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公开(公告)号：CN110912073A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811082363.9
申请日：2018-09-17
Abstract: 本发明提供了一种针对电力电子器件损坏时间演化规律的观测系统，所述观测系统包括主电路、电流切除支路和控制单元，其中：所述主电路，包括串联连接的电源、负载电感、第一故障切除器件、和观测器件接口，其中所述观测器件接口用于安装待观测的电力电子器件；所述电流切除支路，包括第二故障切除器件，并且所述电流切除支路与所述主电路中串联的第一故障切除器件和观测器件接口并联连接；所述控制单元，与所述主电路中的所述第一故障切除器件和所述电流切除电路中的第二故障切除器件连接，并能够与所述待观测的电力电子器件连接。本发明的观测系统能够对电力电子器件的损坏时间演化规律实现观测。
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公开(公告)号：CN110907786A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811083979.8
申请日：2018-09-17
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种对物理封装晶闸管器件的电热耦合特性进行测量方法，所述方法包括：步骤1、物理封装晶闸管器件进行恒温处理，以达到预定温度；步骤2、利用测量回路测量所述物理封装晶闸管的以下参数中的一个或多个：门阴极电压、门阴极电流、阳极电流和阴阳极电压；步骤3、将所述预定温度增加一定的温度值，返回步骤2；步骤4、基于获得的上述参数进行拟合，以形成拟合曲线。本发明提供的测量方法实现了对IGCT/ETO等器件的电热耦合特性进行测量。
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公开(公告)号：CN109686786A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811615517.6
申请日：2018-12-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/74 , H01L21/332
CPC classification number: H01L29/74 , H01L29/0839 , H01L29/66363
Abstract: 本发明提供了一种集成门极换流晶闸管，依次包括p基区、n基区、n+缓冲层、p+发射极，还包括设于p+发射极的阳极、设于p基区上的门极、设于p基区上的n+发射极梳条和设于n+发射极梳条上的阴极，该集成门极换流晶闸管在芯片层面具有区域隔离的阴极结构，进一步具有与之配套的封装和门极驱动电路，抑制安全工作区域边界附近不同阴极区域间的电流汇聚效应，拓展器件的安全工作区域。本发明还提供一种集成门极换流晶闸管的制备方法。
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公开(公告)号：CN109600966A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811436322.5
申请日：2018-11-28
Applicant: 清华大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
Abstract: 本发明提供了一种可用于固态式直流断路器的散热装置，所述散热装置包括散热组件；所述散热组件包括基座、热管和散热片，所述热管的一端和所述基座连接，所述热管的另一端贯穿套接在所述散热片中；所述基座内设置有空腔，所述空腔的上下端均设置有固定板。本发明通过一组散热组件对应一组电力电子阀组，提高了散热装置的散热效果。
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公开(公告)号：CN112909986B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202110164454.2
申请日：2021-02-05
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种模块化多电平换流器子模块及其控制方法，所述子模块包括：上下管主电路，上下管主电路包括上管半导体器件S1和下管半导体器件S2*；所述上管半导体器件S1反并联第一开关器件D1；上管半导体器件S1的第二电极连接下管半导体器件S2*的第一电极；所述上管半导体器件S1的第一电极连接直流电容CDC的一端；下管半导体器件S2*反并联第二开关器件D2*；下管半导体器件S2*的第二电极连接直流电容CDC的另一端；所述下管半导体器件S2*中设有中心可控击穿区域。本发明的模块化多电平换流器子模块完全省略传统MMC模块方案中的出口处的旁路晶闸管，从而降低子模块制造的体积和成本并简化系统的运行控制方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110911482B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN201811083986.8
申请日：2018-09-17
IPC: H01L29/744
Abstract: 本发明提供一种门极换流关断晶闸管通态损耗改进方法，所述方法包括，所述方法通过工艺控制降低所述门极换流关断晶闸管的导通压降，从而减小所述晶闸管通态损耗；所述降低所述门极换流关断晶闸管的导通压降包括：降低门极换流关断晶闸管的硅的等效体电阻从而降低通态压降，和/或降低硅与两侧的金属块的接触压降。本发明的方法能够延长晶闸管使用寿命，增强了电子电路长期工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN112684317B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202011441882.7
申请日：2020-12-08
Applicant: 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
Abstract: 一种压接式半导体芯片测试平台及测试方法，测试平台包括芯片连接组件，能够与被测芯片连接，所述芯片连接组件包括驱动端和输出端；金属导电部件，能够为被测芯片及芯片连接组件提供散热渠道和与外部电路之间形成电气回路；压力施加组件，用于向被测芯片施加可供调节的压力；外部电路，用于给被测芯片及连接组件提供阴阳极测试脉冲、电源、驱动，还用于检测被测芯片的输出，所述芯片连接组件中的所述驱动端和输出端能够与外部电路对应端口连接。该平台结构和功能简单，同时大幅降低测试台的体积与安装调试难度，实现时间和空间上更为方便。
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公开(公告)号：CN110907787B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201811084141.0
申请日：2018-09-17
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种IGCT驱动电路高温特性批量检测装置及方法。装置包括高温测试箱体、多路隔离供电装置、多路信号检测装置和动作控制装置；所述高温测试箱体为批量IGCT驱动电路提供高温筛选环境；所述高温测试箱体通过信号反馈通道与所述多路信号检测装置相连接；所述高温测试箱体通过隔离供电通道与所述多路隔离供电装置相连接；所述动作控制装置分别与所述多路隔离供电装置和动作控制装置相连接。本公开所述装置及方法可以高效批量测试IGCT驱动电路高温，以便发现器件故障，提高安全性。
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公开(公告)号：CN112910229A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110253220.5
申请日：2021-03-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种IGCT换流器模块的高位自取能电源设计方法，该方法包括：确定模块内供电形式；确定电源隔离电压；确定电源输出功率；根据确定的所述模块内供电形式、电源隔离电压、电源输出功率，设计控制侧供电电源。通过该方法，一方面，当直流电容施加电压UDC，弱电侧与模块任一部位电压差值均不大于UDC/2，有利于避免局部放电，减小绝缘间隔，促进模块紧凑化；另一方面，减少了供电电源的隔离输出路数，有助于供电电源低成本、高可靠性、小型化的设计。
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公开(公告)号：CN110146800B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201910380806.0
申请日：2019-05-08
Applicant: 清华大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种IGCT器件的门极电流及关断特性测量方法，其中，所述门极电流测量方法包括，将一个或多个第一罗氏线圈传感器穿过IGCT器件门极换流回路中并联电气元件的漏极或源极，形成第一测量回路；基于所述第一测量回路，确定以下一种或多种电气参数：并联电气元件的测量电流、并联电气元件的稳态电流、并联电气元件的并联支路总个数、测量的并联电气元件的并联支路总个数；基于确定的所述电气参数，采用比例换算计算所述IGCT器件的门极电流。该测量方法操作简便，适用于所有测量工况，且在测量过程中不影响IGCT器件的杂散参数特性。
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