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公开(公告)号：CN109336164B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201811452628.X
申请日：2018-11-30
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01G3/12
Abstract: 本发明首次开发了一种低压诱导室温快速合成Cu2S基热电材料的方法，它以Cu粉和S粉为原料，在室温、真空条件下进行简单摇匀反应，即在短时间内合成Cu2S化合物。本发明在室温下即可实现Cu2S基材料的快速制备，涉及的反应条件极其温和，可有效避免高温条件下的S挥发问题，易于精确控制产物组成，尤其在Cu微量缺失的条件下，可快速得到Cu2S单相化合物。本发明涉及的原料价格低廉，工艺超简单、制备时间超短，可为Cu2S材料的制备和大规模应用奠定良好的基础。
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公开(公告)号：CN110783448A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910693975.X
申请日：2019-07-30
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L35/34
Abstract: 本发明提供了一种基于飞秒激光技术制造微型热电器件的方法，具体步骤为：制备n型热电材料和p型热电材料；将n型热电材料和p型热电材料分别进行切片，在其表面制备防扩散层Ni层以及Sn层，然后切为一定尺寸的微型粒子，并剔除尺寸不合格的微型粒子后进行摆模；利用飞秒激光技术加工器件上下基板电路并点胶锡膏；将摆模完毕后的粒子与点胶锡膏后的下基板进行自动焊接，焊接完成后的粒子翻面进行上基板自动焊接，组装出微型热电器件。本发明采用飞秒激光技术进行微型器件的高精度快速制造，克服了传统器件生产工艺中原材料浪费严重、加工精度不足及自动化程度低等问题，具有成品率高、操作简单、环境友好等优势。
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公开(公告)号：CN109402434A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811257110.0
申请日：2018-10-26
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明首次开发了一种ZnSb化合物的超快速固相合成方法，它以Zn粉、Sb粉为主要原料，首先将原料混合均匀后压实，然后对混合原料直接通入直流电，在电流作用下，短时间内即可制备得到ZnSb单相化合物。本发明涉及的工艺超简单、制备时间超短，且反应条件温和，易于精确控制成分，可为ZnSb化合物的规模化制备和大规模应用奠定良好的基础。
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公开(公告)号：CN109384201B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201811452123.3
申请日：2018-11-30
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01B19/00
Abstract: 本发明首次开发了一种具有室温柔性的p型Ag5‑xTe3热电材料及其制备方法，它以Ag粉和Te粉为原料，室温下短时间内摇匀即可放量合成Ag5‑xTe3单相化合物。本发明首次提出采用简单的摇匀手段实现单相Ag5‑xTe3化合物的制备，且所得化合物粉体具有良好的塑性，可以在室温下进行简单冷压得到高致密度的任意形状块材。本发明涉及的制备工艺超简单、制备时间超短，可为具有室温柔性的p型Ag5‑xTe3热电材料的放量制备和大规模应用奠定良好的基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109384202A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811452121.4
申请日：2018-11-30
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01B19/04
Abstract: 本发明首次开发了一种制备具有室温柔性的Ag2Q(Q＝Se,Te)基无机电子材料的方法，它以Ag粉和Se或Te粉为原料，室温下短时间内摇匀即可放量合成Ag2Q(Q＝Se,Te)单相化合物。本发明首次提出采用简单的摇匀手段实现单相Ag2Q化合物的制备，且所得化合物粉体具有良好的塑性，可以在室温下进行简单冷压得到高致密度的任意形状块材；所得块材在室温下还具有良好的柔性，大的磁电阻及优异的热电性能，可为高性能柔性无机电子材料的制备提供一条全新思路。本发明涉及的制备工艺超简单、制备时间超短，可为具有室温柔性的Ag2Q无机电子材料的放量制备和大规模应用奠定良好的基础。
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公开(公告)号：CN109319748A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811452626.0
申请日：2018-11-30
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明首次开发了一种具有室温柔性的Cu2X块体热电材料的制备方法，它以Cu2X化合物粉体为原料(其中X＝Se或S)，依次进行冷压和扎制处理得到高致密度的Cu2X块体热电材料。本发明采用冷压致密化手段，可有效改善现有热加工成型工艺容易造成S及Se元素挥发从而影响产物组成和致密化效果等问题，涉及的制备工艺简单、反应条件温和，且所得Cu2X块体热电材料的致密化程度高，在室温条件下可表现出良好的柔性及优异的热电性能，在柔性电子领域等具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN108511589A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810280619.0
申请日：2018-03-27
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明首次提出了一种高构型熵热电化合物及其设计方法与制备方法，通过对阴-阳离子构成的基础化合物，同时在其阴离子位及阳离子位实现“高熵化”，构建并制备出阴离子位及阳离子位均为多主元的高构型熵材料新体系。该材料体系可实现电、热的协同输运，从而大幅度提升热电性能等，为热电材料性能优化提供了一条全新思路和途径，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN103219456A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310112421.9
申请日：2013-04-02
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种与Mg-Si-Sn基热电元件相匹配的电极及其连接工艺，所述的电极为Ni-Al合金与金属单质Al的混合物，其中金属单质Al的质量百分含量为30%-50%，余量为Ni-Al合金。本发明所述电极与热电材料界面结合良好，可靠性好且工艺操作简便，并且由于电极与热电材料良好的热匹配将最大程度的减小界面处热应力的产生，有助于使用寿命的提高。
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公开(公告)号：CN109384202B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201811452121.4
申请日：2018-11-30
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01B19/04
Abstract: 本发明首次开发了一种制备具有室温柔性的Ag2Q(Q＝Se,Te)基无机电子材料的方法，它以Ag粉和Se或Te粉为原料，室温下短时间内摇匀即可放量合成Ag2Q(Q＝Se,Te)单相化合物。本发明首次提出采用简单的摇匀手段实现单相Ag2Q化合物的制备，且所得化合物粉体具有良好的塑性，可以在室温下进行简单冷压得到高致密度的任意形状块材；所得块材在室温下还具有良好的柔性，大的磁电阻及优异的热电性能，可为高性能柔性无机电子材料的制备提供一条全新思路。本发明涉及的制备工艺超简单、制备时间超短，可为具有室温柔性的Ag2Q无机电子材料的放量制备和大规模应用奠定良好的基础。
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