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公开(公告)号：CN105633266A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201511023207.1
申请日：2015-12-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L35/34
CPC classification number: H01L35/34
Abstract: 本发明涉及一种柔性还原石墨烯(RGO)/碲纳米线(Te NWs)复合热电薄膜的制备方法。其特点包括以下步骤：以氧化石墨烯(GO)粉末与聚苯乙烯磺酸钠(NaPSS)为原料，通过水热法还原制备可在水中分散的RGO；以亚碲酸钠(Na2TeO3)为原料，水合肼(N2H4·H2O)为还原剂，通过水热法还原制备可在水中分散的TeNWs；将一定量RGO和Na2TeO3分别超声分散在水中后，在真空抽滤辅助下，将RGO分散液与碲纳米线分散液依次滴涂在柔性玻璃纤维膜上，真空下将玻璃纤维膜烘干。在Ar/H2混合气氛中，于200℃下将覆有复合薄膜的玻璃纤维退火一定时间，得到柔性还原石墨烯/碲纳米线复合热电薄膜。本发明具有工艺简单易控、反应时间短、能耗低、安全无污染、柔性薄膜热电性能优异等特点。
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公开(公告)号：CN120073060A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510229020.4
申请日：2025-02-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M10/0565 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种高性能共混聚合物锂离子固态电解质及其制备方法和应用，包括如下步骤：分步将锂盐、聚偏二氟乙烯和聚氧化乙烯溶解于N‑甲基吡咯烷酮和无水乙腈中搅拌溶解，再进行混合处理，得到共聚混合物溶液；将所述共聚混合物溶液均匀平铺在开口容器中，常压环境中烘干后置于真空环境中烘干，得到所述高性能共混聚合物锂离子固态电解质。所得固态电解质受空气湿度影响小、热稳定性好、离子电导率高和机械性能好，同时，将其应用于电池中具有循环寿命长等技术效果。
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公开(公告)号：CN119967818A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510019317.8
申请日：2025-01-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种基于亚微米级电极的超薄GeTe基相变存储器及其制备方法，基于亚微米级电极的超薄GeTe基相变存储器包括底电极层、电热隔离层、相变材料层和顶电极层，相变材料层为GeTe，电热隔离层连接于底电极层上并设有图形结构，相变材料层设于图形结构内并与底电极层连接，顶电极层连接于电热隔离层上并对应图形结构设有凸出部，凸出部伸入图形结构内并连接于相变材料层。本申请的基于亚微米级电极的超薄GeTe基相变存储器具有高SET速率、低RESET功耗等特点，其结构简单，便于制作，相比现有的Ge2Sb2Te5材料，GeTe二元合金相变材料组成简单、相变性能好，具有晶化温度高、数据保留时间长和非晶稳定性好等优点，在PCRAM领域有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117393645A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311313220.5
申请日：2023-10-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L31/032
Abstract: 本申请提供一种镓铟氧光电探测器及其制备方法，该光电探测器是基于云母这种柔性衬底制备的，具有优异的抗弯折性能，即器件能够按一定角度弯折几千次而性能几乎保持不变，可适用于可穿戴光电探测器。本申请使用脉冲激光沉积设备先在云母衬底上生长一层镓铟氧薄膜，并使用高温退火炉在空气中退火，最后使用磁控溅射法利用金属掩膜版在镓铟氧薄膜上生长Ti/Au叉指电极，制得柔性的镓铟氧光电探测器。本申请通过简单的制备方法成功地在柔性的云母衬底上制备出了镓铟氧光电探测器，且制得的产品性能优异。
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公开(公告)号：CN117062516A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310977253.3
申请日：2023-08-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及阻变存储器制备技术领域，具体涉及一种通用型纳米结构沟道平面电极以及制备方法，将低成本AAO纳米结构制备工艺在平面电极沟道中引入纳米结构沟道电极，通过纳米结构尺寸的调控，减小左右电极的有效间距、实现高性能器件制备。本发明解决EBL等精细加工的依赖性问题，同时电极间距只需控制在微米级，从而可采用传统光刻工艺制备左右电极。由于沟道区域的宽度在微米级，而光刻的对准精度为0.5μm，所以可以消除第二、三次光刻对准误差的影响。此外，通过省略部分步骤，还可实现通用型的传统平面电极的制备，在此基础上，本发明实现纳米结构沟道平面电极的独立、可控制备，获得通用型纳米结构沟道平面电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115974134A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310096428.X
申请日：2023-02-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种铟镓氧化物纳米材料的制备方法，通过该方法可制备出性能优异的铟镓氧化物纳米线，可作为日盲波段探测器的材料。该制备方法使用金属Ga和金属In作为反应原料通过化学气相沉积法制备铟镓氧化物纳米材料，降低了反应所需温度，因而降低了制造成本，且制备出的铟镓氧化物纳米材料表面光滑，粗细均匀，且本申请的制备方法简单，可重复性强。
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公开(公告)号：CN113921689A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111006804.9
申请日：2021-08-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂氧化物的硅锗基热电材料及其制备方法。一种掺杂氧化物的硅锗基热电材料的制备方法，包括如下步骤：(1)在惰性气氛保护下，将原材料加入混合容器中，使原材料混合均匀，得到混合均匀的前驱粉体；(2)将上述(1)中的前驱粉体装入可上下施加压力的模具中进行预压实；(3)将装有前驱粉体的模具转移到反应容器中，进行反应，冷却后，得到掺杂氧化物的硅锗基热电材料。本发明通过特定氧化物(氧化硼)的掺杂并结合特定合成工艺，综合提升硅锗基热电材料的性能，本发明制备的硅锗基热电材料，易于实现工业化制备，且在更低温度时，能实现更高的ZT值，可大幅提升其热电转化效率及获得更广阔的应用。
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公开(公告)号：CN113644189A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110889775.9
申请日：2021-08-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L35/30 , H01L35/34 , F25B21/02 , C08F251/00 , C08F251/02 , C08F220/06 , C08F220/56 , C08F220/54 , C08F289/00
Abstract: 本发明公开了一种基于双网络水凝胶散热的可穿戴热电制冷器件及其制备方法，采用浸泡过吸湿盐溶液的双网络水凝胶作为柔性热电制冷器件的散热器，有效的提高了器件性能，采用泡沫镍—导热硅胶的连接方式，有效降低热电制冷器件热端和水凝胶散热端的之间的接触热阻，从而进一步提升了器件的制冷性能，并且制作工艺简单、安全可靠，机械性能良好，材质柔软，弯曲半径小，使得整个热电制冷器件应用于人体穿戴时具有更好的舒适性，制冷温度最高可达7.5℃，制冷稳定性可长达11h,弯曲半径达到10‑15mm，解决了现有可穿戴热电制冷设备因散热不良而导致的效率低下和制冷稳定差等问题。
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公开(公告)号：CN105870314B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201610263449.6
申请日：2016-04-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出了种柔性硅基纳米薄膜热电器件,包括柔性玻璃基底,在所述柔性玻璃基底上设置有硅基纳米薄膜热电臂、石墨烯电极、石墨烯涂层,所述硅基纳米薄膜热电臂采用物理气相沉积技术沉积在所述柔性玻璃基底上,所述硅基纳米薄膜热电臂之间采用石墨烯电极进行连接。本发明采用柔性玻璃基底,沉积在基底表面的纳米硅基薄膜在制备过程中可以采用高温快速退火工艺,有利于量子点和超晶格的生成,大幅提高硅基纳米薄膜热电性能。
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公开(公告)号：CN106505142A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610831800.7
申请日：2016-09-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L35/16
CPC classification number: H01L35/16
Abstract: 本发明公开了一种柔性N型碲化银纳米线热电薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：将碲化银纳米线与聚乙烯吡咯烷酮混合，超声分散在溶剂中得到碲化银纳米线分散液；在真空抽滤的条件下，将碲化银纳米线分散液均匀滴涂在玻璃纤维滤膜上，于75℃真空烘干得到粘附在玻璃纤维滤膜上的碲化银纳米线薄膜；将其夹在两张复印纸之间，放置于压片机中挤压成型，然后用刷子去掉碲化银纳米线薄膜背面的玻璃纤维滤膜碎片，置于真空烘箱中退火得到目标产物。本发明简单可控、制备周期短、安全无污染、能耗低、得到的薄膜热电性能优异，柔性良好，可以灵活地根据玻璃纤维膜的大小及形状制备出不同大小及形状的柔性热电薄膜，具有广阔的应用前景。
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