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公开(公告)号：CN114639752B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210233695.2
申请日：2022-03-09
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明属于光电半导体技术领域，公开一种紫外探测器‑紫外LED集成器件及制备方法。所述紫外探测器‑紫外LED集成器件，包括：紫外探测器以及设置于紫外探测器上的紫外LED器件；所述紫外探测器包括BN薄膜层和设置于BN薄膜层上的BAlN薄膜层；所述BN薄膜层和BAlN薄膜层上分别设置有第一叉指电极和第二叉指电极。本发明通过将紫外探测器和紫外LED器件集成，在紫外LED器件工作时，就能够直观的指示出紫外LED器件的工作状态，实时监控LED器件的工作状态和辐照强度，有效地为紫外LED工作人员及用户群体提供精确便利的判断依据和数据参考。
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公开(公告)号：CN117936669A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410099701.9
申请日：2024-01-24
申请人： 西安交通大学 , 东莞市傲雷移动照明设备有限公司
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，提供一种用于光学瞄准镜的多色切换发光芯片及其制备方法，所述发光芯片包括外延片；外延片自下而上依次包括衬底、底层外延层、有源层和顶层外延层；外延片的表面设置有刻蚀区和若干个同心布置的发射不同颜色光的一级发光区，刻蚀区铺设有绝缘介质层；各一级发光区之间由绝缘介质层隔开，对应每个一级发光区在顶层外延层上设置有电极；设一级发光区的个数为m，至少m‑1个一级发光区对应位置的顶层外延层上设置有对应颜色光的荧光膜层。本发明发光芯片作为光源应用于光学瞄准镜中时，通过控制不同发光区发光即可切换图形颜色，在无需设置机械切换装置的情况下实现不同颜色光的无阻切换。
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公开(公告)号：CN113333235A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110464781.X
申请日：2021-04-28
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种用于制备形状可控无菌伤口敷料的数字光固化旋涂仪，包括：在传统匀胶旋涂设备的基础上，加装数字光处理(DLP)设备，从而引入光引发系统；所述设备的主要结构包括：腔体模块、旋涂模块、紫外DLP模块、滴液模块和设备控制系统。本发明公开了所述设备的机械结构和控制程序。本发明的工作模式保留了旋涂法制备伤口敷料薄膜的优点，同时能够实现伤口敷料的紫外消毒和图案化光固化，省略凝胶伤口敷料制备过程中样品在旋涂设备与交联设备间的转移过程，有助于减少伤口敷料材料的损耗并大大提高制备效率，为制备形状可控的无菌伤口敷料提供便捷手段。
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公开(公告)号：CN111572980B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202010427136.6
申请日：2020-05-19
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种环保型深紫外杀菌智能配送箱，包括外套、箱盖、箱体、反射膜、磁控感应开关、温湿度传感器、深紫外LED杀菌模块、碳纤维发热模块以及主控装置；主控装置由配送电动车蓄电池供电，内部包括主控器、无线通信模块和功率变换模块，通过监测磁控感应开关、温湿度传感器的状态来分别控制深紫外LED杀菌模块、碳纤维发热模块的工作模式，并将箱体内部状态信息发送到云端管理系统和手机移动端。本发明解决了当前应用中：配送箱在配送过程中不能对外卖食品包装外表面杀菌和箱体内部保温，配送箱箱体内部状态不能实时监控等问题；实现配送箱的高效杀菌、智能控温、状态监测、集中管理，操作简单便捷，安全环保的技术效果。
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公开(公告)号：CN110212067B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201910405644.1
申请日：2019-05-16
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种三维腔双曲超材料增强的GaN基半导体发光器件，包括衬底、GaN外延层、负电极及正电极，其中，GaN外延层覆盖于衬底上，GaN外延层的表面上开设有三维腔，所述三维腔内填充有双曲超材料，以形成三维腔双曲结构，负电极位于n‑GaN的表面，正电极位于转移衬底上或者p‑GaN的表面，该半导体发光器件可实现在特定光谱范围内量子效率及光提取效率的提高。
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公开(公告)号：CN111155065B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010060218.1
申请日：2020-01-19
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开一种六方氮化硼薄膜的制备剥离及转移方法，通过磁控溅射的方式制备出六方氮化硼薄膜(h‑BN薄膜)，并采用溶液浸泡的物理方法，实现快速大面积的完整剥离。通过去离子水或碱性溶液的不同配比实现对h‑BN薄膜剥离速度的控制。本发明利用磁控溅射的方式制备h‑BN薄膜，工艺简单，且能够实现大面积均匀制备，易实现产业化生产，同时该剥离方法能够实现大面积完整无损剥离，剥离速度可控，为研究h‑BN薄膜特性及制备垂直结构大功率深紫外LED器件提供了重要基础。
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公开(公告)号：CN107681025B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201710818343.2
申请日：2017-09-12
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明一种GaN基白光LED外延结构及制备方法，该制备方法包括以下步骤：使用反应磁控溅射在稀土元素掺杂YAG陶瓷或单晶衬底上制备单晶或多晶氮氧化铝、氮化铝双层缓冲层；使用金属有机化学气相沉积在所述单晶或多晶氮化铝缓冲层上生长GaN基LED外延结构，其中，GaN基LED外延结构自下而上依次为低温GaN缓冲层、高温GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源区、P型GaN层和高掺杂P型电极接触层。本发明制备的GaN基白光LED外延结构可以非常精确地控制荧光材料的掺杂、厚度和质量等光学特型和物理特性，实现重复率非常高、均匀度非常好的荧光材料集成，并解决传统点胶(涂覆)型白光LED中荧光粉、胶体散射导致的光损失与荧光粉受热退化造成的光效降低、色坐标偏移的问题。
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公开(公告)号：CN107622977B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201710776207.1
申请日：2017-08-31
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种渐进式微米级蓝宝石衬底激光剥离工艺，包括以下步骤：1)在蓝宝石衬底表面上生长所需外延层，并根据所需将外延层进行单元区域划分；2)根据需要在单元区域之间填充导电绝缘材料：3)将外延层和转移衬底粘合在一起；4)按照逆时针或顺时针方向，利用单光束或双光束激光辐照方式，由外向内直线渐进式扫描方式进行逐点扫描，实现蓝宝石衬底和外延层分离，并获得良好的剥离效果。
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公开(公告)号：CN108588657A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810344986.2
申请日：2018-04-17
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开一种利用高射频功率制备ITO纳米线及其气体传感器的方法，包括：对衬底或陶瓷管进行预处理，然后置于磁控溅射腔中，调整溅射室气压和温度，并通入氩气和氧气的混合气体，利用磁控溅射的方式，在高频条件下轰击ITO靶材磁控溅射，进行一次生长，利用自催化原理在衬底或陶瓷管表面制备一层ITO纳米线。利用同样的方法可将ITO纳米线一步直接沉积到陶瓷管上制备气体传感器，陶瓷管两端具有电极引线，并且陶瓷管内部具有加热丝，可直接对传感器进行加热。本发明的优点在于纳米线生长速度快，制备过程简单、成本低，能够一步制备气体传感器，极大缩减制备工艺与流程，且材料具有良好的气敏特性，制备出的传感器对酒精表现出良好的灵敏度。
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公开(公告)号：CN106206875B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201610675450.X
申请日：2016-08-16
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开一种柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二级管及其制作方法，属于半导体技术领域。金字塔结构是在激光打孔得到的蓝宝石衬底上直接生长的，不仅操作简便而且形成3D的孔结构可用于减小位错和应力，并且相互分立的金字塔阵列为实现无机的柔性LED提供了可能性；通过沉积透明导电薄膜保证p面金字塔电流分布的均匀性；用绝缘材料填充金字塔之间的空隙，以实现金字塔的平整化；采用石墨烯等新型材料实现金字塔之间的电学相连，同时将石墨烯转移和衬底转移步骤合二为一，在简化工艺的同时保证了石墨烯的完整性；巧妙利用了激光打孔伸生长的金字塔结构背面的凸起，在无需掩膜的情况下可实现局域性光刻，以及量子阱的侧壁保护以及u‑GaN的刻蚀。
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