-
公开(公告)号：CN109187660B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201810968368.5
申请日：2018-08-23
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种基于石墨烯网状结构的半导体型氢气传感器，属于氢气传感器技术领域。所述氢气传感器包括自上而下依次设置的上电极层、半导体薄膜层、敏感层、氢敏金属薄膜层和下电极层，所述敏感层为位于半导体薄膜层和氢敏金属薄膜层之间的柱状阵列结构，每个阵列单元包括与半导体薄膜层接触的半导体纳米柱、与氢敏金属薄膜接触的氢敏金属纳米柱、以及包覆于半导体纳米柱和氢敏金属纳米柱侧面的石墨烯网状结构。本发明氢气传感器具有对氢气选择性好、灵敏度高、响应速度快、精度高等优点。
-
公开(公告)号：CN109187660A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810968368.5
申请日：2018-08-23
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种基于石墨烯网状结构的半导体型氢气传感器，属于氢气传感器技术领域。所述氢气传感器包括自上而下依次设置的上电极层、半导体薄膜层、敏感层、氢敏金属薄膜层和下电极层，所述敏感层为位于半导体薄膜层和氢敏金属薄膜层之间的柱状阵列结构，每个阵列单元包括与半导体薄膜层接触的半导体纳米柱、与氢敏金属薄膜接触的氢敏金属纳米柱、以及包覆于半导体纳米柱和氢敏金属纳米柱侧面的石墨烯网状结构。本发明氢气传感器具有对氢气选择性好、灵敏度高、响应速度快、精度高等优点。
-
公开(公告)号：CN104152890B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201410370394.X
申请日：2014-07-30
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： C23C24/00 , C09D183/04 , C09D7/61 , C09D7/63
摘要： 本发明提供了一种在柔性金属部件上制备抗热冲击的耐高温绝缘涂层的方法，属于电子材料领域。该方法首先采用无机粉体、气凝胶、有机硅树脂与硅烷偶联剂制备浆料，然后采用丝网印刷、喷涂法或刷涂法在柔性金属部件上涂覆上述浆料，最后在烘箱中250℃温度下排胶30min，自然降温至室温得到所述耐高温绝缘涂层。本发明方法简单易行，缩短了涂层的制备周期，降低了制备成本，得到的涂层在柔性金属部件上具有良好的附着性能，能够更好的满足形变较大的部件的绝缘保护需求，得到的涂层有良好的绝热、绝缘、耐高温及抗热冲击的特性。
-
公开(公告)号：CN107121035A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710506529.4
申请日：2017-06-28
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： F42C19/08
CPC分类号： F42C19/08
摘要： 本发明属于火工品领域，具体涉及一种高能量转换率复合含能薄膜桥。该高能量转换率复合含能薄膜桥(爆炸箔)，从下至上依次包括基片、金属膜桥和含能薄膜层，还包括聚四氟乙烯PTFE薄膜层和二个电极焊盘。金属膜桥设置在基片之上，其上方直接接触的为一聚四氟乙烯薄膜层；含能薄膜层最少一层，且与金属膜桥不直接接触；聚四氟乙烯薄膜层最少一层，位于金属膜桥上方，不同聚四氟乙烯薄膜层之间不直接接触，结构上通过含能薄膜层隔开；二个电极焊盘分别与聚四氟乙烯薄膜层和含能薄膜层两端实现电接触，置于金属膜桥之上。本发明具有体积小、起爆能量低、能量转换率高的优异效果。
-
公开(公告)号：CN107012425A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710136413.6
申请日：2017-03-09
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于传感器技术领域，提供一种薄膜传感器用复合绝缘层及其制备方法，用以克服现有技术中由于绝缘层与敏感功能层热膨胀系数失配导致功能层高温附着力差的难题；本发明复合绝缘层由自下而上依次重叠的热生长Al2O3层和SiAlO成分梯度层组成，沿薄膜生长方向，所述SiAlO成分梯度层的成分中硅含量递增、同时铝含量递减。本发明复合梯度绝缘层的热膨胀系数可随成分的渐变而发生渐变，实现与不同敏感功能层材料热膨胀系数匹配的需要，减小绝缘层与敏感功能层之间因热膨胀系数失配而产生热应力，提高薄膜传感器的附着力；在高温条件下，可有效保证薄膜传感器的可靠性和稳定性，降低器件的失效几率，延长薄膜传感器的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN103266320A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310207942.2
申请日：2013-05-30
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： C23C28/00
摘要： 该发明属于抗高温氧化薄膜传感器及其生产方法。其薄膜传感器包括待测合金基板及附着于其顶面的NiCrAlY合金过渡层，过渡层以上依次为氧化铝/氮化铝过渡层、氧化铝/氮化铝陶瓷绝缘层、由各电极组成的传感器功能层及其Si3N4隔离层以及设于隔离层上的氧化铝保护层；其生产方法包括合金基板的表面处理，在合金基板上沉积NiCrAlY合金过渡层，金属铝的析出，氧化或氮化处理，设置Al2O3/AlN陶瓷绝缘层，设置薄膜传感器功能层及其Si3N4隔离层，设置Al2O3保护层。该发明中设置的Si3N4隔离层能有效阻挡绝缘层及氧化铝保护层在高温环境下分解出的氧原子向功能层的扩散，提高传感器在高温高压工作环境下使用的稳定性和可靠性，为涡轮发动机的研究和设计提供相应的、更为精确的基础数据。
-
公开(公告)号：CN101667673B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200910167733.3
申请日：2009-09-23
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01P1/387
摘要： 该发明属于固体电子器件中的集成式微带铁氧体环行器，包括底部设有凹槽的介电质或半导体基片及设于凹槽内的高电导率金属块或接地膜，附着于基片上部的铁氧体膜片，紧贴于铁氧体膜片上的高电导率中心结及其匹配段，位于基片底面的高电导率接地膜。该环行器由于在基片底面增设了凹槽，并在凹槽内置入了与其相同体积的金属块或在其内表面覆盖接地膜，其有效磁导率张量k/μ得到大幅度提高，而结阻抗则大幅度降低，在相同性能的前提下与背景技术相比、环行器的体积、厚度则可有效降低；从而具有在确保铁氧体环行器的性能和可靠性的前提下，可有效减小其体积、厚度；实现小型化、平面化、便于微波电路的集成，促进单片微波集成电路发展等特点。
-
公开(公告)号：CN101699650A
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200910167923.5
申请日：2009-10-16
申请人： 电子科技大学
摘要： 该发明属于微波电子器件中的一种高频大功率微波薄膜电阻器，包括基片、设于基片上的输入导电接点及与之连接的并具有阻抗匹配功能的功率分配电路，与分配电路各输出端连接且并联设置的电阻膜组，分别与各电阻膜的输出端连接的导电接点，接地膜。该薄膜电阻器可将由输入端输入的高频率、大功率微波信号，分配成若干个高频率的小功率微波信号、通过并联的各电阻膜分别将其功率吸收。因而，本发明微波大功率薄膜电阻器具有结构简单、安全可靠，适应范围宽，可在高频率和高功率的工作环境下使用等特点；克服了常规微波功率电阻器所存在的在高频率与高功率之间不能同时兼顾、适应范围窄等弊病。
-
公开(公告)号：CN1921164A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200510021533.9
申请日：2005-08-26
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种压控可调薄膜电感，它是在压电陶瓷基底上，制备包含磁性层的薄膜电感，利用压电陶瓷的逆压电效应和磁性薄膜的逆磁致伸缩效应，通过外加电压，调节压电陶瓷基底的形变，改变磁性薄膜的磁导率，最终实现薄膜电感值大小的调节。这种压控可调薄膜电感可广泛应用到移动通讯系统、T/R组件、GPS、滤波器组件、低噪声压控振荡器、网络阻抗匹配等系统。
-
公开(公告)号：CN1624846A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200310111073.X
申请日：2003-12-03
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01H59/00
摘要： 本发明提供的一种微波/射频微机械开关，它包括：锚位1，基底2，信号线5，悬臂梁6，接触金属层7，信号线8，外加磁场导线9，磁致伸缩层10，其特征是它还包括磁致伸缩层10；在基底2上为锚位1、外加磁场导线9以及信号线5和8平行排列；悬臂梁6的固定端在锚位1上，悬空部分位于外加磁场导线9以及信号线5和8正上方；磁悬臂梁6上为磁致伸缩层10；接触金属层7位于悬臂梁6悬空部分的正下方。本发明的磁致伸缩型微波/射频微机械开关具有驱动电压低、响应时间短的特点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
91 条记录 (耗时 0.042 秒)
