公开(公告)号：CN108700817B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201680082147.7

申请日：2016-12-02

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： 保罗·詹森 ,  J·H·克洛特韦克 ,  W·T·A·J·范登艾登 ,  A·N·兹德拉夫科夫

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/62 ,  G03F1/64

摘要： 公开制造隔膜组件的方法。在一个布置中，堆叠结构包括平面衬底和至少一个隔膜层。所述平面衬底包括内部区、围绕所述内部区的边界区、围绕所述边界区的桥接区及围绕所述桥接区的边缘区。选择性地去除所述内部区及所述桥接区的第一部分。在去除之后的所述隔膜组件包括：由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；保持所述隔膜的边界，所述边界由所述平面衬底的所述边界区形成；围绕所述边界的边缘区段，所述边缘区段由所述平面衬底的所述边缘区形成；所述边界与所述边缘区段之间的桥接件，所述桥接件由所述至少一个隔膜层及所述平面衬底的所述桥接区的第二部分形成。所述方法还包括通过切割或断裂所述桥接件而将所述边缘区段与所述边界分离。

公开(公告)号：CN112930498A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201980068236.X

申请日：2019-10-02

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： 彼得-詹·范兹沃勒 ,  S·伯恩特松 ,  D·德格拉夫 ,  约翰内斯·克里斯蒂安·里昂纳多斯·弗兰肯 ,  A·J·M·吉斯贝斯 ,  A·L·克莱因 ,  J·H·克洛特韦克 ,  P·S·A·克纳彭 ,  E·库尔干诺娃 ,  阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 ,  A·W·诺藤布姆 ,  M·瓦莱特 ,  M·A·范德克尔克霍夫 ,  W·T·A·J·范登艾登 ,  T·W·范德伍德 ,  H·J·旺德杰姆 ,  A·N·兹德拉夫科夫

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  G03F7/20

摘要： 一种用于制造用于EUV光刻的隔膜组件的方法，所述方法包括：提供叠层，所述叠层包括：至少一个隔膜层，所述至少一个隔膜层由平面基底支撑，其中所述平面基底包括内部区和围绕所述内部区的边界区；和第一牺牲层，所述第一牺牲层位于所述平面基底与所述隔膜层之间；选择性地移除所述平面基底的所述内部区，其中选择性地移除所述平面基底的所述内部区的步骤包括使用对于所述隔膜层及其氧化物具有类似的蚀刻速率且对于所述第一牺牲层具有实质上不同的蚀刻速率的蚀刻剂；使得所述隔膜组件包括：隔膜，所述隔膜由所述至少一个隔膜层形成；和边界部，所述边界部保持所述隔膜，所述边界部包括所述平面基底的所述边界区和位于所述边界部与所述隔膜层之间的所述第一牺牲层。

公开(公告)号：CN110809736A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201880040335.2

申请日：2018-06-08

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： D·F·弗莱斯 ,  C·K·安德 ,  A·F·J·德格鲁特 ,  A·J·M·吉斯贝斯 ,  J·J·詹森 ,  保罗·詹森 ,  J·H·克洛特韦克 ,  P·S·A·克纳彭 ,  E·库尔干诺娃 ,  M·P·梅热尔 ,  W·R·梅金克 ,  M·A·纳萨莱维奇 ,  A·W·诺滕博姆 ,  R·奥尔斯曼 ,  H·帕特尔 ,  玛丽亚·皮特 ,  G·范德博世 ,  W·T·A·J·范登艾登 ,  威廉·琼·范德赞德 ,  彼得-詹·范兹沃勒 ,  J·P·M·B·沃缪伦 ,  W-P·福尔蒂森 ,  H·J·旺德杰姆 ,  A·N·兹德拉夫科夫

IPC分类号： G03F1/62 ,  G03F1/64

摘要： 本发明涉及一种表膜组件，所述表膜组件包括表膜框架，所述表膜框架限定表膜所附接到的表面。所述表膜组件包括一个或更多个三维膨胀结构，所述三维膨胀结构允许所述表膜在应力下膨胀。本发明还涉及一种用于图案形成装置的表膜组件，包括用于使得表膜朝向图案形成装置和远离图案形成装置移动的一个或更多个致动器。