半导体装置及其制造方法
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109637992B

    公开(公告)日:2020-07-21

    申请号:CN201811352193.1

    申请日:2015-04-15

    Applicant: 索尼公司

    Abstract: 本发明提供了一种半导体装置及其制造方法,所述半导体装置包括:第一半导体元件,具有第一电极、设置在所述第一电极上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第二金属层和钝化层;第二半导体元件,具有第二电极;以及微凸块,设置在所述第一半导体元件与所述第二半导体元件之间,所述钝化层覆盖所述第一金属层和所述第二金属层各自的至少一部分。

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