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公开(公告)号：CN118575132A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202280089234.0
申请日：2022-12-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： S·F·伍伊斯特
Abstract: 本文中公开了一种用于光刻设备的衬底布置，该衬底布置包括：抗蚀剂；光敏的抗蚀剂下层；以及衬底；其中抗蚀剂下层的曝光阈值低于抗蚀剂的曝光阈值。抗蚀剂和抗蚀剂下层对EUV辐射都是光敏的。
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公开(公告)号：CN111433680B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN201880078584.0
申请日：2018-11-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： C·巴蒂斯塔奇斯 , S·A·米德尔布鲁克斯 , S·F·伍伊斯特
IPC: G03F7/20
Abstract: 披露了一种方法，涉及：获得用于模拟抗蚀剂中的图案的变形过程的抗蚀剂变形模型，所述抗蚀剂变形模型是被配置为模拟作用于所述抗蚀剂的流体内力的流体动力学模型；通过使用所述抗蚀剂变形模型来执行所述变形过程的计算机模拟，以获得针对至所述抗蚀剂变形模型的输入图案的经显影抗蚀剂图案的变形；以及产生表示针对所述输入图案的所述经显影抗蚀剂图案的所述变形的电子数据。
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公开(公告)号：CN113009782A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110243439.7
申请日：2015-12-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 公开了一种抗蚀剂组合物，其包括具有有着选自ABX3、A2BX4或ABX4的化学式的结构的钙钛矿材料，其中A是包含NH3基团的化合物，B是金属并且X是卤化物组分。钙钛矿材料可以包括以下成分中的一种或多种：混合卤素的钙钛矿材料；混合金属的钙钛矿材料，和混合有机配体的钙钛矿材料。
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公开(公告)号：CN111480119A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201880080607.1
申请日：2018-12-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G01N21/956 , H01L21/66
Abstract: 披露了一种预测形成于衬底上的多个特征的主导故障模式和/或故障率的方法，以及相关联的检查设备。所述方法包括：确定每个特征的放置指标，所述放置指标包括所述特征是否处于预期位置的量度；和比较所述放置指标的分布与参考(例如，高斯)分布。所述放置指标可以包括针对位于限定每个特征的边界上的多个边界点的边界指标，所述边界指标包括边界点是否处于预期位置的量度。根据所述比较来预测所述多个特征的所述主导故障模式和/或所述故障率。
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公开(公告)号：CN109154772A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780030963.8
申请日：2017-04-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W-P·福尔蒂森 , 玛丽亚-克莱尔·范拉尔 , S·F·伍伊斯特
IPC: G03F7/004
Abstract: 一种抗蚀剂组合物，所述抗蚀剂组合物包含：a)含金属的纳米颗粒和/或纳米簇，和b)配体和/或有机连接体，其中a)或b)中的一种或两者是多价的。一种抗蚀剂组合物，其中：i)所述抗蚀剂组合物是负性抗蚀剂，并且所述纳米颗粒和/或纳米簇在暴露于电磁辐射或电子束后所述配体和/或有机连接体交联时成簇；或ii)所述抗蚀剂组合物是负性抗蚀剂，并且所述配体和/或有机连接体是交联的，并且交联键在暴露于电磁辐射或电子束时断裂，使所述纳米颗粒和/或纳米簇成簇到一起；或所述抗蚀剂组合物是正性抗蚀剂，并且所述配体和/或有机连接体是交联的，并且交联键在暴露于电磁辐射或电子束时断裂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113009782B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202110243439.7
申请日：2015-12-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 公开了一种抗蚀剂组合物，其包括具有有着选自ABX3、A2BX4或ABX4的化学式的结构的钙钛矿材料，其中A是包含NH3基团的化合物，B是金属并且X是卤化物组分。钙钛矿材料可以包括以下成分中的一种或多种：混合卤素的钙钛矿材料；混合金属的钙钛矿材料，和混合有机配体的钙钛矿材料。
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公开(公告)号：CN115935854A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310013681.4
申请日：2018-11-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： C·巴蒂斯塔奇斯 , S·A·米德尔布鲁克斯 , S·F·伍伊斯特
IPC: G06F30/28 , G03F7/20 , G06F119/14
Abstract: 披露了一种方法，涉及：获得用于模拟抗蚀剂中的图案的变形过程的抗蚀剂变形模型，所述抗蚀剂变形模型是被配置为模拟作用于所述抗蚀剂的流体内力的流体动力学模型；通过使用所述抗蚀剂变形模型来执行所述变形过程的计算机模拟，以获得针对至所述抗蚀剂变形模型的输入图案的经显影抗蚀剂图案的变形；以及产生表示针对所述输入图案的所述经显影抗蚀剂图案的所述变形的电子数据。
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公开(公告)号：CN111480119B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201880080607.1
申请日：2018-12-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G01N21/956 , H01L21/66
Abstract: 披露了一种预测形成于衬底上的多个特征的主导故障模式和/或故障率的方法，以及相关联的检查设备。所述方法包括：确定每个特征的放置指标，所述放置指标包括所述特征是否处于预期位置的量度；和比较所述放置指标的分布与参考(例如，高斯)分布。所述放置指标可以包括针对位于限定每个特征的边界上的多个边界点的边界指标，所述边界指标包括边界点是否处于预期位置的量度。根据所述比较来预测所述多个特征的所述主导故障模式和/或所述故障率。
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公开(公告)号：CN111868632A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201980018840.1
申请日：2019-02-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： T·J·胡伊斯曼 , S·F·伍伊斯特 , H·A·迪伦 , D·M·C·奥尔斯霍特
Abstract: 描述了一种检查半导体样本的方法，样本包括具有多个开口的结构，这些开口位于结构的顶层，方法包括以下步骤：‑使用SEM生成结构的图像；‑通过以下方式检查多个开口中的一个开口：‑基于图像确定开口的尺寸；并且‑基于图像的对比度来确定开口的打开状态；‑基于开口的所确定的尺寸和所确定的打开状态两者来确定开口的质量。
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公开(公告)号：CN111433680A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201880078584.0
申请日：2018-11-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： C·巴蒂斯塔奇斯 , S·A·米德尔布鲁克斯 , S·F·伍伊斯特
IPC: G03F7/20
Abstract: 披露了一种方法，涉及：获得用于模拟抗蚀剂中的图案的变形过程的抗蚀剂变形模型，所述抗蚀剂变形模型是被配置为模拟作用于所述抗蚀剂的流体内力的流体动力学模型；通过使用所述抗蚀剂变形模型来执行所述变形过程的计算机模拟，以获得针对至所述抗蚀剂变形模型的输入图案的经显影抗蚀剂图案的变形；以及产生表示针对所述输入图案的所述经显影抗蚀剂图案的所述变形的电子数据。
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