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公开(公告)号：CN114905169A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210098627.X
申请日：2022-01-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/70 , B23K26/00 , G02B7/00 , B23K101/40
Abstract: 本发明的观察装置和观察方法能够更准确地获取关于改性区域的位置的信息。观察装置包括：用于利用相对于对象物具有透射性的透射光来对所述对象物进行摄像的摄像部；和用于至少控制所述摄像部的控制部，所述对象物具有第1面和所述第1面的相反侧的第2面，在所述对象物形成有在沿所述第1面和所述第2面的X方向上排列的改性区域和从所述改性区域延伸的裂纹，所述控制部通过控制所述摄像部来进行下述摄像处理：使所述透射光从所述第1面入射至所述对象物的内部，并利用所述透射光对对象裂纹进行摄像，其中所述对象裂纹是所述裂纹中的、在与所述第1面和所述第2面交叉的Z方向以及与所述X方向交叉的方向上延伸的所述裂纹。
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公开(公告)号：CN114430706A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202080065240.3
申请日：2020-09-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/402 , B23K26/53 , H01L21/322
Abstract: 本发明的激光加工装置具备：平台，支撑晶圆；激光照射单元，对晶圆照射激光；摄像单元，检测在半导体基板中传播的光；和控制部，构成为实行：以通过激光照射于晶圆在半导体基板的内部形成一个或多个改性区域的方式，来控制激光照射单元；基于从检测光的摄像单元输出的信号，来导出从改性区域延伸向半导体基板的背面侧延伸的龟裂即上龟裂的背面侧的前端的位置，并且基于该上龟裂的背面侧的前端的位置，来判定是否为龟裂到达状态。
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公开(公告)号：CN112789708A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201980065101.8
申请日：2019-10-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/53 , B24B7/00 , B24B49/12
Abstract: 检查装置包括：载置台，其支承在半导体衬底的内部形成有多排改性区域的晶片；光源，其输出对于半导体衬底具有透射性的光；物镜，其使在半导体衬底中传播后的光通过；光检测部，其检测通过了物镜后的光；检查部，其检查在最靠近半导体衬底的正面的改性区域与正面之间的检查区域中是否存在有从最靠近正面的改性区域向正面侧延伸的裂纹的前端。物镜使与焦点关于正面相对称的虚拟焦点位于检查区域内。光检测部检测在半导体衬底中从半导体衬底的背面侧起经由正面向背面侧传播的光。
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公开(公告)号：CN112770866A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201980065099.4
申请日：2019-10-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/00 , B23K26/02 , B23K26/53 , B23K26/046 , H01L21/301
Abstract: 一种摄像装置，其包括：利用透射对象物(11)的光来拍摄所述对象物的第1摄像单元(4)；和控制所述第1摄像单元的第1控制部(8)，所述第1控制部，在沿着第1线(15a)在所述对象物中形成改性区域(12)之后，且进行激光的照射位置相对于所述第1线的对准的时机，执行控制所述第1摄像单元以拍摄沿着所述第1线形成的所述改性区域和/或包含从该改性区域延伸出的所述裂纹的区域的第1摄像处理。
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公开(公告)号：CN115279542B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202180020638.X
申请日：2021-03-03
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/53 , B23K26/00 , B23K26/064 , H01L21/301
Abstract: 一种激光加工装置，具备：照射部，其用以对于对象物照射激光；摄像部，其用以对所述对象物进行摄像；以及控制部，至少控制所述照射部及所述摄像部，其中，所述控制部执行下述处理：第一处理，通过控制所述照射部，对于所述对象物照射所述激光，以不会到达所述对象物的外表面的方式，在对象物中形成改质点及从所述改质点延伸的龟裂；第二处理，在所述第一处理之后，通过控制所述摄像部，通过对于所述对象物具有透过性的光对所述对象物进行摄像，从而对于所述多个线分别取得表示所述改质点及/或所述龟裂的形成状态的信息；以及，第三处理，在所述第二处理之后，根据由所述第二处理取得的表示所述形成状态的信息，进行所述第一处理的所述激光的照射条件的合格与否判断。
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公开(公告)号：CN112789707B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN201980065075.9
申请日：2019-10-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的检查装置包括：支承在半导体衬底的内部形成有多排改性区域的晶片的平台；输出对于半导体衬底具有透射性的光的光源；使在半导体衬底中传播的光透射的物镜；检测从物镜透射的光的光检测部；和检查部，其在最靠近半导体衬底的背面的改性区域与背面之间的检查区域中，检查从最靠近背面的改性区域向背面侧延伸的裂纹的前端位置，物镜从背面侧对焦到检查区域内。光检测部是检测在半导体衬底中从半导体衬底的正面侧传播到背面侧的光。
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公开(公告)号：CN112789708B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201980065101.8
申请日：2019-10-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/53 , B24B7/00 , B24B49/12
Abstract: 检查装置包括：载置台，其支承在半导体衬底的内部形成有多排改性区域的晶片；光源，其输出对于半导体衬底具有透射性的光；物镜，其使在半导体衬底中传播后的光通过；光检测部，其检测通过了物镜后的光；检查部，其检查在最靠近半导体衬底的正面的改性区域与正面之间的检查区域中是否存在有从最靠近正面的改性区域向正面侧延伸的裂纹的前端。物镜使与焦点关于正面相对称的虚拟焦点位于检查区域内。光检测部检测在半导体衬底中从半导体衬底的背面侧起经由正面向背面侧传播的光。
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公开(公告)号：CN115413364A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202180026088.2
申请日：2021-03-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/53
Abstract: 一种激光加工装置，其中，具备控制部，控制部执行下述处理：第一处理，以第一加工条件来控制激光照射单元，该第一加工条件被设定为：在晶圆的内部形成改质区域和改质区域；第二处理，确定有关改质区域的状态，并判断第一加工条件是否适当；第三处理，以第二加工条件来控制激光照射单元，该第二加工条件被设定为：在晶圆的内部形成改质区域，并且在晶圆的厚度方向上的改质区域之间形成改质区域；以及，第四处理，确定有关改质区域的状态，并判断第二加工条件是否适当。
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公开(公告)号：CN115335185A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180019965.3
申请日：2021-03-03
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/53 , B23K26/00 , B23K26/03 , B23K26/064 , H01L21/301
Abstract: 一种激光加工装置，具备：照射部，其用于对对象物照射激光；摄像部，其用于对所述对象物进行摄像；以及控制部，其至少控制所述照射部及所述摄像部，在所述对象物，设定有多个线，所述控制部执行：第1处理，其通过所述照射部的控制，沿着所述多个线的各个对所述对象物照射所述激光，以不到达所述对象物的外表面的方式在所述对象物形成改质点及从所述改质点延伸的龟裂；以及第2处理，其在所述第1处理之后，通过所述摄像部的控制，利用相对于所述对象物具有透过性的光对所述对象物进行摄像，对于所述多个线的各个取得表示所述改质点及/或所述龟裂的形成状态的信息。
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公开(公告)号：CN115244652A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180019117.2
申请日：2021-03-03
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/53 , H01L21/66
Abstract: 检查装置具备：激光照射单元，其朝晶圆照射激光；显示器，其显示信息；及控制部，控制部执行：导出估计加工结果，该估计加工结果是包含依据所设定的配方(加工条件)通过激光照射单元对晶圆照射激光的情况时形成于晶圆的改质区域及从改质区域延伸的龟裂的信息；及控制显示器，考虑作为估计加工结果被导出的改质区域及龟裂的晶圆上的位置，显示将晶圆的影像图与该晶圆的改质区域及龟裂的影像图一同描绘的估计加工结果影像。
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