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公开(公告)号：CN108767073B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201810636339.9
申请日：2018-06-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明一种表面等离激元增强半导体有源器件及其制造方法，该有源器件包括基体和形成于基体上的多层半导体结构；多层半导体结构包括依次形成于基体上的第一半导体层、有源层、第二半导体层和表面等离激元耦合层，以及分别与第一半导体层和第二半导体层直接或间接电连接的第一电极和第二电极。该方法包括步骤：制作外延结构；在第二半导体层的多量子阱层表面制作表面等离激元层；在表面等离激元层上制作第二电极；暴露出全部或部分第一半导体层，作为制作第一电极的接触层；暴露的第一半导体层的电接触层位置上制作第一电极；在第一半导体层表面非电极区域制作波长配比选择膜层。本发明实现了宽光谱或多光谱辐射，以及无荧光粉单芯片白光辐射。
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公开(公告)号：CN109755363A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910033423.6
申请日：2019-01-14
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种宽光谱半导体有源器件及其制造方法，该有源器件包括外延基底和形成于外延基底上的多层半导体结构；多层半导体结构包括依次形成于外延基底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层，以及分别与第一半导体层和第二半导体层直接或间接电连接的第一电极和第二电极。该制造方法包括步骤：制作外延结构；暴露出全部或部分第一半导体层，在暴露的第一半导体层上制作第一电极，在第二半导体层表面制作第二电极。本发明实现了半导体有源器件的宽光谱和多光谱辐射。
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公开(公告)号：CN103700746B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310665417.5
申请日：2013-12-10
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种发光半导体器件，包括N型半导体和依次设置于N型半导体一侧上的有源区、P型半导体和P电极，P型半导体具有粗糙表面，且在P型半导体的粗糙表面上采用PVD镀有光提取镀层，N电极设置于N型半导体另一侧上；当N电极设置于N型半导体上且与P电极同侧时，衬底设置于N型半导体另一侧上。本发明通过在P型半导体上制作粗糙表面，以及采用PVD在该P型半导体的粗糙表面镀有光提取镀层，使得发光半导体器件的出光效率至少提高了5%。
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公开(公告)号：CN105489717A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610015372.0
申请日：2016-01-11
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/02 , H01L33/36 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构LED芯片的制备工艺，包括以下步骤：1)在键合衬底表面上制备第一键合金属层；2)利用第一次光刻在氮化镓体系外延层的单位区域上依次制备反射镜、P面欧姆接触金属层和第二键合金属层；3)将第一键合金属层与第二键合金属层键合在一起；4)制备得到湿法腐蚀保护层；5)获得氮化镓体系外延层有效工作区域；6)在氮化镓体系外延层有效工作区域、反射镜、P面欧姆接触金属层和第二键合金属层的周向上制备得到钝化保护层；7)利用第三次光刻在氮化镓体系外延层有效工作区域上暴露出N电极层区域，然后利用湿法腐蚀方法将该处钝化保护层去除，在N电极层区域制备N面电极层，得到垂直结构LED芯片。
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公开(公告)号：CN103700752A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310665416.0
申请日：2013-12-10
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: H01L24/17 , H01L24/11 , H01L24/81 , H01L33/62 , H01L2224/116 , H01L2224/11622 , H01L2224/17
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构LED芯片的凸点键合结构及工艺，凸点键合结构包括外延片、衬底和凸点阵列结构；凸点阵列结构设置于外延片和衬底之间；所述外延片上设有一层金属镀层，所述凸点阵列结构一端与所述金属镀层键合，另一端连接所述衬底；或者，所述衬底上设有一层金属镀层，所述凸点阵列结构一端与所述金属镀层键合，另一端连接所述外延片；凸点阵列结构中填充有丙烯酸类或环氧类树脂。本发明中衬底与外延片键合后形成“占空比结构”键合层，填充键合层后形成稳定键合结构，从而降低外延层与衬底之间的应力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110478502A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910631654.7
申请日：2019-07-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种全角度的医疗器械深紫外消毒杀菌装置，包括外壳，设置在外壳顶部的上盖，以及设置在外壳内的内胆；其中，上盖外侧设置有控制器，内侧设置有安全感应装置和第一紫外灯带；外壳上边缘附近和下边缘附近分别开设有上水口和下水口，且外壳内底部设置有超声震动装置；内胆外壁上设置有加热带和第二紫外灯带，内胆内设置有清洗框；控制器分别用于控制第一紫外灯带、安全感应装置、超声震动装置、加热带和第二紫外灯带工作。本发明配有定时控制、超声清洗、热烘干、深紫外杀菌及存放功能，杀菌过程配有全程深紫外杀菌功能。超声清洗功能可震荡出器械边角缝隙的细菌及脏污，在清洗过程中同时采用紫外杀菌，可最大程度清洗器械边角缝隙。
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公开(公告)号：CN110384811A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910630620.6
申请日：2019-07-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种球形深紫外LED生活消毒设备，包括透明的圆球塑料硬质基板，以及设置在透明的圆球塑料硬质基板内的内部深紫外发光结构；其中，所述内部深紫外发光结构包括塑料支撑基板以及固定在塑料支撑基板上的深紫外大功率LED灯珠，LED灯珠开关，可循环使用的LED蓄电器，以及LED电线组；所述深紫外大功率LED灯珠与控制其开启或关闭的LED灯珠开关通过LED电线组连接；所述LED灯珠开关与可循环使用的LED蓄电器通过LED电线组相连。本发明主体的为透明质地，而且坚硬耐水，便于放在洗衣机筒里与衣物一起搅拌来实现杀毒消菌的作用。并且设备为较小的球形，能够便于携带，同时也可以应用在水消毒等其它一系列消毒上。
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公开(公告)号：CN107611231B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710776199.0
申请日：2017-08-31
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压印制备具有表面等离子体的垂直结构的发光二极管的方法，包括：1)在蓝宝石衬底表面上生长外延层，并于外延层上制备第一层粘合层，同时在转移衬底表面上制备第二层粘合层；2)将第一层粘合层和第二层粘合层连接在一起，然后将蓝宝石衬底和外延层分离开；3)利用纳米压印技术，在外延层的表面上制备微纳尺寸图形，将微纳尺寸图形转移到外延层上形成微纳孔洞，并在转移到外延层之上的微纳孔洞内制备形成表面等离子体共振耦合金属；4)利用干法刻蚀工艺，将剥离后的外延层刻蚀到N型重掺杂层，再在该N型重掺杂层上制备N型欧姆接触电极，最后在芯片表面制备钝化保护层，完成表面等离子体垂直结构发光二极管的制备。
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公开(公告)号：CN107579139B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201710773937.6
申请日：2017-08-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构半导体器件的制造方法，包括以下步骤：1)在蓝宝石衬底表面上生长外延层，并将外延层进行单元区域划分；2)在单元区域内填充导电绝缘材料；3)分别在外延层和转移衬底上制备第一层粘合层和第二层粘合层，并将其粘合在一起；4)按照逆时针或顺时针方向，利用单光束或双光束激光辐照方式，由外向内直线渐进式扫描方式进行逐点扫描，实现蓝宝石衬底和外延层剥离；5)利用芯片工艺暴露出N型材料表面，并于制备电极和钝化保护层，最终完成器件制备。
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公开(公告)号：CN108767073A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810636339.9
申请日：2018-06-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明一种表面等离激元增强半导体有源器件及其制造方法，该有源器件包括基体和形成于基体上的多层半导体结构；多层半导体结构包括依次形成于基体上的第一半导体层、有源层、第二半导体层和表面等离激元耦合层，以及分别与第一半导体层和第二半导体层直接或间接电连接的第一电极和第二电极。该方法包括步骤：制作外延结构；在第二半导体层的多量子阱层表面制作表面等离激元层；在表面等离激元层上制作第二电极；暴露出全部或部分第一半导体层，作为制作第一电极的接触层；暴露的第一半导体层的电接触层位置上制作第一电极；在第一半导体层表面非电极区域制作波长配比选择膜层。本发明实现了宽光谱或多光谱辐射，以及无荧光粉单芯片白光辐射。
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