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公开(公告)号：CN111265706B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010097556.2
申请日：2020-02-17
申请人： 西安交通大学
发明人： 李虞锋
摘要： 本发明公开了一种人机共存的针对空间上层空气杀菌的人机共存的紫外LED辐照系统，包括杀菌设备，杀菌设备包括设备外壳、紫外光源组件和辐照角度控制器，紫外光源组件安装在设备外壳内；所述紫外光源组件包括紫外LED灯珠、封装基体和电路板，紫外LED灯珠封装在封装基体内，多个封装基体安装在电路板上；所述辐照角度控制器带动电路板转动以调节紫外光源的辐射角度。壳体辐射外表面装有百叶窗结构，进一步准直辐射角度；本发明的杀菌设备易于调整辐射角度以提供适合于各种天花板高度的辐射场，可以适用于层高较高的，例如健身、体育场所，或者室内表演等场所。
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公开(公告)号：CN107681025B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201710818343.2
申请日：2017-09-12
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明一种GaN基白光LED外延结构及制备方法，该制备方法包括以下步骤：使用反应磁控溅射在稀土元素掺杂YAG陶瓷或单晶衬底上制备单晶或多晶氮氧化铝、氮化铝双层缓冲层；使用金属有机化学气相沉积在所述单晶或多晶氮化铝缓冲层上生长GaN基LED外延结构，其中，GaN基LED外延结构自下而上依次为低温GaN缓冲层、高温GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源区、P型GaN层和高掺杂P型电极接触层。本发明制备的GaN基白光LED外延结构可以非常精确地控制荧光材料的掺杂、厚度和质量等光学特型和物理特性，实现重复率非常高、均匀度非常好的荧光材料集成，并解决传统点胶(涂覆)型白光LED中荧光粉、胶体散射导致的光损失与荧光粉受热退化造成的光效降低、色坐标偏移的问题。
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公开(公告)号：CN106206875B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201610675450.X
申请日：2016-08-16
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开一种柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二级管及其制作方法，属于半导体技术领域。金字塔结构是在激光打孔得到的蓝宝石衬底上直接生长的，不仅操作简便而且形成3D的孔结构可用于减小位错和应力，并且相互分立的金字塔阵列为实现无机的柔性LED提供了可能性；通过沉积透明导电薄膜保证p面金字塔电流分布的均匀性；用绝缘材料填充金字塔之间的空隙，以实现金字塔的平整化；采用石墨烯等新型材料实现金字塔之间的电学相连，同时将石墨烯转移和衬底转移步骤合二为一，在简化工艺的同时保证了石墨烯的完整性；巧妙利用了激光打孔伸生长的金字塔结构背面的凸起，在无需掩膜的情况下可实现局域性光刻，以及量子阱的侧壁保护以及u‑GaN的刻蚀。
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公开(公告)号：CN106206875A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610675450.X
申请日：2016-08-16
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开一种柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二级管及其制作方法，属于半导体技术领域。金字塔结构是在激光打孔得到的蓝宝石衬底上直接生长的，不仅操作简便而且形成3D的孔结构可用于减小位错和应力，并且相互分立的金字塔阵列为实现无机的柔性LED提供了可能性；通过沉积透明导电薄膜保证p面金字塔电流分布的均匀性；用绝缘材料填充金字塔之间的空隙，以实现金字塔的平整化；采用石墨烯等新型材料实现金字塔之间的电学相连，同时将石墨烯转移和衬底转移步骤合二为一，在简化工艺的同时保证了石墨烯的完整性；巧妙利用了激光打孔伸生长的金字塔结构背面的凸起，在无需掩膜的情况下可实现局域性光刻，以及量子阱的侧壁保护以及u-GaN的刻蚀。
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公开(公告)号：CN110893242B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201911206444.X
申请日：2019-11-29
申请人： 西安交通大学
发明人： 李虞锋
IPC分类号： A61L2/10
摘要： 一种体内置入式导管的原位紫外线杀菌系统，包括紫外线光源、紫外线光传输通道、光源‑通道耦合接口以及末端配件，紫外线光源与紫外线光传输通道的一端通过光源‑通道耦合接口相接，末端配件连接在紫外线光传输通道的另一端；紫外线光传输通道以及末端配件伸入体内置入式导管当中，光线沿紫外线光传输通道的纵向传播并辐照至体内置入式导管的管腔内表面，末端配件能够将沿着紫外线光传输通道轴向传播的紫外线向夹角方向反射或散射；通过紫外线光传输导管可以对主管内壁进行原位杀菌，通过末端配件可以对交叉分支管的内壁进行原位杀菌。本发明能够契合体内置入式导管的形状，具有小巧轻便，即开即用的移动式特点和高效、节能、环保、寿命长的优点。
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公开(公告)号：CN109755363B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910033423.6
申请日：2019-01-14
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种宽光谱半导体有源器件及其制造方法，该有源器件包括外延基底和形成于外延基底上的多层半导体结构；多层半导体结构包括依次形成于外延基底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层，以及分别与第一半导体层和第二半导体层直接或间接电连接的第一电极和第二电极。该制造方法包括步骤：制作外延结构；暴露出全部或部分第一半导体层，在暴露的第一半导体层上制作第一电极，在第二半导体层表面制作第二电极。本发明实现了半导体有源器件的宽光谱和多光谱辐射。
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公开(公告)号：CN108461581B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201710834934.9
申请日：2017-09-15
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种表面等离激元增强火山口型3D垂直结构LED结构及制备方法：通过在p‑GaN表面制作火山口型的表面等离激元耦合及三维量子阱发光阵列，在垂直结构LED器件中引入表面等离激元火山口型界面与量子阱发生耦合，不仅能够充分通过表面等离激元与量子阱的耦合提高垂直结构LED的内量子效率，而且能够利用火山口型耦合可以显著改善表面等离激元增强型LED器件的载流子注入效率。不仅如此，火山口型形貌和量子阱发光阵列三维排布设计，更有利于发光区激子能量耦合到表面等离激元后向外辐射出光子并从器件表面出射，因此，还能增强垂直结构LED器件的光提取效率。本发明所提出的3D多功能复合垂直结构LED结构，具有实际推广应用价值。
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公开(公告)号：CN110112276A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910360111.6
申请日：2019-04-30
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种可连续消毒的发光装置及其制备方法，利用可见光实现连续杀菌消毒。该装置包括LED芯片和作为光转换材料的碳纳米点，其可转换来自LED芯片的一部分光。从LED芯片发射的光和碳纳米点发射的光混合以形成组合光，组合光在大约390-420nm范围内测量的光谱能量的比例大于20％。该发光装置可在不危害人和其他动植物的前提下杀死细菌、真菌和病毒等微生物，从而实现持续性消毒。
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公开(公告)号：CN107634126B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201710818900.0
申请日：2017-09-12
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种垂直结构深紫外LED的复合功能P型电极及制备方法，该制备方法包括以下步骤：在清洗的AlGaN基深紫外外延片的P面上通过电子束蒸发或磁控溅射依次制备粘合层、反光镜层，通过光刻、纳米压印或纳米球掩模法制备三维功能图形掩模，再次制备三维复合功能层，清洗后最终依次制备填充层、隔离层和电极层。本发明制备的复合功能P型电极用于垂直结构及倒装结构AlGaN级深紫外LED，可以提供高效的深紫外波段光反射率，在激光剥离时可以对外延层提供支撑并且实现应力无损释放。
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公开(公告)号：CN106098875B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201610676896.4
申请日：2016-08-16
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开的一种无荧光粉的白光金字塔阵列氮化镓基半导体发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域，该方法主要包括激光打孔尺寸的选择，金字塔的生长，器件的制作三部分。本发明提出了一种通过调控金字塔塔顶面积和塔面面积比的方式，调控短波长和长波长的光强比；还可通过缩小孔间距实现两个金字塔的相连，从而进一步调控塔顶对应的波长。多波长的结构为实现高显指的白光LED提供了可能性。本发明的工艺简单，对波长的调控可通过简单的更改打孔尺寸以及打孔间距实现。除此之外，本发明采用的是分立的金字塔结构，也可用于实现可弯折的柔性白光LED。
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