公开(公告)号：CN113862780A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202110939567.5

申请日：2021-08-16

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 许晟瑞 ,  王雨佳 ,  胡琳琳 ,  贠博祥 ,  杜金娟 ,  许文强 ,  张雅超 ,  张金凤 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： C30B25/12 ,  C30B25/16 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52

摘要： 本发明公开了一种应用于MOCVD设备的可伸缩基座，所述基座包括：基体、压力传感器、伸缩杆、控制装置；其中，所述基体包括母材和涂层；所述基体内部均匀的分布多个伸缩杆；所述压力传感器位于所述伸缩杆顶部；所述控制装置位于所述基体底部中间；所述控制装置内部署有数据处理模块；所述控制装置、压力传感器和伸缩杆部署有通信模块。所述基座能够根据压力信息进行智能伸缩，能够解决在外延生长时由于温度升高导致衬底与基座发生分离的现象，能够保证基座与衬底实时保持贴合状态，从而使衬底各处能够均匀加热，使衬底各处的温度均匀分布，以提高外延生长得到的半导体材料的晶体薄膜质量。

公开(公告)号：CN113471343A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110802199.X

申请日：2021-07-15

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 许晟瑞 ,  贠博祥 ,  许文强 ,  陶鸿昌 ,  王若冰 ,  张雅超 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

摘要： 本发明公开了一种基于ScAlGaN超强极化n型层的GaN绿光发光二极管及其制备方法，其自下而上包括：c面蓝宝石衬底、高温AlN成核层、非故意掺杂GaN层、第一n型GaN层、第二n型GaN层、InyGa1‑yN/GaN多量子阱、AlzGa1‑zN电子阻挡层、p型GaN层和p型电极，两个n型GaN层之间增设有超强极化n型层，第一n型GaN层上部的一侧设有n型电极，该超强极化n型层采用ScAlGaN/GaN多层结构，每个ScAlGaN层和它上面的GaN层组合为一个周期。本发明增大了n型层中掺杂Si的电离率同时缓解了电流拥挤效应，提高了器件的发光效率和可靠性，可用于制作高效率的GaN基绿光发光设备。

公开(公告)号：CN111816739A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN202010826165.X

申请日：2020-08-17

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 许晟瑞 ,  胡琳琳 ,  王学炜 ,  张雅超 ,  段小玲 ,  陈大正 ,  宁静 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L33/12 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

摘要： 本发明涉及一种基于氧化镓衬底的高效紫外发光二极管及制备方法，其中，该发光二极管包括：自下而上依次层叠的衬底层、AlN成核层、n型GaN层、量子阱层和p型BN层；第一电极，设置在n型GaN层的上表面；第二电极，设置在p型BN层的上表面；其中，衬底层为Ga2O3材料，AlN成核层采用磁控溅射工艺制备。本发明的基于氧化镓衬底的高效紫外发光二极管，选取Ga2O3作为衬底层，Ga2O3与GaN晶格失配小，减小了材料所受应力，提高了器件的发光效率，另外，采用p型BN来提供空穴，由于Mg在BN中离化率较高，电导率也较高，从而进一步提高了器件的发光效率。