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公开(公告)号：CN117804647A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311790465.7
申请日：2023-12-25
申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司
摘要： 本申请实施例提供一种高温高灵敏度压力传感器芯片及加工方法，包括：衬底层、敏感电阻层和连接层；衬底层由碳化硅材料组成，衬底层的一侧形成有矩形空腔；敏感电阻层设置于衬底层的另一侧，敏感电阻层设置有两个，且两个敏感电阻层的设置位置和矩形空腔沿长度方向的两个边缘相互对应，敏感电阻层由金刚石材料组成；连接层设置于敏感电阻层的侧壁，连接层用于和外部电路连接。通过本申请实施例的设置，提供了一种能够满足高温检测需求，且灵敏度较高的压力传感器芯片及加工方法。
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公开(公告)号：CN113753848B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111019491.0
申请日：2021-09-01
申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种MEMS芯片的低应力封装方法，属于微机械加工技术领域。该方法是将硅芯片和衬底硅片，依次进行化学液处理、热板烘干、等离子体处理、DIW清洗、硅片干燥、预键合、低温退火等工艺制作，实现MEMS硅芯片同质材料低应力封装。其中，化学液清洗主要是用SPM和RCA1溶液对硅片表面进行特定条件下的表面处理，使硅片具有亲水性并悬挂大量羟基；提出用O2和CF4混合气体等离子体激活芯片表面，且气流方向平行于硅片表面进行冲刷处理，增强了表面激活能，降低了粗糙度，形成易于消除界面空洞的多孔结构；DIW清洗及硅片干燥，使硅片表面脱水干燥且保持了适度的湿度，悬挂适于键合的烃基，形成良好的表面态；特定条件的预键合及分步退火，实现了满足MEMS芯片技术要求的低应力封装。
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公开(公告)号：CN115628862B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211651946.5
申请日：2022-12-22
申请人： 国机传感科技有限公司 , 沈阳仪表科学研究院有限公司
IPC分类号： G01M3/20
摘要： 本申请涉及检测装置领域，尤其涉及一种压力传感器波纹膜片焊缝检漏装置及检漏方法；本申请第一方面提供一种压力传感器波纹膜片焊缝检漏装置，包括：检测座，检测座包括检测罩和下检测座；检测罩和下检测座扣合后，在检测座内腔中，压力传感器上的金属波纹膜片与检测罩之间形成膜片内腔，金属波纹膜片与压力传感器上的压环内壁之间形成膜片外腔；压环外壁与下检测座的内壁，以及部分传感器外壳之间形成检漏腔。与进气孔连通的微型真空泵和氦气储气罐；与检漏孔连通的氦质谱检漏仪。本申请第二方面提供一种压力传感器波纹膜片焊缝检漏方法，可以在未填充硅油之前对焊缝处进行检漏，节省了工时和工序所要花费的材料，提高了工作效率以及检漏的准确性。
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公开(公告)号：CN113140638A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110288972.5
申请日：2021-03-18
申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司
IPC分类号： H01L29/84 , G01L1/18 , H01L21/306
摘要： 一种经济型硅压力传感器芯片及加工方法，它包括有：在单晶硅衬底层所加工成的硅膜片，敏感电阻及压焊点，技术要点是：该传感器芯片为背面受压，且用整体KOH腐蚀的方法，避免了传统方法各向异性腐蚀产生的斜坡，使硅片得到了更加有效的利用。在封接时选择正面封接，而电极从背面引出。该方法是将经清洗的抛光硅片，依次经氧化、光刻、刻蚀、退火，溅射金属等工艺的组合制备。本发明所制备的芯片，其传感器稳定和性能与传统的硅压力传感器无差别，但是其经济型很好，成本可以降低60%~80%，芯片尺寸降低70%‑90%，此外传感器的过载性能比传统的硅压力传感器可提升2‑8倍。
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公开(公告)号：CN111337167A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010284969.1
申请日：2020-04-13
申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司
摘要： 一种敏感电阻压力传感器芯片及加工方法，它包括有：在单晶硅衬底层所加工成的硅膜片，敏感电阻及压焊点，技术要点是：在硅膜片的内部设置有金刚石敏感电阻，硅膜片与金刚石敏感电阻的侧壁间隔一层用于金刚石敏感电阻与衬底之间绝缘的氧化层；金刚石敏感电阻下方与硅膜片之间的连接层为用于敏感电阻与硅膜片隔离本征金刚石。该方法是将经清洗的抛光硅片，依次经氧化、光刻、刻蚀、化学气相沉积生长金刚石工艺的组合制备。本发明所制备的芯片，其传感器稳定性好，可探测高温下的压力，同时由于金刚石优异的性质，应用于极端条件下的高温压力探测。本发明采用硅作为膜片，金刚石敏感电阻生长在膜片内，避免了应力的过分聚集，也保证了形变量。
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公开(公告)号：CN210922903U
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201922242488.X
申请日：2019-12-16
申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种PN结压阻式扩散硅压力传感器，属于微电子技术领域；它包括有晶圆片，技术要点是：在晶圆片上分布有凸起的阻条器件及压焊点，在阻条器件的顶部还覆盖有电极，在晶圆片及压焊点的外表面还设置有一氧气层或氮化层。采用本结构可以降低现有的工艺/设计难度，减少工艺步骤，降可靠性高，可应用于PN结压阻式扩散硅压力传感器的制备以及SOI压力传感器的制备。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN218545980U
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202222842578.4
申请日：2022-10-27
申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司
发明人： 李颖 , 任向阳 , 张治国 , 刘宏伟 , 祝永峰 , 贾文博 , 李永清 , 何方 , 张娜 , 李昌振 , 王卉如 , 钱薪竹 , 周聪 , 肖文英 , 刘柏汇 , 白雪松 , 关维冰 , 尹萍
IPC分类号： G01L9/02
摘要： 本实用新型公开了一种SIC压力敏感器件，其特征在于：包括敏感芯片及衬底玻璃，所述敏感芯片包括n‑p‑n型SIC材料的基体，所述基体由上至下包括器件层、过渡层、SIC衬底；在敏感芯片的器件层上方设置有SI面，在SIC衬底下方设置有C面；在器件层上设置有由器件层加工而成的四个敏感电阻、封接区、连接区，四个敏感电阻连接后构成惠斯通电桥；敏感电阻与过渡层之间通过PN结隔离；在封接区上设置有金属电极，金属电极通过封接区、连接区与敏感电阻相连接；在SIC衬底上设置有压力敏感膜片和凹形敏感芯片杯体；敏感芯片通过SI面或C面与衬底玻璃封接配合。本实用新型结构稳定性好，适用范围广，还具有高精度、高稳定，高可靠、适用各种恶劣环境使用的特点。
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公开(公告)号：CN211626766U
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202020532686.X
申请日：2020-04-13
申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司
摘要： 一种敏感电阻压力传感器芯片，它包括有：在单晶硅衬底层所加工成的硅膜片，敏感电阻及压焊点，技术要点是：在硅膜片的内部设置有金刚石敏感电阻，硅膜片与金刚石敏感电阻的侧壁间隔一层用于金刚石敏感电阻与衬底之间绝缘的氧化层；金刚石敏感电阻下方与硅膜片之间的连接层为用于敏感电阻与硅膜片隔离本征金刚石。本结构的芯片，其传感器稳定性好，可探测高温下的压力，同时由于金刚石优异的性质，应用于极端条件下的高温压力探测。本实用新型采用硅作为膜片，金刚石敏感电阻生长在膜片内，避免了应力的过分聚集，也保证了形变量，制备的压力传感器芯片输出更高，线性程度更好，更适合实际应用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN213812675U
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202022921601.X
申请日：2020-12-09
申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司
摘要： 一种实现无引线封装的高温压力传感器芯片，特别涉及高温压力传感器领域。本实用新型在绝缘层上设有四个压敏电阻，四个压敏电阻由微通道相互隔离，且四个压敏电阻连接构成惠斯通电桥；四个压敏电阻与绝缘层通过钝化层覆盖；避免高温环境下电阻之间漏电流增大导致的芯片失效。芯片表面增加封接区，通过封接工艺把芯片和上封接玻璃连接，保障芯片敏感电阻和外部环境的气密性隔离；设计封接连通区，使得整个大片上多个器件实现电连接，保障实施静电封接工艺时外加电场的均匀分布，提高封接后芯片的成品率。该芯片可适应多种封装方式，通过上面封接玻璃或者下面封接玻璃及组合封接方式，具有广泛的适用性。
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