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公开(公告)号：CN113228288B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201980084973.9
申请日：2019-12-16
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种显示装置，包括：基板；多个半导体发光器件，被布置在所述基板上；第一布线电极和第二布线电极，分别从所述半导体发光器件延伸，以向所述半导体发光器件供应电信号；多个成对电极，被布置在所述基板上以在被供以电流时产生电场，并且所述多个成对电极提供有第一成对电极和第二成对电极，所述第一成对电极和第二成对电极形成在所述第一布线电极和第二布线电极的相对于所述半导体发光器件的相对侧上；以及介电层，被形成为覆盖所述成对电极，其中，所述多个成对电极沿一方向彼此平行地布置。
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公开(公告)号：CN113228288A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980084973.9
申请日：2019-12-16
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种显示装置，包括：基板；多个半导体发光器件，被布置在所述基板上；第一布线电极和第二布线电极，分别从所述半导体发光器件延伸，以向所述半导体发光器件供应电信号；多个成对电极，被布置在所述基板上以在被供以电流时产生电场，并且所述多个成对电极提供有第一成对电极和第二成对电极，所述第一成对电极和第二成对电极形成在所述第一布线电极和第二布线电极的相对于所述半导体发光器件的相对侧上；以及介电层，被形成为覆盖所述成对电极，其中，所述多个成对电极沿一方向彼此平行地布置。
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公开(公告)号：CN111684601A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201880088416.X
申请日：2018-02-01
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种显示装置及其制造方法，尤其，涉及一种利用半导体发光元件的显示装置。根据本发明的显示装置，其特征在于，包括：基板；多个单元格，具备从所述基板上凸出的分隔壁，多个所述单元格沿着一个方向依次配置；半导体发光元件，容纳于多个所述单元格中的每一个；以及第一电极，具备配置于多个所述单元格中的每一个的底部的多个电极线，所述第一电极与所述半导体发光元件电连接，多个所述单元格中的每一个的底部具有：第一区域，被多个所述电极线覆盖；以及第二区域，形成在多个所述电极线之间。
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公开(公告)号：CN110268804A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201780085198.X
申请日：2017-04-25
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种显示装置，更具体地，涉及使用半导体发光元件的显示装置。根据本发明的显示装置包括：基板，其包括多个金属焊盘；以及绿色半导体发光元件和蓝色半导体发光元件，其通过自组装电连接至所述金属焊盘，其中，所述绿色半导体发光元件和所述蓝色半导体发光元件包括具有不同形状以在连接到基板时彼此可区分的标识部。
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公开(公告)号：CN105304749B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201510315716.5
申请日：2015-06-10
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/02167 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。讨论了一种制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成隧穿层；在该隧穿层上形成半导体层，其中，形成该半导体层的步骤包括沉积半导体材料；以及形成连接到所述半导体层的电极。在高于室温的温度和低于大气压力的压力下形成所述隧穿层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114175260A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201980099004.0
申请日：2019-08-07
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 本说明书公开了一种以高可靠性转印半导体发光元件的基板以及使用该基板的显示装置的制造方法。具体地，当利用电磁场在组装基板上自组装半导体发光元件时，在所述组装基板形成用于组装对准(Align)用半导体发光元件的组装槽。组装到所述组装槽的对准用半导体发光元件在最终转印到布线基板的步骤中用于对准。与现有的对准键(Align key)不同，所述对准用半导体发光元件反映出在组装之后的转印过程中发生的半导体发光元件的排列误差。因此，当以所述对准用半导体发光元件为基准将半导体发光元件转印到布线基板时，能够提高转印的精确度。
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公开(公告)号：CN107256893A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710389651.8
申请日：2011-09-22
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/0684 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳能电池。太阳能电池包括：第一导电类型的基板；位于基板的一个表面上的第二导电类型的发射极层，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；第一电极，电连接到发射极层；第一保护层，位于所述发射极层的没有布置第一电极的正表面上；背表面场层，位于基板的另一表面处；第二电极，电连接到背表面场层；和第二保护层，位于基板的没有布置第二电极的背表面上。第一保护层和第二保护层每一个均由具有第一导电类型的固定电荷的材料形成。
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公开(公告)号：CN103247699B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201210399301.7
申请日：2012-10-19
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/0684 , Y02E10/547
Abstract: 太阳能电池。一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：第一导电类型的基板；多个第一电极，所述多个第一电极位于所述基板的一个表面上并且沿第一方向延伸；发射极区，所述发射极区电连接至所述第一电极并且是与所述第一导电类型相反的第二导电类型；多个第二电极，所述多个第二电极位于所述基板的另一个表面上并且沿所述第一方向延伸；以及背表面场区，所述背表面场区包括多个第一场区，所述多个第一场区沿与所述第二电极相同的方向局部地形成在与所述第二电极相对应的位置处并且电连接至所述第二电极。相邻的第一场区之间的距离小于相邻的第二电极之间的距离。
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公开(公告)号：CN103700713B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201310450083.X
申请日：2013-09-27
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/03682 , H01L31/068 , Y02E10/546 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包括半导体基板、形成在半导体基板处并且包括p型杂质的p型导电区域和形成在p型导电区域上并且包括铝氧化物的钝化膜。钝化膜具有7至17Å的厚度。
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公开(公告)号：CN102934236B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201080067145.3
申请日：2010-10-28
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/0684 , Y02E10/547
Abstract: 公开了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：基板；发射层，所述发射层设置在所述基板的所述第一表面处；第一抗反射层，所述第一抗反射层设置在所述发射层的表面上，所述第一抗反射层可以包括露出所述发射层的一部分的多条第一接触线；第一电极，所述第一电极电连接至通过所述多条第一接触线露出的所述发射层，并且所述第一电极可以包括与所述发射层直接接触的电镀层；以及第二电极，所述第二电极设置在所述基板的第二表面上。
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