公开(公告)号：CN1981069B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200580022724.5

申请日：2005-12-21

Applicant: 株式会社艾迪科

Inventor： 小笠原国郎 ,  小野泽和久 ,  佐藤宏树 ,  东野贵志

IPC: C23C16/42 ,  C07F7/21

CPC classification number: C23C16/401 ,  C07F7/21 ,  C09D4/00 ,  C08G77/04

Abstract: 本发明提供一种组合物，其包含具有-HSiRO-的硅氧烷化合物，以及作为稳定剂成分的至少一种用下述通式(1)或(2)表示的苯酚化合物，其中，R表示氢原子、碳原子数为1～8的烃基、碳原子数为1～8的烷氧基或苯氧基；相对于100质量份的所述硅氧烷化合物，所述稳定剂成分为0.0001～1质量份；在通式(1)和(2)中，a和b表示0～4的整数，m表示0或1，p和q表示1或2，R1～R4表示碳原子数为1～4的烷基，X1和X2表示碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的烷氧基或卤素基，Y表示碳原子数为1～4的烷二基，R1～R4、X1、X2和Y在分子内存在多个时可以相同也可以不同。

公开(公告)号：CN101143873B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200710152709.3

申请日：2007-09-14

Applicant: 株式会社艾迪科

Inventor： 和田仙二 ,  阿部彻司 ,  樱井淳 ,  东野贵志 ,  藤本龙作 ,  清水雅子

IPC: C07F7/00 ,  C07F7/28 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448

CPC classification number: C23C16/405 ,  C07F7/003

Abstract: 本发明提供一种具有气化工序的薄膜制造方法，其中，对于供给薄膜以钛、锆、铪的前体，赋予其适合作为薄膜形成用原料、特别是CVD用原料的利用加热和/或氧化的分解特性、热稳定性、蒸气压等性质。本发明还提供一种用下述通式(1)表示的金属醇盐化合物。式中，R1～R8各自独立地表示氢原子或甲基，M表示钛、锆或铪原子。

公开(公告)号：CN101143873A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710152709.3

申请日：2007-09-14

Applicant: 株式会社艾迪科

Inventor： 和田仙二 ,  阿部彻司 ,  樱井淳 ,  东野贵志 ,  藤本龙作 ,  清水雅子

IPC: C07F7/00 ,  C07F7/28 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448

CPC classification number: C23C16/405 ,  C07F7/003

Abstract: 本发明提供一种具有气化工序的薄膜制造方法，其中，对于供给薄膜以钛、锆、铪的前体，赋予其适合作为薄膜形成用原料、特别是CVD用原料的利用加热和/或氧化的分解特性、热稳定性、蒸气压等性质。本发明还提供一种用通式(1)表示的金属醇盐化合物。式中，R1～R8各自独立地表示氢原子或甲基，M表示钛、锆或铪原子。

公开(公告)号：CN1981069A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200580022724.5

申请日：2005-12-21

Applicant: 株式会社艾迪科

Inventor： 小笠原国郎 ,  小野泽和久 ,  佐藤宏树 ,  东野贵志

IPC: C23C16/42 ,  C07F7/21

CPC classification number: C23C16/401 ,  C07F7/21 ,  C09D4/00 ,  C08G77/04

Abstract: 本发明提供一种组合物，其包含具有－HSiRO－的硅氧烷化合物，以及作为稳定剂成分的至少一种用下述通式(1)或(2)表示的苯酚化合物，其中，R表示氢原子、碳原子数为1～8的烃基、碳原子数为1～8的烷氧基或苯氧基；相对于100质量份的所述硅氧烷化合物，所述稳定剂成分为0.0001～1质量份；在通式(1)和(2)中，a和b表示0～4的整数，m表示0或1，p和q表示1或2，R1～R4表示碳原子数为1～4的烷基，X1和X2表示碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的烷氧基或卤素基，Y表示碳原子数为1～4的烷二基，R1～R4、X1、X2和Y在分子内存在多个时可以相同也可以不同。