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公开(公告)号：CN213932356U
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202023302597.5
申请日：2020-12-30
申请人： 清华大学 , 华海清科股份有限公司
IPC分类号： G01B7/06
摘要： 本实用新型公开了一种用于CMP的金属膜厚测量装置，包括：电涡流传感器，其包括磁芯和线圈，线圈沿磁芯的周向缠绕在磁芯的外周壁上；磁芯为长方体，磁芯的长度为其宽度的2‑10倍，磁芯的宽度为2‑4mm，磁芯的高度为1‑3mm；前置信号处理模块，与电涡流传感器连接，用于对电涡流传感器输入固定频率的正弦激励信号，并通过电涡流传感器采集与金属膜厚相关的电压信号；数据采集处理模块，与前置信号处理模块连接，用于接收前置信号处理模块输出的电压信号将其转换为数字信号，并根据预存的厚度标定表将数字信号转换为对应的膜厚值；通讯模块，用于实现数据采集处理模块与上位机之间的通讯。
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公开(公告)号：CN116276619B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310406995.0
申请日：2023-04-17
申请人： 华海清科股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种数据补偿方法和化学机械抛光设备，其中方法包括：当采集到的膜厚数据出现部分缺失时，采用趋势补偿算法和/或去除率估计补偿算法补足缺失部分的数据；其中，所述趋势补偿算法为利用缺失部分的相邻区域的真实数据的趋势拟合得到所述缺失部分的补偿数据，所述去除率估计补偿算法为利用缺失部分的相邻区域的去除率数据的趋势拟合得到所述缺失部分的补偿数据。
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公开(公告)号：CN116423378A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310410608.0
申请日：2023-04-17
申请人： 华海清科股份有限公司
IPC分类号： B24B37/00 , B24B37/20 , B24B37/27 , B24B37/34 , B24B47/12 , B24B49/00 , B24B51/00 , B24B1/00
摘要： 本发明公开了一种金属膜厚在线测量补偿方法、膜厚传感器和设备，方法包括：抛光过程中，获取膜厚传感器测量金属膜厚的第n次输出量Sn；利用此时的膜厚传感器温度tsn和自身温漂函数，计算传感器温漂补偿量ΔSsn；利用此时的晶圆温度twn、第n‑1次测定的膜厚dn‑1以及晶圆温度补偿函数，计算晶圆温漂补偿量ΔSwn；计算补偿后的输出量Sn′，Sn′＝Sn‑ΔSsn‑ΔSwn；根据传感器输出函数以及所述补偿后的输出量Sn′得到第n次测定的膜厚dn。
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公开(公告)号：CN114473844A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111666334.9
申请日：2021-12-31
申请人： 华海清科股份有限公司
IPC分类号： B24B37/013 , B24B49/10 , G01B7/06
摘要： 本发明公开了一种膜厚测量装置，包括电涡流传感器、前置信号处理模块、数据采集模块和通讯模块；电涡流传感器连接前置信号处理模块，前置信号处理模块连接数据采集模块，数据采集模块连接通讯模块，通讯模块与上位机通信；电涡流传感器包括激励线圈和感应线圈；激励线圈和感应线圈均为扁平线圈，并且同轴设置，激励线圈与感应线圈的绕线方向相同；前置信号处理模块包括跟随电路、差分放大单元、整流滤波单元、比较放大单元、信号发生单元、相位解调单元和滤波放大单元。
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公开(公告)号：CN118905910A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411404778.9
申请日：2024-10-10
申请人： 华海清科股份有限公司
IPC分类号： B24B37/005 , B24B49/10 , B24B37/10 , G01B7/06
摘要： 本申请提供了一种基于电涡流的金属膜厚测量方法、装置及化学机械抛光设备，该方法包括：在对晶圆上金属层进行抛光处理的过程中，通过电涡流传感器采集原始信号，所述原始信号用于指示所述晶圆上金属层的厚度或者所述晶圆外围的保持环上金属层的厚度；从所述原始信号中分离幅值信号和相位信号，并根据所述幅值信号确定位于所述保持环所在区域上的目标特征点，并获得所述目标特征点的厚度信息；根据所述目标特征点的厚度信息，确定在所述原始信号中所述目标特征点对应的位置信息；根据所述位置信息，确定偏移量；根据所述偏移量至少对所述相位信号进行校准，至少根据校准后的所述相位信号确定金属膜厚。本方案提高了晶圆在抛光过程中金属膜厚的测量准确性。
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公开(公告)号：CN118875960A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411280835.7
申请日：2024-09-13
申请人： 华海清科股份有限公司
IPC分类号： B24B37/005 , B24B49/10 , B24B53/017 , B24B37/30 , B24B37/013 , G01B7/06
摘要： 本申请提供一种电涡流终点检测装置及包括其的化学机械抛光设备。所述电涡流终点检测装置包括壳体、PCB板以及控制模块。所述PCB板封装在所述壳体中，并包括集成在其中的谐振电路，所述谐振电路包括感应线圈；所述控制模块与所述PCB板电连接，所述控制模块基于所述谐振电路中的电流信号检测朝向所述PCB板设置的晶圆的金属膜的厚度。根据本申请的技术方案，通过将感应线圈集成在PCB板中，提高了感应线圈的制造精度和集成效率，避免了传统绕线线圈制造误差较大及检测偏差较大的问题，提高了终点检测的精确性和一致性。
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公开(公告)号：CN117601013A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311781991.7
申请日：2023-12-22
申请人： 华海清科(北京)科技有限公司 , 华海清科股份有限公司
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B37/005
摘要： 本申请实施例公开了一种抛光压力控制方法、装置、电子设备及晶圆抛光系统，方法包括：确定每个抛光区域的压力响应系数，其中，压力响应系数根据已抛光晶圆中每相邻的两个抛光区域的去除速率形貌得到，用于表征每个抛光区域的期望施加压力和期望去除速率形貌之间的关系，根据每个抛光区域的压力响应系数、期望去除速率形貌，得到待抛光晶圆的每个抛光区域的压力推荐值，基于待抛光晶圆的每个抛光区域的压力推荐值，抛光待抛光晶圆。借由本申请的技术方案，可提高晶圆抛光压力的控制精度，改善抛光区域间耦合效应所导致的抛光压力控制不准的问题。
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公开(公告)号：CN113681457A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111087048.7
申请日：2021-09-16
申请人： 华海清科股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种膜厚测量方法和化学机械抛光设备，其中，方法包括：线下测试步骤，在该步骤中获取在不同提离高度下、不同膜厚对应的膜厚传感器的输出信号值，拟合得到用于表征输出信号值、提离高度和膜厚之间函数关系的静态方程，其中，提离高度为膜厚传感器距晶圆的距离；线上测试步骤，在该步骤中获取抛光垫厚度以及在化学机械抛光设备上进行抛光时膜厚传感器的输出信号值，利用静态方程计算得到晶圆的计算膜厚，根据计算膜厚与晶圆的实际膜厚之间的偏差，得到用于修正静态方程的动态方程；实际测量步骤，在该步骤中根据静态方程和动态方程，基于当前工况下的抛光垫厚度，将膜厚传感器在线测量时的输出信号值转换为最终的膜厚。
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公开(公告)号：CN118905940A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411208871.2
申请日：2024-08-30
申请人： 华海清科股份有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种晶圆金属薄膜厚度的测量方法、装置、抛光设备和介质，其中方法包括：获取第一磨损参数和第一测量信号，其中，所述第一磨损参数用于指示抛光垫的当前厚度，所述第一测量信号由电涡流传感器采集，所述第一测量信号与所述晶圆上金属薄膜的厚度和所述抛光垫的厚度相关；根据所述第一磨损参数，确定目标映射信息，其中，所述目标映射信息用于指示在所述抛光垫的当前厚度下，所述电涡流传感器所采集的测量信号与所述金属薄膜的厚度之间的对应关系；根据所述第一测量信号和所述目标映射信息，确定所述金属薄膜的厚度。
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公开(公告)号：CN117697614A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311789485.2
申请日：2023-12-22
申请人： 华海清科(北京)科技有限公司 , 华海清科股份有限公司
IPC分类号： B24B37/005 , B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B27/00 , H01L21/67 , H01L21/304
摘要： 本申请公开了一种晶圆减薄系统、方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括：根据各参考数据组的各实际去除形貌与各期望施加压力，估算各参考数据组的各去除形貌误差，根据各期望施加压力与各去除形貌误差，对待优化压力响应系数执行选择性地迭代更新，得到优化压力响应系数；晶圆完成磨削后，测量晶圆的前值形貌，以及根据晶圆的前值形貌和目标形貌得到晶圆的期望去除形貌；基于优化压力响应系数、待抛光晶圆的期望去除形貌执行预测，得到待抛光晶圆的期望施加压力；控制化学机械抛光设备，基于期望施加压力进行一次化学机械抛光，得到减薄后的晶圆。借由本申请的技术方案，可减少试抛晶圆数量，并提高晶圆减薄过程中的抛光控制精度。
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