公开(公告)号：CN108192619A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810063711.1

申请日：2018-01-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  陆干臻 ,  赵志伟 ,  阮玉帅 ,  胡海龙 ,  周雄图 ,  陈耿旭 ,  唐谦 ,  陈兴德

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C09K11/883 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/02

Abstract: 本发明涉及一种金/SiO2核壳微结构与半导体量子点复合量子点发光薄膜的制备方法，利用简单的旋涂成膜工艺技术，在ITO玻璃衬底上，以金核作为等离子激元增强中心，以SiO2壳作为隔离层，以CdSe半导体量子点作为光致发光中心、旋涂形成金/SiO2核壳微结构与半导体量子点复合发光层，再通过有机物旋涂、封装工艺，最终制备出金/SiO2核壳微结构与半导体量子点复合发光薄膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单。其中，利用金/SiO2壳核结构纳米颗粒在外界电场作用下等离子体激元增强效应，改变其下面半导体量子点周围电场分布和强度，最终提升半导体量子点薄膜的发光性能。

公开(公告)号：CN111952473A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010829057.8

申请日：2020-08-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  叶冰清 ,  邱荧琳 ,  陆干臻 ,  陈恩果 ,  叶芸 ,  陈耿旭 ,  李福山 ,  汤成仁

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明涉及一种使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿薄膜及发光二极管制备方法。首先在ITO玻璃上，在经过对ITO导电玻璃的清洁和臭氧处理之后，利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备ZnO薄膜以及PEIE薄膜，随后通过两步旋涂而后通过退火获得了使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿薄膜发光层，再利用旋涂工艺在钙钛矿薄膜上制备空穴传输层，并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和金，最终形成一种使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿发光二极管器件。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，本发明过两亲性二氧化硅纳米颗粒对FAPbI3这种钙钛矿的掺杂混合，不仅使得纳米颗粒在钙钛矿颗粒间隙之间堆积，从而提高了钙钛矿发光层的抗水氧腐蚀性，而且还防止了电子、空穴在间隙处的直接复合，从而提高了器件的性能。

公开(公告)号：CN111952469A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010828284.9

申请日：2020-08-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  杨保用 ,  龚智鹏 ,  陆干臻 ,  陈恩果 ,  张永爱 ,  陈耿旭 ,  李福山 ,  黄桥灿

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明涉及一种基于Au等离子机元增强的叠层量子点发光二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：制备金纳米颗粒；步骤S2：利用金纳米颗粒对空穴传输层材料进行掺杂；步骤S3：采用旋涂成膜工艺和蒸发镀膜技术制备叠层结构Au等离子机元增强的量子点发光二极管。本发明通过在空穴传输层中掺杂金纳米颗粒，使得空穴传输层的迁移率提升，同时利用等离子机元增强原理提高器件的发光强度，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生，同时降低了开启电压，提高了在同等电压下的发光强度、EQE，使叠层量子点发光二极管的性能大大提高。

公开(公告)号：CN108557837A

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201810061817.8

申请日：2018-01-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  郑康 ,  陆干臻 ,  赵志伟 ,  胡海龙 ,  周雄图 ,  陈耿旭 ,  李福山 ,  林媛媛

IPC: C01B37/00 ,  C01B39/00 ,  B05D1/00 ,  B05D3/00 ,  B05D3/02 ,  B05D5/00 ,  B05D7/24

Abstract: 本发明公开了一种具有垂直孔道的SBA-15多孔薄膜的制备方法，其以P123、SDS和C16TMAB混合作为三元表面活性剂，以酸化硅酸钠作为硅源，将两者混合制备模板溶液后，利用简单的旋涂成膜工艺技术，在硅片衬底上制备薄膜层，再通过干燥、焙烧除去其中的三元表面活性剂后，经水热处理制得具有垂直孔道的SBA-15多孔薄膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，所得具有垂直结构的SBA-15薄膜能够应用于光电器件和锂电池方面的制备。

公开(公告)号：CN108102643A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201810061802.1

申请日：2018-01-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  郑康 ,  陆干臻 ,  赵志伟 ,  胡海龙 ,  叶芸 ,  陈耿旭 ,  李福山 ,  林俊杰

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/88 ,  C09K11/66 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B29C41/04

CPC classification number: C09K11/025 ,  B29C41/04 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C09K11/664 ,  C09K11/883

Abstract: 本发明公开了一种基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光薄膜的制备方法。其先制备具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜，随后再以其为模板，通过旋涂的方式灌入量子点前驱体溶液，使量子点在SBA‑15薄膜的垂直孔道中形成，再在其表面旋涂一层高分子聚合物进行封装，从而形成所述基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光薄膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过SBA‑15的孔道限域作用，可使形成的量子点具有粒径均一、单色性好等优势。