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公开(公告)号：CN113097240B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202110188871.0
申请日：2014-09-19
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L25/065 , H01L23/488 , H01L21/60
摘要： 本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有：上侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层；以及下侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层，所述下侧基板被接合至所述上侧基板。此外，在所述上侧基板中形成有引线接合用或探测用焊盘，而且，在位于所述引线接合用或探测用焊盘与所述下侧基板的所述Si基板之间的各个所述布线层中以呈放射状层叠的方式设置有用于保护所述引线接合用或探测用焊盘的拐角部分或侧边部分的焊盘。本技术能够被应用于固体摄像器件。
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公开(公告)号：CN101989609B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201010233877.7
申请日：2010-07-22
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/82
CPC分类号： H01L27/14632 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14685 , H01L27/14687
摘要： 本发明公开了固体摄像器件及固体摄像器件制造方法。该固体摄像器件包括：第一基板，它包括用于对入射光进行光电转换的感光部和设置在光入射侧上的布线部；透光性第二基板，它以指定间隔设置在所述第一基板的布线部侧上；贯通孔，它设置在所述第一基板中；贯通连接部，它设置在所述贯通孔中；正面侧电极，它与所述贯通连接部连接并设置在所述第一基板的正面上；背面侧电极，它与所述贯通连接部连接并设置在所述第一基板的背面上；以及停止电极，它设置在所述正面侧电极上，并填充所述正面侧电极与所述第二基板之间的空间。本发明能够容易地形成滤色器层和微透镜，且能够通过能量束加工工艺在固体摄像器件的基板中形成将要设有贯通连接部的贯通孔。
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公开(公告)号：CN110797320B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201910897516.3
申请日：2014-09-19
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L27/146
摘要： 本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有：第一基板，其具有多个布线层；以及第二基板，其具有多个布线层，并且被接合至第一基板，其中，在第一基板和第二基板中的一个基板中设置有焊盘，在焊盘与以最靠近另一个基板的方式位于所述另一个基板侧上的布线层之间在各布线层中设置有由金属形成的金属布线，并且在与所述焊盘或所述金属布线相邻的位于所述另一个基板侧上的布线层中，在处于上一层中的所述焊盘或所述金属布线的至少拐角部分处设置有其它的金属布线，其中，所述其它的金属布线在所述拐角部分处与处于所述上一层中的所述焊盘或所述金属布线的边缘重叠。本技术能够被应用于固体摄像器件。
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公开(公告)号：CN113097240A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110188871.0
申请日：2014-09-19
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L25/065 , H01L23/488 , H01L21/60
摘要： 本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有：上侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层；以及下侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层，所述下侧基板被接合至所述上侧基板。此外，在所述上侧基板中形成有引线接合用或探测用焊盘，而且，在位于所述引线接合用或探测用焊盘与所述下侧基板的所述Si基板之间的各个所述布线层中以呈放射状层叠的方式设置有用于保护所述引线接合用或探测用焊盘的拐角部分或侧边部分的焊盘。本技术能够被应用于固体摄像器件。
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公开(公告)号：CN105580136B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201480053552.7
申请日：2014-09-19
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/00 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/14
摘要： 本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有：上侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层；以及下侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层，所述下侧基板被接合至所述上侧基板。此外，在所述上侧基板中形成有引线接合用或探测用焊盘，而且，在位于所述引线接合用或探测用焊盘与所述下侧基板的所述Si基板之间的各个所述布线层中以呈放射状层叠的方式设置有用于保护所述引线接合用或探测用焊盘的拐角部分或侧边部分的焊盘。本技术能够被应用于固体摄像器件。
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公开(公告)号：CN104422972A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410395862.9
申请日：2014-08-12
申请人： 索尼公司
IPC分类号： G02B1/118
CPC分类号： G03F1/00 , G02B1/118 , G02B5/1809 , G02B27/0018 , G03F7/70308
摘要： 本申请涉及光学元件、摄像装置、光学设备、原盘及制造方法，其中，一种光学元件封装件包括其上设置多个结构的表面。所述多个结构被设置为以等于或小于可见光的波长的间隔从晶格点在随机方向上摆动。
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公开(公告)号：CN110797320A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201910897516.3
申请日：2014-09-19
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L27/146
摘要： 本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有：第一基板，其具有多个布线层；以及第二基板，其具有多个布线层，并且被接合至第一基板，其中，在第一基板和第二基板中的一个基板中设置有焊盘，在焊盘与以最靠近另一个基板的方式位于所述另一个基板侧上的布线层之间在各布线层中设置有由金属形成的金属布线，并且在与所述焊盘或所述金属布线相邻的位于所述另一个基板侧上的布线层中，在处于上一层中的所述焊盘或所述金属布线的至少拐角部分处设置有其它的金属布线，其中，所述其它的金属布线在所述拐角部分处与处于所述上一层中的所述焊盘或所述金属布线的边缘重叠。本技术能够被应用于固体摄像器件。
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公开(公告)号：CN105580136A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480053552.7
申请日：2014-09-19
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/00 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/14
摘要： 本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有：上侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层；以及下侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层，所述下侧基板被接合至所述上侧基板。此外，在所述上侧基板中形成有引线接合用或探测用焊盘，而且，在位于所述引线接合用或探测用焊盘与所述下侧基板的所述Si基板之间的各个所述布线层中以呈放射状层叠的方式设置有用于保护所述引线接合用或探测用焊盘的拐角部分或侧边部分的焊盘。本技术能够被应用于固体摄像器件。
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公开(公告)号：CN101989609A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN201010233877.7
申请日：2010-07-22
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/82
CPC分类号： H01L27/14632 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14685 , H01L27/14687
摘要： 本发明公开了固体摄像器件及固体摄像器件制造方法。该固体摄像器件包括：第一基板，它包括用于对入射光进行光电转换的感光部和设置在光入射侧上的布线部；透光性第二基板，它以指定间隔设置在所述第一基板的布线部侧上；贯通孔，它设置在所述第一基板中；贯通连接部，它设置在所述贯通孔中；正面侧电极，它与所述贯通连接部连接并设置在所述第一基板的正面上；背面侧电极，它与所述贯通连接部连接并设置在所述第一基板的背面上；以及停止电极，它设置在所述正面侧电极上，并填充所述正面侧电极与所述第二基板之间的空间。本发明能够容易地形成滤色器层和微透镜，且能够通过能量束加工工艺在固体摄像器件的基板中形成将要设有贯通连接部的贯通孔。
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