公开(公告)号：CN106029744B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201580010593.2

申请日：2015-02-24

申请人： 东丽株式会社

发明人： 富川真佐夫 ,  渡边拓生 ,  李忠善

IPC分类号： C08G73/10 ,  B32B27/34 ,  C08K5/06 ,  C08L79/08 ,  C09J7/30 ,  C09J11/06 ,  C09J179/08 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L21/6836 ,  B32B7/12 ,  B32B27/281 ,  B32B2307/304 ,  B32B2307/306 ,  B32B2457/00 ,  B32B2457/14 ,  C08G73/1039 ,  C08G73/1046 ,  C08G73/106 ,  C08G73/1082 ,  C08G77/455 ,  C08G2170/00 ,  C08L61/28 ,  C09J7/28 ,  C09J7/29 ,  C09J179/08 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/304 ,  H01L23/293 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供具有高耐热性、即使是大面积也可不存在空隙等地均匀地进行预粘接的聚酰亚胺树脂、使用其的树脂组合物及层叠膜。本发明是一种至少具有酸酐残基和二胺残基的聚酰亚胺树脂，其中，在全部二胺残基中，包含60摩尔％以上的聚硅氧烷系二胺的残基。

公开(公告)号：CN108235784A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201680059832.8

申请日：2016-10-07

申请人： 琳得科株式会社

发明人： 冈本直也 ,  松下大雅 ,  松下香织

IPC分类号： H01L23/00 ,  B32B7/06 ,  C09J7/20 ,  C09J11/04 ,  C09J201/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/552 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B2457/14 ,  C09J7/20 ,  C09J7/22 ,  C09J11/04 ,  C09J201/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3733 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/1058

摘要： 本发明的一个实施方式的半导体装置(100)具备半导体基板(11)、和保护层(20)。半导体基板(11)具有构成电路面的第一面、和与上述第一面相反侧的第二面。保护层(20)由含有软磁性粒子的复合材料的单一层构成，且具有粘接于上述第二面的粘接面(201)。

公开(公告)号：CN107958837A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201710952345.0

申请日：2017-10-13

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 竹林央史

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/6833 ,  B32B15/04 ,  B32B37/10 ,  B32B37/144 ,  B32B38/1866 ,  B32B2037/0092 ,  B32B2038/0076 ,  B32B2309/105 ,  B32B2457/14 ,  C04B35/565 ,  C04B35/645 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/128 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/76 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L2221/683

摘要： 本发明提供一种半导体制造装置用部件及其制法。半导体制造装置用部件的制法包括如下工序：(a)准备平板状的静电卡盘、支撑基板以及平板状的金属接合材的工序，所述静电卡盘为陶瓷制且具有晶片载置面，所述支撑基板包含复合材料且具有凹面，所述复合材料与所述陶瓷之间的40～570℃的线热膨胀系数差的绝对值为0.2×10-6/K以下；以及(b)在支撑基板的凹面和静电卡盘的与晶片载置面相反侧的面之间夹入金属接合材，通过在金属接合材的固相线温度以下的温度对支撑基板和静电卡盘进行热压接合，从而使静电卡盘变形为具有与凹面相同的弯曲度的工序。

公开(公告)号：CN104937712B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201480004970.7

申请日：2014-03-24

申请人： 琳得科株式会社

发明人： 佐伯尚哉 ,  山本大辅 ,  高野健

IPC分类号： H01L23/29 ,  C08J5/18 ,  C08L63/00 ,  H01L21/301 ,  H01L23/31

CPC分类号： C08J5/18 ,  B32B27/06 ,  B32B2457/14 ,  C08J2333/08 ,  C08J2463/02 ,  C08J2463/04 ,  C08J2463/10 ,  C08L63/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/295 ,  H01L23/31 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种保护膜形成用膜，其在可抑制晶圆的弯曲的同时，可形成可靠度高的保护膜。本发明的保护膜形成用膜具有热固化性，热固化后的玻璃化转变温度为150～300℃，热固化后在23℃的拉伸弹性模量为0.5～10GPa。

公开(公告)号：CN104718599B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201380045848.X

申请日：2013-09-06

申请人： 索泰克公司

发明人： 法布里斯·勒泰特 ,  奥列格·科农丘克

IPC分类号： H01L21/18 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/76251 ,  B32B7/12 ,  B32B9/04 ,  B32B2457/14 ,  C30B29/68 ,  C30B33/00 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/185 ,  H01L27/1203 ,  H01L33/0079 ,  Y10T156/1062 ,  Y10T428/24942

摘要： 本发明涉及一种用于制造伪衬底(109)的方法，该方法包括以下步骤：提供单晶锭(101)，提供操作衬底(102)，从单晶锭(101)切取薄切片(105)，以及将薄切片(105)附接至操作衬底(102)，以形成伪衬底(109)。依据本发明，薄切片(105)的厚度大致等于或小于临界厚度，低于该临界厚度切片(105)在单独取用时不再是机械稳定的。本发明进一步涉及半导体结构体(109)。

公开(公告)号：CN107075187A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580052955.4

申请日：2015-09-25

申请人： 富士胶片株式会社

发明人： 加持义贵 ,  小山一郎 ,  岩井悠 ,  中村敦 ,  泽野充

IPC分类号： C08L21/00 ,  B32B25/08 ,  B32B27/00 ,  C08J5/18 ,  C08K5/00 ,  C08L53/02 ,  C09J7/00 ,  C09J11/06 ,  C09J121/00 ,  C09J125/08 ,  C09J153/02 ,  H01L21/02

CPC分类号： C09J11/06 ,  B32B3/08 ,  B32B7/04 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B9/043 ,  B32B15/06 ,  B32B25/04 ,  B32B25/08 ,  B32B25/12 ,  B32B25/14 ,  B32B25/16 ,  B32B25/18 ,  B32B25/20 ,  B32B27/06 ,  B32B27/08 ,  B32B27/20 ,  B32B27/26 ,  B32B27/28 ,  B32B27/285 ,  B32B27/286 ,  B32B27/304 ,  B32B27/306 ,  B32B27/325 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B27/38 ,  B32B27/42 ,  B32B2250/03 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/26 ,  B32B2270/00 ,  B32B2307/30 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/51 ,  B32B2307/58 ,  B32B2307/584 ,  B32B2307/732 ,  B32B2307/748 ,  B32B2457/14 ,  C08J3/092 ,  C08J5/18 ,  C08J2309/06 ,  C08J2353/02 ,  C09J7/00 ,  C09J7/10 ,  C09J121/00 ,  C09J153/025 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2453/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68386

摘要： 提供一种组合物、片的制造方法、片、层叠体及带有元件晶片的层叠体，所述组合物的弹性体的溶解性良好，可提高固体成分浓度，可形成干燥性、表面状态及耐热性优异的膜。所述组合物含有：自25℃起以20℃/min升温的5％热质量减少温度为375℃以上的弹性体；下述通式(1)所表示的沸点为160℃以上的溶剂；及沸点小于120℃的溶剂。通式(1)中，R1～R6分别独立地表示氢原子或脂肪族烃基。

公开(公告)号：CN104870585B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201380066857.7

申请日：2013-12-20

申请人： 道康宁公司 ,  道康宁东丽株式会社

发明人： 吉田真宗 ,  吉武诚 ,  山崎春菜 ,  尼子雅章 ,  S·斯维尔 ,  中田稔树

IPC分类号： C08L83/04 ,  C08G77/50 ,  H01L23/29

CPC分类号： H01L23/296 ,  B32B3/30 ,  B32B7/02 ,  B32B27/08 ,  B32B27/283 ,  B32B2250/24 ,  B32B2264/104 ,  B32B2307/418 ,  B32B2307/536 ,  B32B2457/14 ,  C08G77/50 ,  C08K3/22 ,  C08K3/34 ,  C08K3/36 ,  C08K2003/2241 ,  C08K2201/00 ,  C09D183/10 ,  C09J183/10 ,  H01L21/56 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L33/502 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/24983 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85

摘要： 本发明涉及一种用于压缩模制或层合的可热熔的固化性有机硅组合物和具有包含所述组合物的至少一个层的层合体，以及使用这些的半导体器件及其制造方法。根据本发明，可有效地制造具有半球形透镜或圆顶形密封体的半导体器件。在本发明中，易于控制所述密封体的形状，并且所述密封体不含任何气泡。在本发明中，还易于与所述密封体分开地控制所述半导体器件的涂层的厚度。

公开(公告)号：CN106696408A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610959486.0

申请日：2016-11-03

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 木村龙一 ,  高本尚英

IPC分类号： B32B27/06 ,  B32B27/20 ,  B32B27/08 ,  B32B27/36 ,  B32B7/06 ,  B32B7/10 ,  B32B3/04 ,  B32B33/00 ,  H01L21/683 ,  C08J7/04 ,  C09D161/06 ,  C09D163/00 ,  C09D133/08 ,  C09D7/12 ,  C08L67/02

CPC分类号： H01L21/6836 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B27/20 ,  B32B27/308 ,  B32B27/36 ,  B32B27/38 ,  B32B27/42 ,  B32B2250/44 ,  B32B2255/26 ,  B32B2264/10 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/54 ,  B32B2307/748 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54486 ,  B32B27/06 ,  B32B3/04 ,  B32B7/10 ,  B32B33/00 ,  B32B2398/10 ,  B32B2398/20 ,  C08J7/047 ,  C08J2367/02 ,  C08J2461/06 ,  C08L2203/16 ,  C08L2205/025 ,  C08L2205/035 ,  C09D7/70 ,  C09D161/06 ,  C08L63/00 ,  C08L33/08 ,  C08K7/18

摘要： 本发明涉及层叠体和联合体以及半导体装置的制造方法，本发明提供能够减少切割时在芯片侧面产生的龟裂的层叠体等。本发明涉及包括切割片和半导体背面保护薄膜的层叠体。切割片包括基材层和配置在基材层上的粘合剂层。半导体背面保护薄膜配置在粘合剂层上。固化后的半导体背面保护薄膜的拉伸储能模量在23℃～80℃全部范围下为1GPa以上。

公开(公告)号：CN106663616A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201480079976.0

申请日：2014-06-18

申请人： 琳得科株式会社

发明人： 田矢直纪 ,  仁藤有纪 ,  宫武祐介

IPC分类号： H01L21/301 ,  C09J7/02

CPC分类号： B32B27/06 ,  B32B7/02 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B27/281 ,  B32B27/302 ,  B32B27/304 ,  B32B27/306 ,  B32B27/308 ,  B32B27/32 ,  B32B27/327 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B27/40 ,  B32B2250/02 ,  B32B2250/03 ,  B32B2250/04 ,  B32B2250/246 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/26 ,  B32B2270/00 ,  B32B2307/54 ,  B32B2307/58 ,  B32B2457/14 ,  C08L23/0869 ,  C09J7/29 ,  C09J2201/122 ,  C09J2201/162 ,  C09J2201/606 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/114 ,  C09J2421/006 ,  C09J2423/006 ,  C09J2423/046 ,  C09J2423/106 ,  C09J2429/006 ,  C09J2431/006 ,  C09J2433/00 ,  C09J2433/006 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  C08L23/12

摘要： 本发明涉及一种切割片用基材膜(2)，其为用于具备基材膜(2)、层叠于基材膜(2)一个面上的粘着剂层(3)的切割片(1)的切割片用基材膜(2)，至少具有与切割片(1)的粘着剂层(3)接触的第一树脂层(A)、卷取切割片用基材膜(2)时与第一树脂层(A)接触的第二树脂层(B)，第二树脂层(B)的结晶度为28～45％，第一树脂层(A)的拉伸弹性模量相对于第二树脂层(B)的拉伸弹性模量的比例为1.2～3.0，第一树脂层(A)的厚度相对于切割片用基材膜(2)的厚度的比例为20～60％。

公开(公告)号：CN104335337B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201380027777.0

申请日：2013-06-05

申请人： 株式会社新川

发明人： 谷大辅 ,  高桥浩一

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/75 ,  B32B37/0046 ,  B32B41/00 ,  B32B2309/72 ,  B32B2313/00 ,  B32B2457/14 ,  H01L23/481 ,  H01L23/544 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75754 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81908 ,  H01L2224/83123 ,  H01L2224/83129 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明提供一种接合装置及半导体装置的制造方法。本发明的倒装芯片接合装置(500)是在设置有第一贯通电极的第一层的半导体芯片(20)之上，将在与第一贯通电极对应的位置设置有第二贯通电极的第二层的半导体芯片(30)加以层叠接合，其具备：双视野摄影机(16)，拍摄半导体芯片(20)、(30)的影像；以及控制部(50)；控制部(50)具备相对位置检测程序(53)，所述相对位置检测程序(53)根据在层叠接合前双视野摄影机(16)所拍摄的第一层的半导体芯片(20)表面的第一贯通电极的影像以及在层叠接合后双视野摄影机(16)所拍摄的第二层的半导体芯片(30)表面的第二贯通电极的影像，检测已层叠接合的各层的半导体芯片(20)、(30)的相对位置。由此，以简便方法高精度地连接贯通电极。