-
公开(公告)号：CN105022875A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510412969.4
申请日：2015-07-14
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明涉及一种考虑辐照偏置电压动态变化的CMOS电路总剂量效应仿真方法，包括单管损伤模型建立的步骤、对待研究CMOS电路执行瞬态仿真，描述不同辐照偏置电压对氧化层中空穴产额的影响，并建立辐照偏置电压与测试用辐照电压之间的关系的步骤、结合单管损伤模型利用线性差值求取累积剂量等于步骤2.4)所求取的等效累积剂量时的电路中单管器件的电学性能退化的步骤。本发明能够考虑到辐照过程中偏置状况动态、多样变化的实际情况，实现了利用单一辐照偏置下实测单管的电学性能退化数据推算出任意辐照偏置下单管，以及辐照过程中处于任意工作模式、由大量辐照过程中偏置情况各异单管所组成集成电路的实际性能退化。
-
公开(公告)号：CN103198198B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201310136376.0
申请日：2013-04-18
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 一种针对高频电路的单粒子瞬态效应注入仿真方法通过建立被重离子入射的晶体管的器件模型、求解半导体器件数值计算模型方程以获取器件模型的I-V特性曲线、开展器件模型的I-V特性校准、对半导体器件数值计算模型添加重离子导致的单粒子效应物理模型、通过数值计算获取不同栅宽晶体管在不同重离子LET值和不同漏极偏置下的漏极瞬态电流随时间的变化曲线；根据变化曲线建立晶体管单粒子瞬态特性数据库、利用电路仿真程序的Verilog-A模块完成晶体管单粒子瞬态特性数据库与电路模型之间的数据交换等步骤实现单粒子瞬态效应注入，较好地改进了器件/电路混合仿真耗时长和收敛难的问题。
-
公开(公告)号：CN103198198A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310136376.0
申请日：2013-04-18
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 一种针对高频电路的单粒子瞬态效应注入仿真方法通过建立被重离子入射的晶体管的器件模型、求解半导体器件数值计算模型方程以获取器件模型的I-V特性曲线、开展器件模型的I-V特性校准、对半导体器件数值计算模型添加重离子导致的单粒子效应物理模型、通过数值计算获取不同栅宽晶体管在不同重离子LET值和不同漏极偏置下的漏极瞬态电流随时间的变化曲线；根据变化曲线建立晶体管单粒子瞬态特性数据库、利用电路仿真程序的Verilog-A模块完成晶体管单粒子瞬态特性数据库与电路模型之间的数据交换等步骤实现单粒子瞬态效应注入，较好地改进了器件/电路混合仿真耗时长和收敛难的问题。
-
公开(公告)号：CN103018659A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210488457.2
申请日：2012-11-26
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G01R31/303
摘要： 本发明涉及一种处理器单粒子效应的频率响应的测试系统及方法，包括被测处理器、被测处理器I/O管脚配置系统、中心控制系统等。被测处理器I/O管脚配置系统是中心控制系统与不同处理器之间的接口，它是由现场可编程门阵列（FPGA）实现；中心控制系统负责控制整个测试系统各元件之间协调工作，并完成对测试数据的部分处理；它与上位机之间通过高速数据传输系统连接，实现与上位置之间的实时通信。该系统及方法可以实现不同类型处理器工作频率的连续可调，测试不同处理器的单粒子闩锁效应、单粒子翻转效应、单粒子瞬态效应的敏感工作频率窗口，为高频、超大规模的集成电路单粒子效应全面考核提供了平台。
-
公开(公告)号：CN114882935B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202210433274.4
申请日：2022-04-22
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明涉及一种NAND闪存的实时测试方法及系统，具体涉及一种NAND闪存的辐射效应实时测试方法、系统及终端设备，解决NAND闪存辐射效应实时测试系统及测试流程，面对现有的NAND闪存辐射效应实验研究需求，难以灵活、高效地实现NAND闪存辐射效应实时测试，导致影响准确评估NAND闪存抗辐射性能的技术问题。本发明一种NAND闪存的辐射效应实时测试系统中，指令执行模块通过指令缓存双端口RAM中缓存的执行指令序列、地址缓存双端口RAM中缓存的地址序列、数据缓存双端口RAM中缓存的数据序列以及指令执行模块、地址生成模块、控制时序生成模块和测试数据对比模块的存储器中缓存的设置指令，实现了NAND闪存测试时序、测试流程的灵活设置及NAND闪存抗辐射性能的准确评估。
-
公开(公告)号：CN115795870A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211524138.2
申请日：2022-11-29
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G06F30/20 , G06F30/17 , G06F111/14
摘要： 本发明涉及一种区分纳米MOSFET器件单粒子瞬态不同电荷收集机制的方法。克服传统电荷收集机制研究方法计算精度较低、无法区分源漏导通和双极放大机制以及无法给出不同电荷收集机制的物理过程的问题。包括器件单粒子瞬态仿真、分析单粒子瞬态漏端接触电荷收集机制以及获得不同电荷收集机制的电荷量以及各个电荷收集机制对单粒子瞬态漏端接触总电荷收集量贡献的步骤。通过分析器件内部电学参数的变化，从微观原理上来区分不同电荷收集机制，使得不仅可以准确的计算各种电荷收集机制对总电荷收集量的贡献，还可以给出电荷收集的微观物理过程，可以为器件抗单粒子瞬态加固提供针对性的理论指导。
-
公开(公告)号：CN115600473A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211380003.3
申请日：2022-11-04
申请人： 西北核技术研究所(CN)
IPC分类号： G06F30/25 , G06F119/02
摘要： 本发明涉及空间辐射效应及加固技术领域，具体涉及一种实验与仿真相结合的单粒子翻转再恢复分析方法，用于解决现有针对单粒子翻转再恢复的数值仿真未考虑周围存储单元的耦合作用，无法准确预测翻转再恢复对多单元翻转的影响，以及由于单粒子翻转再恢复在存储阵列中的发生位置是随机的，同时其过程持续时间很短，响应过程难以通过实验直接获取的不足之处。该实验与仿真相结合的单粒子翻转再恢复分析方法将实验和仿真有机结合，实现重离子宽束实验、重离子微束实验和数值仿真的优势互补，可更全面细致地揭示单粒子翻转再恢复的产生机理和影响因素。
-
公开(公告)号：CN114611456A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210417667.6
申请日：2022-04-20
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G06F30/398 , G06F111/10 , G06F115/02 , G06F119/02
摘要： 本发明属于半导体器件单粒子效应仿真领域，尤其涉及一种模拟粒子入射下纳米器件单粒子瞬态响应的方法。克服基于传统数值仿真模拟不能准确得到纳米器件对不同粒子的单粒子瞬态响应的难题。本发明利用Geant4仿真计算出的电荷密度分布作为重离子参数导入到纳米器件模型中进行器件单粒子效应仿真，得到入射粒子在器件中产生的单粒子瞬态响应。相比与传统TCAD仿真中只能比较LET值对器件单粒子瞬态的影响，本发明可以直接比较能量和粒子种类变化对器件单粒子瞬态的影响。同时本方法通过仿真发现，对于纳米器件，不同粒子在LET值相同，由于其径向分布不同，其单粒子瞬态响应差别较大。所以利用本方法可以更加准确的评估器件在不同辐射环境下的辐射效应。
-
公开(公告)号：CN108508351B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201810278455.8
申请日：2018-03-30
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明涉及一种基于双‑双指数电流源的单粒子故障注入仿真方法，包括1)单管辐射模型建立与参数提取；2)对CMOS工艺反相器电路执行器件与电路混合仿真，选取的入射离子LET值，获取单粒子瞬态脉冲电流；3)在目标电路故障注入节点插入如下形式的双‑双指数电流源的步骤，考虑电路实际的负载情况，通过增加一个双指数电流源来增加仿真精度，在保证注入脉冲波形正确的前提下提高注入电荷总量的准确度，解决了传统故障注入方法在瞬态电流注入时参数提取复杂、高估注入电荷总量、非常耗时的技术问题。
-
公开(公告)号：CN106813637B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201611245767.6
申请日：2016-12-29
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G01B21/00 , G01R31/26 , G01R31/265
摘要： 本发明提供一种脉冲激光单粒子效应背辐照定位方法，通过测量管芯和待测区域顶点坐标，利用绘图软件做出管芯正面平面图，经过对正面平面图两次旋转操作、一次镜像操作和一次平移操作得到背面辐照时待测区域的位置坐标。本发明发明可以在没有红外成像系统的情况下，从芯片背面对从正面指定的待测区域定位并进行辐照实验；节省了脉冲激光装置背辐照光路系统的购置和改造费用，降低了实验成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
63 条记录 (耗时 0.027 秒)