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公开(公告)号：CN107850684A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680044809.1
申请日：2016-07-27
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: G01T1/29 , A61N5/1048 , H05H7/00 , H05H13/04 , H05H2007/008 , H05H2007/088 , H05H2007/125
Abstract: 本发明的课题在于，提供激光加工时的成品率优异的射束传感器用石墨片。本发明是以在a-b面的表面不含眼球状凸部为特征的射束传感器用石墨片。
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公开(公告)号：CN107207264A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680010104.8
申请日：2016-02-02
Applicant: 株式会社钟化
IPC: C01B32/184
Abstract: 提供一种石墨膜，其是在原料高分子膜的焙烧中，对自然的收缩·膨胀施加各种限制而得到的、厚度10nm～12μm、面积5×5mm2以上、电导率8000S/cm以上、表面的算术平均粗糙度Ra为200nm以下的石墨膜。
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公开(公告)号：CN109874344B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201680021888.4
申请日：2016-04-14
Applicant: 株式会社钟化
Abstract: 本发明目的在于提供离子束用的电荷转换膜，所述离子束用的电荷转换膜在大强度射束使用下也不易受到损伤、放射性活化，具有高耐久性，容易控制小于10μm的膜厚。本发明为一种离子束用的电荷转换膜，其为碳成分为96原子％以上、25℃下的膜面方向的热导率为800W/mK以上的离子束用的电荷转换膜的单层体或前述离子束用的电荷转换膜的层叠体，其厚度小于10μm且为100nm以上。
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公开(公告)号：CN109564789A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780048733.4
申请日：2017-07-27
Applicant: 株式会社钟化 , 国立研究开发法人理化学研究所
IPC: G21K1/14 , C01B32/182 , G21K1/00 , G21K5/08
Abstract: 本发明目的在于，提供耐热性高、无毒性、无需担心放射性活化、并且即使膜厚较薄也能使离子束多价化、且能够长期耐受高能量的射束照射的离子束电荷转换装置的电荷转换膜。一种旋转式电荷转换膜，其为在将离子束的电荷进行转换的装置中使用的电荷转换膜，其由25℃下的膜面方向的热导率为20W/mK以上的碳膜形成，该碳膜的膜厚大于3μm且低于10μm。另外，一种旋转式电荷转换膜，其为在将离子束的电荷进行转换的装置中使用的电荷转换膜，其由利用高分子烧成法制造的碳膜形成，该碳膜的膜厚大于3μm且低于10μm。
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公开(公告)号：CN109074890A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780024720.3
申请日：2017-04-20
Applicant: 株式会社钟化
Abstract: 本发明实现一种在用作加速器的靶时具备充分的耐久性、耐热性且放射性活化程度能降低的靶。本发明的靶(A)具备金属膜(3)及由石墨膜(4)构成的基板，石墨膜(4)在其面方向上的热导率为1600W/(m·K)以上，且其膜面方向上的热导率为其膜厚方向上的热导率的100倍以上，石墨膜(4)的厚度为1μm以上且100μm以下。
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公开(公告)号：CN105579393A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480053178.0
申请日：2014-08-07
Applicant: 株式会社钟化
IPC: C01B31/04
CPC classification number: H05K1/09 , B32B9/007 , B32B9/045 , B32B27/20 , B32B27/281 , B32B27/34 , B32B2307/202 , B32B2307/206 , B32B2307/302 , B32B2457/00 , C01B32/20 , C01B2204/04 , C01B2204/24 , C01B2204/32 , H05K1/0296 , H05K1/0306 , H05K1/0353 , H05K3/027 , H05K3/4611
Abstract: 本发明的第一方案为石墨片，其特征在于，其厚度为超过50nm且9.6μm以下，在25℃下的a-b面方向的导热系数为1950W/mK以上。另外，本发明的第二方案为石墨片，其特征在于，其厚度为20nm以上且低于9.6μm的范围，面积为9mm2以上，在25℃下的a-b面方向的载流子迁移率为8000cm2/V·秒以上。
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公开(公告)号：CN109874345B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201680021978.3
申请日：2016-04-14
Applicant: 株式会社钟化 , 国立研究开发法人理化学研究所
Abstract: 本发明目的在于，提供耐热性、热导性高、对长时间的射束照射也能够耐受的高品质的离子束电荷转换膜装置的电荷转换膜。本发明为一种离子束电荷转换装置的电荷转换膜，其为通过高分子烧成法制造的碳膜，膜厚为10μm以上且150μm以下。本发明也包括如下的离子束电荷转换装置的电荷转换膜，其为25℃下的膜面方向的热导率为300W/mK以上的碳膜，膜厚为10μm以上且150μm以下。这些电荷转换膜优选的是：密度为0.90g/cm3以上且2.26g/cm3以下、每单位面积的重量为1.5mg/cm2以上且30mg/cm2以下、并且面积为4cm2以上等。
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公开(公告)号：CN110249423B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201880009945.6
申请日：2018-01-30
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L23/36 , C01B32/205 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L23/373 , H05K7/20
Abstract: 本发明的目的在于解决以往的高分子/无机复合体型TIM的耐热性的问题，提供使用了石墨的高性能且高耐热性的层间热接合材以及层间热接合方法，所述层间热接合材即使在进一步具有凹凸的构件之间使用也能够实现优异的热阻特性。通过使用厚度为1μm～50μm的范围、密度为1.4～2.26g/cm3的范围、薄膜面方向的热导率为500W/mK以上、表面的算术平均粗糙度Ra为0.1～10μm的范围的石墨膜层间热接合构件，从而可解决前述课题。
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公开(公告)号：CN108780672B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201780013388.0
申请日：2017-04-20
Applicant: 株式会社钟化
IPC: G21K5/08 , C01B32/205 , C01B32/21 , G21G1/10 , G21G4/08
Abstract: 本发明实现一种在放射性同位素制造上所用的具备充分的耐久性、耐热性且放射性活化程度能降低的放射性同位素制造用靶板。放射性同位素制造用靶板(10)中，对靶(1)进行支撑的支撑基板(2)具有石墨膜，石墨膜在膜面方向上的热导率为1200W/(m·K)以上，石墨膜的厚度为0.05μm以上且100μm以下。
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