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公开(公告)号:CN114035254A
公开(公告)日:2022-02-11
申请号:CN202111335991.5
申请日:2015-07-02
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要: 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜,所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括:一个或更多个高掺杂区,其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂;及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层,其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号:CN118311702A
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202410484298.1
申请日:2015-07-02
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要: 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜,所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括:一个或更多个高掺杂区,其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂;及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层,其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号:CN106489084B
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN201580036687.7
申请日:2015-07-02
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要: 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜,所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括:一个或更多个高掺杂区,其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂;及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层,其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号:CN111344637B
公开(公告)日:2023-09-01
申请号:CN201880072153.3
申请日:2018-10-16
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , K·比斯特罗夫 , V·Y·班尼恩 , M·A·范德柯克霍夫 , N·舒 , A·尼基帕罗夫
摘要: 一种清洁表面以从该表面去除污染物的方法,该方法包括以下步骤:使该污染物的至少一部分氧化;以及使二氧化碳雪流从该污染物经过。一种用于清洁表面的设备,该设备包括至少一个二氧化碳雪出口和至少一个等离子体出口。一种清洁头,该清洁头包括至少一个二氧化碳雪出口和至少一个等离子体出口。
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公开(公告)号:CN110501769B
公开(公告)日:2021-11-23
申请号:CN201910757335.0
申请日:2015-07-02
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要: 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜,所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括:一个或更多个高掺杂区,其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂;及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层,其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号:CN111344637A
公开(公告)日:2020-06-26
申请号:CN201880072153.3
申请日:2018-10-16
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , K·比斯特罗夫 , V·Y·班尼恩 , M·A·范德柯克霍夫 , N·舒 , A·尼基帕罗夫
摘要: 一种清洁表面以从该表面去除污染物的方法,该方法包括以下步骤:使该污染物的至少一部分氧化;以及使二氧化碳雪流从该污染物经过。一种用于清洁表面的设备,该设备包括至少一个二氧化碳雪出口和至少一个等离子体出口。一种清洁头,该清洁头包括至少一个二氧化碳雪出口和至少一个等离子体出口。
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公开(公告)号:CN114035254B
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202111335991.5
申请日:2015-07-02
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要: 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜,所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括:一个或更多个高掺杂区,其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂;及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层,其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号:CN112930498A
公开(公告)日:2021-06-08
申请号:CN201980068236.X
申请日:2019-10-02
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: 彼得-詹·范兹沃勒 , S·伯恩特松 , D·德格拉夫 , 约翰内斯·克里斯蒂安·里昂纳多斯·弗兰肯 , A·J·M·吉斯贝斯 , A·L·克莱因 , J·H·克洛特韦克 , P·S·A·克纳彭 , E·库尔干诺娃 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , A·W·诺藤布姆 , M·瓦莱特 , M·A·范德克尔克霍夫 , W·T·A·J·范登艾登 , T·W·范德伍德 , H·J·旺德杰姆 , A·N·兹德拉夫科夫
摘要: 一种用于制造用于EUV光刻的隔膜组件的方法,所述方法包括:提供叠层,所述叠层包括:至少一个隔膜层,所述至少一个隔膜层由平面基底支撑,其中所述平面基底包括内部区和围绕所述内部区的边界区;和第一牺牲层,所述第一牺牲层位于所述平面基底与所述隔膜层之间;选择性地移除所述平面基底的所述内部区,其中选择性地移除所述平面基底的所述内部区的步骤包括使用对于所述隔膜层及其氧化物具有类似的蚀刻速率且对于所述第一牺牲层具有实质上不同的蚀刻速率的蚀刻剂;使得所述隔膜组件包括:隔膜,所述隔膜由所述至少一个隔膜层形成;和边界部,所述边界部保持所述隔膜,所述边界部包括所述平面基底的所述边界区和位于所述边界部与所述隔膜层之间的所述第一牺牲层。
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公开(公告)号:CN110501769A
公开(公告)日:2019-11-26
申请号:CN201910757335.0
申请日:2015-07-02
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要: 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜,所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括:一个或更多个高掺杂区,其中所述膜是以大于1017cm-3的掺杂剂浓度而掺杂;及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层,其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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