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公开(公告)号：CN114287054A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202080060056.X
申请日：2020-08-20
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种层叠体的制造方法，其中，在支撑片上设置含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分，并且与半导体芯片为相同形状或大致相同的形状且为相同大小的膜状烧成材料，将所述支撑片上的所述膜状烧成材料贴附于基板，将所述支撑片从所述基板及膜状烧成材料上剥离，使所述半导体芯片的背面侧面向所述基板上的所述膜状烧成材料而进行贴附，并将所述膜状烧成材料加热至200℃以上，从而将所述半导体芯片与所述基板烧结结合。
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公开(公告)号：CN110545944B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201880027261.9
申请日：2018-02-13
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 市川功
IPC: B22F7/04 , B32B27/20 , C08J5/18 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种膜状烧成材料，该膜状烧成材料为含有烧结性金属颗粒(10)及粘结剂成分(20)的膜状烧成材料(1a)，将膜状烧成材料(1a)的除了端部(A)以外的部分的平均厚度设为100％时，膜状烧成材料(1a)的端部(A)的平均厚度比膜状烧成材料(1a)的除了端部(A)以外的部分(B)的平均厚度厚5％以上。
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公开(公告)号：CN111065476A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201880059075.3
申请日：2018-09-03
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种膜状烧成材料1，其含有烧结性金属颗粒10及粘结剂成分20，烧结性金属颗粒10的含量为15～98质量％，粘结剂成分20的含量为2～50质量％，在温度为350℃、压力为10MPa的条件下进行了3分钟加压烧成时的平面方向上的收缩率相对于烧成前为10％以下，体积收缩率相对于烧成前为15～90％，在与被粘物接触的状态下，以温度为350℃、压力为10MPa的条件进行了3分钟加压烧成时的、与被粘物的接触率相对于被粘物的接触面为90％以上。
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公开(公告)号：CN110574157A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201880027295.8
申请日：2018-03-15
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/373 , B22F7/04 , H01L21/301 , H01L21/52
Abstract: 本发明的膜状烧成材料为含有烧结性金属颗粒(10)及粘结剂成分(20)的膜状烧成材料(1)，在大气氛围下以10℃/分钟的升温速度于40℃～600℃测定的热重曲线(TG曲线)中的、负斜率最大的升温开始后的时间(A1)，及将氧化铝颗粒作为参考试样、在大气氛围下以10℃/分钟的升温速度于40℃～600℃测定的差热分析曲线(DTA曲线)中的、升温开始后0秒～2160秒的时间范围内的最大峰值时间(B1)满足A1＜B1＜A1+200秒的关系，且A1＜2000秒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104871310B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201380061840.2
申请日：2013-06-14
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/29 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/52 , H01L23/00 , H01L23/31 , H01L23/373
CPC classification number: H01L23/295 , C08K2003/382 , C09J7/35 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J201/00 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L23/296 , H01L23/3737 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种片材，其能够对所得到的半导体装置赋予散热特性，且在半导体装置的制造工序中不对半导体晶片、芯片实施增加工序数、使工艺复杂的特殊处理，而且该片材的粘接性优异。本发明的芯片用树脂膜形成用片具有支撑片和形成在该支撑片上的树脂膜形成层，该树脂膜形成层含有粘合剂聚合物成分(A)、固化性成分(B)、无机填料(C)及硅烷偶联剂(D)，该无机填料(C)含有氮化物粒子(C1)，该硅烷偶联剂(D)的分子量为300以上。
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公开(公告)号：CN104797423B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201380062060.X
申请日：2013-11-29
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/18 , B32B5/14 , B32B7/06 , C09J7/00 , C09J11/06 , C09J201/00 , H01L21/52 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC classification number: B32B27/18 , B32B7/12 , B32B27/06 , B32B27/16 , B32B2457/14 , C08K5/54 , C09J7/20 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L23/296 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: [课题]其目的在于，提高作为粘接膜、保护膜的前体而发挥功能的树脂膜形成层或其固化后的树脂膜与作为被粘物的半导体芯片、半导体晶片的粘接性。[解决方案]本发明所述的带固化性树脂膜形成层的片材的特征在于，其具有支撑片材、以及以可剥离的方式形成在该支撑片材上的固化性树脂膜形成层，该固化性树脂膜形成层包含固化性粘结剂成分和硅烷偶联剂（C），且在固化性树脂膜形成层的固化后的树脂膜中，树脂膜的至少1个表面的源自硅烷偶联剂（C）的表面硅元素浓度（X）为在深度方向上距离该表面40~60nm、60~80nm、80~100nm的各深度范围处至少各1点、合计3点以上测定的源自硅烷偶联剂（C）的内部硅元素浓度的平均值（Y）的3.4倍以上。
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公开(公告)号：CN113874984B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202080037701.6
申请日：2020-05-20
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种带支撑片的膜状烧成材料100，其具备在基材膜3上具有粘着剂层4的支撑片2与设置在粘着剂层4上的膜状烧成材料1，所述带支撑片的膜状烧成材料100用于将所述膜状烧成材料贴附于在外周部具有环状凸部的晶圆的具有所述环状凸部的一面侧的内周部，膜状烧成材料1的直径为所述晶圆的内周部的直径以下。
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公开(公告)号：CN116348564A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202180070981.5
申请日：2021-10-14
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J11/04
Abstract: 本发明提供导一种粘合膜1，其是由粘合性树脂组合物构成的粘合膜1，所述粘合性树脂组合物含有：由具有二维结构的石墨烯及单层氮化硼中的至少1种构成的导热性填料(A)；热固性成分(B)；及粘结剂聚合物(C)，所述粘合膜以进行下述加热处理的方式进行使用，所述加热处理包括预加热工序、及在所述预加热工序后使所述粘合膜1完全固化的完全固化工序，所述预加热工序在下述温度(T)以下的温度下保持30分钟以上，温度(T)：在大气气氛下并在以10℃/分钟的升温速度从40℃升温到400℃的条件下，对任意的进行加热处理前的所述粘合膜1进行热重测试，所述粘合膜1的重量减少0.5％的温度。上述粘合膜1，导热性优异。
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公开(公告)号：CN110574157B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201880027295.8
申请日：2018-03-15
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/373 , B22F7/04 , H01L21/301 , H01L21/52
Abstract: 本发明的膜状烧成材料为含有烧结性金属颗粒(10)及粘结剂成分(20)的膜状烧成材料(1)，在大气氛围下以10℃/分钟的升温速度于40℃～600℃测定的热重曲线(TG曲线)中的、负斜率最大的升温开始后的时间(A1)，及将氧化铝颗粒作为参考试样、在大气氛围下以10℃/分钟的升温速度于40℃～600℃测定的差热分析曲线(DTA曲线)中的、升温开始后0秒～2160秒的时间范围内的最大峰值时间(B1)满足A1＜B1＜A1+200秒的关系，且A1＜2000秒。
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