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公开(公告)号：CN108336104B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201810223772.X
申请日：2015-01-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
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公开(公告)号：CN110649052B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201910872242.2
申请日：2015-01-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
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公开(公告)号：CN107425028B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201710300184.7
申请日：2012-03-02
Applicant: 索尼公司
Inventor： 长田昌也
IPC: H01L27/146 , H01L21/768
Abstract: 本公开涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：半导体基板，包括半导体；电极层，形成在所述半导体基板的第一表面侧上；导体层，形成在所述半导体基板的所述第一表面上；孔，形成为从所述半导体基板的第二表面穿过所述半导体基板和所述电极层至所述导体层；以及配线层，其形成于所述孔中，通过所述导体层在所述半导体基板的所述第一表面上方的一个位置电连接至所述电极层，并且延伸至所述半导体基板的所述第二表面，所述配线层通过设置在所述配线层和所述电极层之间的绝缘层从所述电极层物理分离。
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公开(公告)号：CN108336104A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810223772.X
申请日：2015-01-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L31/0203 , H01L2224/11
Abstract: 本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
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公开(公告)号：CN105593995A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480052465.X
申请日：2014-12-12
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/13
Abstract: 一种半导体器件，其包括：第一半导体基板(12)和第二半导体基板(11)，在所述第一半导体基板中形成有像素区域(21)，所述像素区域内二维布置有进行光电转换的像素部(51)，在所述第二半导体基板中形成有逻辑电路，所述逻辑电路处理从所述像素部输出的像素信号，所述第一半导体基板与所述第二半导体基板被层叠。在所述第一半导体基板的所述像素区域内的片上透镜(16)上布置有保护所述片上透镜的保护基板(18)，所述片上透镜与所述保护基板之间插入有密封树脂(17)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113793858A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110953737.5
申请日：2014-12-12
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及半导体器件。该半导体器件可包括：第一半导体基板和第二半导体基板，在所述第一半导体基板中形成有像素区域，在所述像素区域内二维布置有进行光电转换的像素部，在所述第二半导体基板中形成有用于处理从所述像素部输出的像素信号的逻辑电路，所述第一半导体基板与所述第二半导体基板被层叠，其中，在所述第一半导体基板的所述像素区域内的片上透镜上布置有用于保护所述片上透镜的保护基板，在所述保护基板与所述片上透镜之间设置有密封树脂。
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公开(公告)号：CN107256849B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201710161464.4
申请日：2012-05-17
Applicant: 索尼公司
Inventor： 长田昌也
IPC: H01L23/48 , H01L27/146 , H01L21/66 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：基底材料部分，包括半导体基板和形成在该半导体基板的一个面上的绝缘膜，而且沿着半导体基板的厚度方向于该基底材料部分形成竖直孔；竖直孔配线部分，包括形成在该基底材料部分的形成该竖直孔的侧壁上的竖直孔电极；金属膜，形成在该绝缘膜内，并且电连接到竖直孔配线部分；以及导电保护膜，形成为与该绝缘膜内的该金属膜接触，并且形成在包括探针测试期间的探针接触区域的区域中，该探针测试于制造过程中在该金属膜的膜表面上进行。
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公开(公告)号：CN109155117A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780031263.0
申请日：2017-04-14
Applicant: 索尼公司
Abstract: 实现芯片面积的更大减少。本发明提供一种显示模块，设置有：显示装置，在基板的上表面上具有由用于显示图像的多个像素的阵列而形成的像素区域、用于与外部交换与像素有关的信号的装置侧信号电极设置在基板的侧表面上；以及模块壳体，用于容纳显示装置，模块壳体在面向装置侧信号电极的位置处具有电连接至装置侧信号电极的壳体侧信号电极。
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公开(公告)号：CN107425028A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710300184.7
申请日：2012-03-02
Applicant: 索尼公司
Inventor： 长田昌也
IPC: H01L27/146 , H01L21/768
Abstract: 本公开涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：半导体基板，包括半导体；电极层，形成在所述半导体基板的第一表面上；导体层，形成在所述半导体基板的所述第一表面上；孔，形成为从所述半导体基板的第二表面穿过所述半导体基板至导体层；以及配线层，其通过导体层在所述半导体基板的第一表面上方的一个位置电连接至电极层，并且延伸至半导体基板的第二表面，配线层通过设置在配线层和电极层之间的绝缘层从电极层物理分离。
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公开(公告)号：CN113793858B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202110953737.5
申请日：2014-12-12
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及半导体器件。该半导体器件可包括：第一半导体基板和第二半导体基板，在所述第一半导体基板中形成有像素区域，在所述像素区域内二维布置有进行光电转换的像素部，在所述第二半导体基板中形成有用于处理从所述像素部输出的像素信号的逻辑电路，所述第一半导体基板与所述第二半导体基板被层叠，其中，在所述第一半导体基板的所述像素区域内的片上透镜上布置有用于保护所述片上透镜的保护基板，在所述保护基板与所述片上透镜之间设置有密封树脂。
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