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公开(公告)号：CN109950392A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910187253.7
申请日：2019-03-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L41/33 , H01L41/335
Abstract: 本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种具有沟槽的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器；包括制备步骤：在单晶晶圆的下表面开设沟槽，得到具有沟槽的单晶晶圆；在具有沟槽的单晶晶圆的下表面注入高能量离子，且高能量离子的注入深度小于沟槽的深度，使得单晶晶圆内部形成损伤层，损伤层将单晶晶圆分隔成上压电层和单晶薄膜层，得到损伤的单晶晶圆；将损伤的单晶晶圆键合于衬底上，键合后进行晶圆劈裂处理，冷却后去除上压电层，得到具有沟槽的单晶薄膜；通过提供具有沟槽的单晶薄膜制备方法制得的单晶薄膜以解决现有的薄膜器件的大面积制备过程中，薄膜中的应力容易导致薄膜发生开裂、脱落的现象的技术问题。
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公开(公告)号：CN109913954A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910187181.6
申请日：2019-03-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器；制备方法包括在单晶晶圆下表面注入高能量离子，使得单晶晶圆内部形成损伤层，损伤层将单晶晶圆分隔成压电层和单晶薄膜层；在单晶薄膜层的表面制备隔离层；在隔离层表面旋涂键合层；将键合层与衬底叠放，进行退火处理，冷却，得到具有隔离层的单晶薄膜；通过具有隔离层的单晶薄膜的制备方法制备得到的单晶薄膜，单晶薄膜表面无气泡，无裂纹，无隆起结构，单晶薄膜性能显著提高。
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公开(公告)号：CN105978520B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610311205.0
申请日：2016-05-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及声表波器件制造领域，特别涉及一种多层结构的SAW器件及其制备方法。该多层结构的SAW器件，从上至下依次包括叉指换能器、压电单晶薄片和Diamond薄膜。压电单晶薄片厚度1‑10nm粗糙度1‑10nm，其上制备有叉指换能器。叉指换能器厚度1‑10nm。Diamond薄膜厚度1‑10μm，粗糙度5‑10nm，制备于硅基上。本发明通过降低压电晶体的厚度，使其只是激发和接收声表面波，而声表面波的传播在金刚石内，在相同的叉指换能器指宽的情况下，能够显著提高器件的工作频率。可满足高频、高机电耦合系数、小体积的声表面波的器件应用领域的需求。
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公开(公告)号：CN106209002B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610494499.5
申请日：2016-06-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，具体提供一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法，该薄膜体声波谐振器包括Si衬底，于Si衬底上相键合的Si键合层，于Si键合层上设置单晶铌酸锂薄片，所述Si键合层上表面开设空腔，对应设置于空腔内的下电极附着于单晶铌酸锂薄片下表面，于单晶铌酸锂薄片上表面设置上电极，所述上电极与下电极对应设置。本发明谐振器采用单晶铌酸锂薄片作为压电层，能够便捷精确的控制压电层晶格取向，显著提升谐振器的谐振频率和机电耦合系数等性能，同时，利用单晶铌酸锂薄片作为器件支撑结构，有效避免电极支撑带来的性能损害，进一步提升器件性能；并且本发明谐振器结构简单，加工重复性好，能够获得一致性良好的大规模线列和阵列。
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公开(公告)号：CN106209001B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610489078.3
申请日：2016-06-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，具体涉及一种基于单晶铌酸锂薄片压电材料的薄膜体声波谐振器，以及该谐振器的制备方法。本发明用于克服现有薄膜体声波谐振器机电耦合系数过低的缺陷，该薄膜体声波谐振器包括Si衬底，于Si衬底上形成的图形化键合胶支撑层，于键合胶支撑层上设置的单晶铌酸锂薄片，于键合胶间隙中设置的下电极层附着于铌酸锂薄片下表面，于铌酸锂薄片上表面形成上电极层，所述上电极层、下电极层对应设置。该薄膜体声波谐振器既能满足高频率，也能保持极大的机电耦合系数，能够达到43％，从而极大的提高了器件传输频率带宽；且该谐振腔结构简单、加工重复性好，能够获得一致性良好的大规模线列和阵列器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105977370B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201610439019.5
申请日：2016-06-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属微电子器件集成与散热技术领域,尤其涉及一种基于压电微泵的嵌入式制冷器件及其制备方法。该制冷器件包括微流道和压电微泵两部分；微流道为单独对应单个芯片，设置于芯片下方；压电微泵置于微流道下方。本发明中，微流道是为每个芯片散热，尺寸更加微小，散热能力更好；本发明将压电微泵置于每个芯片的下方，不仅缩小了整体封装的体积，而且可以根据芯片的具体功率实现将不同能力的压电微泵与微流道集成形成具有不同制冷能力的器件，实现按需散热，提高系统温度分布均匀性。本发明结构简单、体积小，易于集成，芯片散热均匀；可应用于高密度集成微系统、功率半导体器件及设备等方面。
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公开(公告)号：CN108063185A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711452824.2
申请日：2017-12-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及半导体存储器及其制造技术领域，具体涉及一种三维堆叠结构的单晶薄膜忆阻交叉阵列制备方法。本发明选用忆阻薄膜材料为单晶薄膜材料，采用聚合物进行晶圆键合，代替传统离子注入剥离法常用的SiO2亲水性键合，结合局部Ar+离子注入对交叉阵列进行氧空位掺杂，再通过多次键合剥离的步骤，最终获得具有三维堆叠结构的单晶薄膜忆阻交叉阵列，每一步键合剥离的过程均不需要额外制备SiO2或Si3N4钝化层对交叉阵列进行隔离保护，省去化学机械抛光的过程，简化工艺流程。本发明相对现有三维堆叠结构的单晶薄膜忆阻交叉阵列制备工艺，降低了工艺难度，并简化了工艺流程。
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公开(公告)号：CN107591380A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710654396.5
申请日：2017-08-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L23/473
Abstract: 本发明属于一种微流道器件，具体涉及一种集成温度传感器的微流道散热器。包括微流道盒体、键合层、微流道盖体、冷却液入口、冷却液出口、微流道沟槽和温度传感器。本发明实现温度传感器在微流道散热器内部一体化集成，集成的温度传感器位置布放灵活，实现多点位、高空间分辨率的实时监测，以提高微流道散热器可靠性，进而优化设计散热器；与外接温度传感器相比，该方案获得的温度受环境影响小，结果更能精准的反映流道内部状况，提高了微流道散热器整体可靠性。还采用键合层隔开冷却液与温度传感器的直接接触，使得温度传感器不会被冷却液直接接触影响，导致温度传感器的稳定性和精确性降低，甚至于温度传感器短路失效。
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公开(公告)号：CN105345277A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510835007.X
申请日：2015-11-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: B23K26/38 , B23K26/364 , B23K26/402 , G01J5/12
Abstract: 一种热释电红外器件的制备方法，包括：1)在热释电敏感材料的两个表面上均制备金属薄膜电极，作为上、下电极；2)在上电极表面制备红外吸收层；3)采用紫外激光直写技术对热释电敏感材料、上电极和红外吸收层进行切割，激光功率为0.5～2W，重复频率为40～90KHz，激光切割速度为200～300mm/s，切割深度大于上电极与红外吸收层的厚度之和，且小于上电极、红外吸收层和热释电敏感材料的厚度之和。本发明采用紫外激光直写技术制备线列或阵列单元，工艺简单，重复性好，且可通过激光切割工艺灵活调整单元和热隔离槽的结构和尺寸，可通过调整激光直写次数和激光功率精确地控制相邻单元之间热隔离槽的深度与宽度。
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公开(公告)号：CN105137125A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510543643.5
申请日：2015-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01Q60/24
Abstract: 本发明属于铁电或压电材料电畴测试技术领域，涉及利用逆压电效应实现电畴成像的双频多通道同步检测，该方法采用两台锁相放大器对待测样品面外和面内压电信号进行实时同步检测；其中，所述两台锁相环放大器的参考信号分别由两个独立的频率源提供，频率源同时还提供一个与参考信号相同的交流信号作为激励信号，两个频率源提供的激励信号经加法器叠加后作为交流激励电压加载于导电探针与待测样品之间。本发明通过一次扫描就能够检测出待测样品的面外和面内压电振动的幅度信号与相位信号，并以实时的方式多通道同步输出，大大的提高了检测效率；同时，本发明能够提高电畴成像的分辨率，有效提高检测准确度。
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