公开(公告)号：CN120051694A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202380073112.7

申请日：2023-10-16

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： B·H·高利 ,  E·P·L·德波尔特雷 ,  T·J·胡伊斯曼 ,  M·W·H·加明

IPC: G01R31/307 ,  G01R31/311

Abstract: 一种用于测试设备阵列的方法，每个设备在两个电极之间具有电连接，这两个电极能够由施加到控制元件的信号控制，该方法包括：将参考电势施加到每个设备的两个电极中的第一电极；将带电粒子束引导到每个设备的两个电极中的第二电极上；变化施加到每个设备的控制元件的信号；以及针对施加的每个信号，监测来自每个设备的第二电极的信号带电粒子。

公开(公告)号：CN118235159A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202280075138.0

申请日：2022-10-14

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： T·厚本 ,  M·皮萨伦科 ,  T·J·胡伊斯曼 ,  浦凌凌 ,  周鉴 ,  于良江 ,  张懿心 ,  叶芸伶

IPC: G06T7/60 ,  G06T5/50 ,  G06T7/70 ,  G06N3/045 ,  G06N3/044 ,  G06N3/084

Abstract: 用于图像分析的系统和方法包括：获取均与受检样品相关联的多个模拟图像和多个非模拟图像，多个模拟图像中的至少一个模拟图像是样品上未被多个非模拟图像中的任一个非模拟图像成像的位置的模拟图像；以及使用多个模拟图像和多个非模拟图像作为输入来训练无监督域自适应技术，以减小多个模拟图像的第一强度梯度与多个非模拟图像的第二强度梯度之间的差异。

公开(公告)号：CN117916845A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280060469.7

申请日：2022-08-10

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： T·J·胡伊斯曼 ,  J·F·M·范伦斯

IPC: H01J37/22

Abstract: 本文中公开了一种降低扫描式电子显微镜(SEM)图像中的样品充电效应的方法，该方法包括：在第一扫描方向上从第一电子射束扫描获得样品上的目标特征的第一SEM图像；在与第一扫描方向不同的第二扫描方向上从第二电子射束扫描获得样品上的目标特征的第二SEM图像；对准第一SEM图像和第二SEM图像；以及基于第一SEM图像和第二SEM图像的组合来生成输出图像。

公开(公告)号：CN111886548A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201980020816.1

申请日：2019-03-07

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： T·J·胡伊斯曼 ,  R·C·玛斯 ,  H·A·迪伦

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/86 ,  G03F1/84 ,  G06T7/73 ,  G06T7/13 ,  G06T7/12

Abstract: 公开了一种用于确定与特征的边缘有关的边缘位置的方法和相关装置，特征被包括在包括噪声的图像(诸如扫描电子显微镜图像)内。该方法包括从图像确定参考信号；以及确定相对于上述参考信号的边缘位置。通过在与估计边缘位置的初始轮廓平行的方向上应用图像至一维低通滤波器，可以从图像确定参考信号。

公开(公告)号：CN111868632A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201980018840.1

申请日：2019-02-26

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： T·J·胡伊斯曼 ,  S·F·伍伊斯特 ,  H·A·迪伦 ,  D·M·C·奥尔斯霍特

IPC: G03F7/20 ,  G06T7/00 ,  H01L21/66

Abstract: 描述了一种检查半导体样本的方法，样本包括具有多个开口的结构，这些开口位于结构的顶层，方法包括以下步骤：‑使用SEM生成结构的图像；‑通过以下方式检查多个开口中的一个开口：‑基于图像确定开口的尺寸；并且‑基于图像的对比度来确定开口的打开状态；‑基于开口的所确定的尺寸和所确定的打开状态两者来确定开口的质量。