公开(公告)号：CN107675260B

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201710875873.0

申请日：2017-09-25

申请人： 武汉科技大学

发明人： 余超 ,  吴欣欣 ,  祝洪喜 ,  邓承继 ,  丁军

IPC分类号： C30B29/62 ,  C30B29/36 ,  C30B29/40 ,  C30B1/10

摘要： 本发明具体涉及一种AlN‑SiC固溶体晶须及其制备方法。其技术方案是：按Al4SiC4粉料∶纳米镍粉的质量比为1∶（0.005~0.05），将Al4SiC4粉料和纳米镍粉混合，在5~50MPa条件下压制成型；将成型后的坯体装入石墨坩埚内，置于管式刚玉炉中，在氮气气氛和1300~1900℃条件下保温60~600min，以5~10℃/min的速率冷却至800~1000℃，自然冷却，制得AlN‑SiC固溶体晶须。所述AlN‑SiC固溶体晶须生长在所述Al4SiC4坯体表面。所述Al4SiC4粉料的Al4SiC4含量≥98.0wt%，粒度≤150μm。本发明工艺简单、晶须尺寸可控、收得率高和化学成分分布均匀，制备的AlN‑SiC固溶体晶须导热性高、电绝缘性能好和机械性能优越，适合工业化生产及推广应用。

公开(公告)号：CN110218080A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910473048.7

申请日：2019-05-31

申请人： 武汉科技大学

发明人： 丁军 ,  曹桂莲 ,  邓承继 ,  王杏 ,  余超 ,  祝洪喜

IPC分类号： C04B35/043

摘要： 本发明涉及一种原位氮化生成氮化硅镁结合镁碳耐火材料及其制备方法。其技术方案是：所述氮化硅镁结合镁碳耐火材料的成分及其含量是：电熔镁砂颗粒为33～45wt％；电熔镁砂细粉为25～33wt％；鳞片石墨为5～8wt％；硅粉为15～20wt％；酚醛树脂为3.5～6wt％；氧化钇粉体为3～5wt％。其制备方法是：将氧化钇粉体加入酚醛树脂中，经磁力搅拌后与电熔镁砂颗粒、电熔镁砂细粉、鳞片石墨和硅粉置入混料机中，混合，压制成型，固化，然后置于高温管式炉中，在氮气气氛下以不同的速率先升温至800～900℃，再于1200～1400℃保温，随炉冷却至室温，制得原位氮化生成氮化硅镁结合镁碳耐火材料。本发明操作简单和烧成温度低，所制制品的耐压强度、抗折强度和抗热震性好。

公开(公告)号：CN110143808A

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201910470945.2

申请日：2019-05-31

申请人： 武汉科技大学

发明人： 丁军 ,  王杏 ,  曹桂莲 ,  邓承继 ,  余超 ,  祝洪喜

IPC分类号： C04B35/043 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

摘要： 本发明涉及一种添加氮化硅镁粉体的低碳镁碳耐火材料及其制备方法。其技术方案是：以40～55wt％的电熔镁砂颗粒、30～45wt％的电熔镁砂细粉、5～8wt％的鳞片石墨、3.5～6wt％的酚醛树脂和2～7wt％的氮化硅镁粉体为原料；在40～50℃和磁力搅拌条件下，将氮化硅镁粉体分3～5次加入所述酚醛树脂中，每次搅拌15～20min，得到混合物。在搅拌条件下，先加入电熔镁砂颗粒，再加入部分混合物，搅拌；然后加入电熔镁砂细粉，搅拌，再加入其余混合物，搅拌；最后加入鳞片石墨，搅拌，压制成型，固化，在高温管式炉中于氩气气氛和1200～1500℃条件下保温2～3h，冷却，制得添加氮化硅镁粉体的低碳镁碳耐火材料。本发明所制制品的抗热震性好和常温力学性能高。

公开(公告)号：CN106699227B

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201710024219.9

申请日：2017-01-13

申请人： 武汉科技大学

发明人： 丁军 ,  吴郑敏 ,  邓承继 ,  余超 ,  祝洪喜 ,  柴志南

IPC分类号： C04B38/10 ,  C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634 ,  C04B35/626 ,  C04B35/65 ,  C04B35/636 ,  C04B35/80

摘要： 本发明涉及一种纳米线自增强多孔氮化硅陶瓷及其制备方法。其技术方案是：以70~80wt%的硅粉、5~10wt%的催化剂和10~20wt%的氮源为原料，外加所述原料20~30wt%的去离子水，搅拌，得到陶瓷浆料；向所述陶瓷浆料加入所述原料10~20wt%的发泡剂制成的泡沫，持续搅拌30~60min，得到陶瓷泡沫浆料；将所述陶瓷泡沫浆料倒入模具中，于氮气环境中静置，干燥，脱模，得到陶瓷坯体；将所述陶瓷坯体在氮气气氛条件下，先升温至1100~1150℃，保温；再升温至1200~1600℃，保温；自然冷却，即得纳米线自增强多孔氮化硅陶瓷。本发明工艺简单、成本低廉、原料利用率高和过程易于控制，所制备的制品气孔大小均一、气孔分布均匀和机械强度高。

公开(公告)号：CN106702494B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201611064341.0

申请日：2016-11-28

申请人： 武汉科技大学

发明人： 余超 ,  程可任 ,  祝洪喜 ,  邓承继 ,  周诗民 ,  丁军 ,  刘建鹏

IPC分类号： C30B29/62 ,  C30B29/40 ,  C30B25/00

摘要： 一种在Al4O4C基体表面制备AlN晶须的方法。其技术方案是：将所述Al4O4C基体装入坩埚内，再将所述坩埚置于管式刚玉炉中，在氮气气氛和1000~1800℃条件下保温0~600min，冷却至室温，即在Al4O4C基体表面制得AlN晶须。所述Al4O4C基体为Al4O4C粉体、Al4O4C坯体和Al4O4C烧结体中的一种。其中：所述Al4O4C粉体的Al4O4C含量≥98.0wt%，粒度≤150μm。所述Al4O4C坯体是在5~50MPa条件下将Al4O4C粉料压制成型；所述Al4O4C烧结体是将Al4O4C坯体在氩气、或真空、或热压条件下，升温至1400~1800℃，保温0~300min，冷却至室温。本发明不需要添加催化剂，工艺简单；所制备的AlN晶须尺寸可控和收得率高。

公开(公告)号：CN109053161A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201811013603.X

申请日：2018-08-31

申请人： 武汉科技大学

发明人： 余超 ,  郑永翔 ,  丁军 ,  邓承继 ,  祝洪喜

IPC分类号： C04B35/10 ,  C04B35/581 ,  C04B35/622 ,  C04B38/02

CPC分类号： C04B35/10 ,  C04B35/581 ,  C04B35/622 ,  C04B38/02 ,  C04B2235/46

摘要： 本发明涉及一种直接发泡Al2O3‑AlN多孔复合材料及其制备方法。其技术方案是：将100质量份的Al4O4C粉末和20～30质量份的去离子水混匀，得到Al4O4C料浆。将0.5～3质量份的发泡剂与所述发泡剂10～15倍的去离子水混合，搅拌，制得泡沫。向所述Al4O4C浆料中加入所述泡沫，边加入边搅拌，泡沫全部加入后继续搅拌1～3min，倒入模具中，静置，干燥，脱模，得到Al4O4C胚体。将所述Al4O4C坯体置于气氛炉内，在氮气气氛和1200～1600℃条件下保温1～2h，自然冷却，得到直接发泡Al2O3‑AlN多孔复合材料。本发明制备温度低、烧结时间短、工艺简单和成本低廉，所制备的直接发泡Al2O3‑AlN多孔复合材料材料抗氧化性优异、机械性能高和热稳定性好。

公开(公告)号：CN106904583B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201710184755.5

申请日：2017-03-24

申请人： 武汉科技大学

发明人： 丁军 ,  柴志南 ,  邓承继 ,  余超 ,  祝洪喜

IPC分类号： C01B21/082

摘要： 本发明涉及一种氮化硅镁粉体及其制备方法。其技术方案是：以10~15wt%的镁粉、15~25wt%的二氧化硅和65~75wt%的无机盐为原料，混合0.5~1h；然后在0.1~1MPa和氮气气氛条件下，以5~10℃/min的速率升温至中间温度；再以3~5℃/min的速率升温至烧成温度，保温1~7h，随炉冷却，洗涤，干燥，制得氮化硅镁粉体。其中：所述烧成温度为900~1300℃，中间温度与烧成温度的温度差为100~200℃。本发明具有生产工艺简单、生产周期短、原料资源丰富和生产成本低廉的特点；所制备的氮化硅镁粉体颗粒大小均匀和形貌单一。

公开(公告)号：CN108569680A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810366531.0

申请日：2018-04-23

申请人： 武汉科技大学

发明人： 丁军 ,  刘和兴 ,  王杏 ,  邓承继 ,  余超 ,  祝洪喜

IPC分类号： C01B21/06

摘要： 本发明涉及一种基于低温氮化的氮化钒粉体及其制备方法。其技术方案是：按铝粉∶五氧化二钒粉体∶无机盐的质量比为1∶(0.2～0.4)∶(0.7～0.9)，将所述铝粉、所述五氧化二钒粉体和所述无机盐混合，得到混合粉体。将所述混合粉体在氮气气氛和700～900℃条件下保温1～3h，自然冷却，得到烧成产物。将所述烧成产物加入到盐酸溶液中，浸泡1～2h，用蒸馏水洗涤3～5次，在90～110℃条件下干燥8～12h，制得基于低温氮化的氮化钒粉体。本发明具有工艺简单、生产周期短、成本低和合成温度低的特点，所制备的基于低温氮化的氮化钒粉体纯度高、强度大、导电性好、耐腐蚀和机械性能好。

公开(公告)号：CN105837236B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201610259340.5

申请日：2016-04-25

申请人： 武汉科技大学

发明人： 丁军 ,  柴志南 ,  邓承继 ,  祝洪喜 ,  李光强

IPC分类号： C04B35/66 ,  B22D41/32

摘要： 一种添加ZrC改性石墨铝碳滑板材料及其制备方法。其技术方案是：先将70~89wt%的板状刚玉、5~10wt%的α‑Al2O3粉、1~5wt%的ZrC改性石墨、4~10wt%的热固性酚醛树脂和1~5wt%的防氧化剂混合，压制成型，在1400~1600℃条件下保温3~7h，随炉冷却，得到添加ZrC改性石墨铝碳滑板材料。ZrC改性石墨的制备方法：按锆粉∶鳞片石墨∶氯化钠∶氟化钠的质量比为1∶(0.1~0.5)∶(1.4~3)∶(0.07~0.3)配料，混合后得混合料；将装有混合料的刚玉坩埚放入真空气氛加热炉内，在氩气气氛和900~1200℃条件下保温1~7h，随炉冷却，出炉后溶解和过滤，干燥，即得ZrC改性石墨。本发明工艺简单和成本低，所制制品具有良好的抗氧化性能、抗渣侵蚀性和高温力学性能。

公开(公告)号：CN106904583A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201710184755.5

申请日：2017-03-24

申请人： 武汉科技大学

发明人： 丁军 ,  柴志南 ,  邓承继 ,  余超 ,  祝洪喜

IPC分类号： C01B21/082

CPC分类号： C01B21/0602 ,  C01P2004/03

摘要： 本发明涉及一种氮化硅镁粉体及其制备方法。其技术方案是：以10~15wt%的镁粉、15~25wt%的二氧化硅和65~75wt%的无机盐为原料，混合0.5~1h；然后在0.1~1MPa和氮气气氛条件下，以5~10℃/min的速率升温至中间温度；再以3~5℃/min的速率升温至烧成温度，保温1~7h，随炉冷却，洗涤，干燥，制得氮化硅镁粉体。其中：所述烧成温度为900~1300℃，中间温度与烧成温度的温度差为100~200℃。本发明具有生产工艺简单、生产周期短、原料资源丰富和生产成本低廉的特点；所制备的氮化硅镁粉体颗粒大小均匀和形貌单一。