
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公开(公告)号：CN100595187C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200580036149.4
申请日：2005-10-05
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C07C215/08 , H01L21/312 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/78 , C23C16/40 , C07F15/02
CPC classification number: C23C16/40 , C07C215/08 , H01L21/316 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 本发明的烷氧基化合物由下述通式(I)表示。本发明的烷氧基化合物是在液体的状态下可以输送且蒸汽压大而易于气化的铁化合物，特别地，可以实现组成控制性优异的薄膜的制造，适合于通过CVD法制造多成分薄膜的情况。见右式(I)，式中，R1和R2分别独立地表示氢原子或者碳原子数为1-4的烷基，R3和R4表示碳原子数为1-4的烷基，A表示碳原子数为1-8的亚烷基。
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公开(公告)号：CN101143873A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710152709.3
申请日：2007-09-14
Applicant: 株式会社艾迪科
CPC classification number: C23C16/405 , C07F7/003
Abstract: 本发明提供一种具有气化工序的薄膜制造方法，其中，对于供给薄膜以钛、锆、铪的前体，赋予其适合作为薄膜形成用原料、特别是CVD用原料的利用加热和/或氧化的分解特性、热稳定性、蒸气压等性质。本发明还提供一种用通式(1)表示的金属醇盐化合物。式中，R1～R8各自独立地表示氢原子或甲基，M表示钛、锆或铪原子。
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公开(公告)号：CN101052615A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200580037753.9
申请日：2005-10-26
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C07C215/08 , C23C16/40 , H01L21/285 , H01L21/316 , C07F9/00
CPC classification number: C07C215/08 , C07F9/005 , C23C16/40 , H01L21/3141 , H01L21/31637
Abstract: 本发明的金属化合物是用下述通式(I)表示的化合物，特别适合用作具有包括ALD法的CVD法等气化工序的薄膜制造方法的前体。通式(I)中，M表示钽或铌；R1表示碳原子数为1～4的烷基；R2和R3分别独立地表示氢原子、甲基或者乙基。
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