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公开(公告)号:CN109637992B
公开(公告)日:2020-07-21
申请号:CN201811352193.1
申请日:2015-04-15
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L27/146 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置及其制造方法,所述半导体装置包括:第一半导体元件,具有第一电极、设置在所述第一电极上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第二金属层和钝化层;第二半导体元件,具有第二电极;以及微凸块,设置在所述第一半导体元件与所述第二半导体元件之间,所述钝化层覆盖所述第一金属层和所述第二金属层各自的至少一部分。
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公开(公告)号:CN101989609A
公开(公告)日:2011-03-23
申请号:CN201010233877.7
申请日:2010-07-22
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本发明公开了固体摄像器件及固体摄像器件制造方法。该固体摄像器件包括:第一基板,它包括用于对入射光进行光电转换的感光部和设置在光入射侧上的布线部;透光性第二基板,它以指定间隔设置在所述第一基板的布线部侧上;贯通孔,它设置在所述第一基板中;贯通连接部,它设置在所述贯通孔中;正面侧电极,它与所述贯通连接部连接并设置在所述第一基板的正面上;背面侧电极,它与所述贯通连接部连接并设置在所述第一基板的背面上;以及停止电极,它设置在所述正面侧电极上,并填充所述正面侧电极与所述第二基板之间的空间。本发明能够容易地形成滤色器层和微透镜,且能够通过能量束加工工艺在固体摄像器件的基板中形成将要设有贯通连接部的贯通孔。
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