公开(公告)号：CN104848971A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510056317.1

申请日：2015-02-03

申请人： 欧姆龙株式会社

发明人： 井上胜之 ,  佐野浩二 ,  奥野敏明 ,  古村由幸

IPC分类号： G01L1/14

摘要： 本发明提供一种隔膜不易产生初期变形的静电电容型压力传感器、压力检测器及输入装置。固定电极基板(32)的上面由电介质膜(33)覆盖。在压缩应力膜(38)的上面或下面的一方形成有凹槽(34)(凹部)。在电介质膜(33)之上层叠上基板(35)。上基板(35)中与凹槽(34)相对的区域成为可弹性变形的隔膜(36)，在隔膜(36)的上面的至少一部分形成有压缩应力膜(38)。

公开(公告)号：CN104848970A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510055458.1

申请日：2015-02-03

申请人： 欧姆龙株式会社

发明人： 井上胜之 ,  寺阪麻理子 ,  佐野浩二 ,  奥野敏明 ,  古村由幸

IPC分类号： G01L1/14

摘要： 一种静电容量型压力传感器、压力检测器及输入装置，在使用了半导体基板的静电容量型压力传感器中进一步扩大动态范围。通过电介体层(33)覆盖P型或N型的半导体基板(32)的上面。在电介体层的上面形成凹槽(34)。在电介体层的上面层叠上基板(35)。上基板(35)中与凹槽(34)相对的区域为可变形的隔膜(36)，隔膜(36)的外周部分(37)固定于电介体层的上面。在半导体基板的表层部设置有由具有与半导体基板反极性的导电型的杂质层构成的固定电极(42)。另外，在半导体基板的表层部，在上基板(35)的被固定的区域(外周部分37)的下方形成有由具有与半导体基板反极性的导电型的杂质层构成的反极性层(46)。

公开(公告)号：CN101825506A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010002870.4

申请日：2010-01-21

申请人： 欧姆龙株式会社

发明人： 安达佳孝 ,  井上胜之

IPC分类号： G01L1/22 ,  G01L9/04

CPC分类号： G01L9/0042 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  G01L9/0048 ,  G01L9/0054

摘要： 本发明提供一种膜片不易破损并且传感器灵敏度的偏差也小的半导体传感器以及制造方法。在隔着SiO2膜(23)将Si基板(22)和Si薄膜(24)贴合的SOI基板的下表面形成凹部(26)。Si薄膜(24)的一部分成为作为感压区域的膜片(25)。在凹部(26)的上表面外周部，SiO2膜(23)将膜片(25)的下表面外周部覆盖，并且在凹部26上表面的除外周部之外的区域使膜片(25)的下表面露出。将膜片(25)的下表面外周部覆盖的SiO2膜(23)(加强部23a)在下表面形成锥形，随着从膜片(25)的外周侧朝向膜片(25)的中心部，其膜厚逐渐减薄。