一种检测肼浓度的方法
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113624727B

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202110754464.1

    申请日:2021-07-02

    Abstract: 本发明公开一种检测肼浓度的方法,该方法包括以下步骤:S10、将比率型荧光探针溶解于有机溶剂中,得到荧光检测体系,其中,比率型荧光探针包括罗丹明B和含醛基的香豆素化合物;S20、将不同浓度的肼的水溶液加入荧光检测体系中,分别测试其在490nm处的荧光强度A和在600nm处的荧光强度B,并根据荧光强度A和荧光强度B的比值与肼浓度的关系,绘制成标准曲线;S30、根据标准曲线,检测待测溶液中肼的浓度。利用比率型荧光探针检测待测溶液中肼的浓度,可有效地消除探针自身、样品及设备等因素引起的背景误差,使检测结果更准确;且该比率型荧光探针为罗丹明B和含醛基的香豆素化合物的混合物,制备方法简单,大大节约了检测成本。

    太阳能电池用二维/一维/零维复合SnO2纳米晶电子传输层的制备方法

    公开(公告)号:CN111740014B

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202010548250.4

    申请日:2020-06-16

    Abstract: 本发明涉及纳米材料制备的技术领域,具体涉及一种太阳能电池用二维/一维/零维复合SnO2纳米晶电子传输层的制备方法,首先在导电基底上沉积二维SnO2晶种层薄膜,接着在二维SnO2晶种层薄膜表面水热生长一维有序SnO2纳米棒阵列,之后在一维SnO2纳米棒阵列的间隙底部蒸镀沉积零维SnO2纳米颗粒,制备得到二维/一维/零维复合SnO2纳米晶电子传输层。本发明的制备方法,制备的电子传输层在厚度方向上高度取向,并具有较少的晶界,这能够加速电荷的传输;通过在一维SnO2纳米棒阵列的间隙底部沉积零维的SnO2纳米晶,能够有效减少因导电基底裸露而产生的漏电流,制备的电池的电荷收集效率高。

    一种锡基钙钛矿电池的制备方法

    公开(公告)号:CN115101681A

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202210619587.9

    申请日:2022-06-01

    Abstract: 本发明公开一种锡基钙钛矿电池的制备方法,包括以下制备步骤:在导电玻璃基板上设置空穴传输层;向FAxMA1‑xPbySn1‑yI3溶液中加入碳酰肼,获得钙钛矿前驱体溶液;在所述空穴传输层上设置钙钛矿前驱体层;在所述钙钛矿前驱体溶液层上由下至上依次设置电子传输层、缓冲层和背电极层。本制备方法通过在FAxMA1‑xPbySn1‑yI3溶液中加入碳酰肼从而抑制钙钛矿前驱体氧化,同时还能够调控结晶速率,从而制备出表面光滑且不易被氧化稳定性好的钙钛矿前驱体层。

    一种钙钛矿墨水以及其应用
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114464692A

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN202210076369.5

    申请日:2022-01-21

    Abstract: 本发明公开一种钙钛矿墨水以及其应用,涉及钙钛矿太阳能电池技术领域。其中,所述钙钛矿墨水包括以下组分:二甲胺氢碘酸盐、碘化铅、碘化铯和混合溶剂,其中,所述混合溶剂包括二甲基甲酰胺和二甲基亚砜,所述二甲基甲酰胺与二甲基亚砜的体积比为6.8~7.2:2.8~3.2。本发明通过对原料的选择、混合溶剂比例的设计,使得到的钙钛矿墨水能在160℃制得CsPbI3薄膜,实现了CsPbI3成膜的低温退火,且得到的CsPbI3薄膜的形貌好、晶界稳定性高、缺陷密度低,从而使CsPbI3薄膜的温度和湿度稳定性优异;此外,低温退火的实现,使CsPbI3薄膜的制备更易操作,成本低廉,有利于大规模生产。

    一种用于检测肼的比率型荧光探针体系、以及检测肼浓度的方法

    公开(公告)号:CN113624728A

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN202110754558.9

    申请日:2021-07-02

    Abstract: 本发明公开一种用于检测肼的比率型荧光探针体系、以及检测肼浓度的方法,涉及荧光探针技术领域。其中,所述比率型荧光探针包括二苯基蒽和含酯基的荧光素化合物。可根据所述比率型荧光探针在540nm和440nm处特征发射强度的比率值的变化,从而实现对待测溶液中肼的检测,且比率荧光值的变化与肼的浓度呈现出良好的线性关系,可实现对肼的准确定量分析;该比率型荧光探针的制备方法简单,成本较低,且检测灵敏度高,检出限低达100nM;该比率型荧光探针对肼具有超高的选择性,其他常见金属离子、阴离子及胺类化合物对其检测几乎无干扰;此外,两个特征发射峰的波长相差100nm,可有效地避免背景误差,从而得到更加准确的检测结果。

    基于有序SnO2纳米棒阵列的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN111739961A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010547524.8

    申请日:2020-06-16

    Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域,具体而言,涉及一种基于有序SnO2纳米棒阵列的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法,包括导电基底、沉积于导电基底表面的SnO2晶种层、生长在SnO2晶种层表面的SnO2纳米棒阵列、沉积于SnO2纳米棒的间隙中和SnO2纳米棒表面的无机钙钛矿层、沉积于无机钙钛矿层表面的空穴传输层、以及沉积于空穴传输层表面的Au电极层。本发明的无机钙钛矿太阳能电池,其具备电荷传输快、电荷提取效率高、光电转化效率高和器件稳定性好等优点。本发明的制备方法,其操作简便、成本低、适用范围广,制得的太阳能电池稳定且高效。

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