公开(公告)号：CN117673138A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311697067.0

申请日：2023-12-11

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 陈大正 ,  李永军 ,  陈兴 ,  张春福 ,  赵胜雷 ,  王东 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种多级槽终端耐压结构的GaN HEMT器件及其制备方法，所述GaN HEMT器件包括从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的上表面设置有N个第一凹槽，N＞1；源极和漏极分别设置于AlGaN势垒层上表面的两端；介质层设置于AlGaN势垒层、源极和漏极上；栅极设置于介质层上，且N个第一凹槽和N个第二凹槽位于栅极和漏极之间。本发明的GaN HEMT器件在保证器件性能的同时，进一步通过重新分配栅极靠近漏极的高电场来延缓雪崩过程，提高GaN基功率器件的工作电压。

公开(公告)号：CN111816739B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202010826165.X

申请日：2020-08-17

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 许晟瑞 ,  胡琳琳 ,  王学炜 ,  张雅超 ,  段小玲 ,  陈大正 ,  宁静 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/12 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种基于氧化镓衬底的高效紫外发光二极管及制备方法，其中，该发光二极管包括：自下而上依次层叠的衬底层、AlN成核层、n型GaN层、量子阱层和p型BN层；第一电极，设置在n型GaN层的上表面；第二电极，设置在p型BN层的上表面；其中，衬底层为Ga2O3材料，AlN成核层采用磁控溅射工艺制备。本发明的基于氧化镓衬底的高效紫外发光二极管，选取Ga2O3作为衬底层，Ga2O3与GaN晶格失配小，减小了材料所受应力，提高了器件的发光效率，另外，采用p型BN来提供空穴，由于Mg在BN中离化率较高，电导率也较高，从而进一步提高了器件的发光效率。

公开(公告)号：CN111816739A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN202010826165.X

申请日：2020-08-17

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 许晟瑞 ,  胡琳琳 ,  王学炜 ,  张雅超 ,  段小玲 ,  陈大正 ,  宁静 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/12 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种基于氧化镓衬底的高效紫外发光二极管及制备方法，其中，该发光二极管包括：自下而上依次层叠的衬底层、AlN成核层、n型GaN层、量子阱层和p型BN层；第一电极，设置在n型GaN层的上表面；第二电极，设置在p型BN层的上表面；其中，衬底层为Ga2O3材料，AlN成核层采用磁控溅射工艺制备。本发明的基于氧化镓衬底的高效紫外发光二极管，选取Ga2O3作为衬底层，Ga2O3与GaN晶格失配小，减小了材料所受应力，提高了器件的发光效率，另外，采用p型BN来提供空穴，由于Mg在BN中离化率较高，电导率也较高，从而进一步提高了器件的发光效率。