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公开(公告)号:CN104137197B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201380009189.4
申请日:2013-02-13
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F7/021 , B22F1/0007 , B22F3/02 , B22F3/24 , B22F2003/248 , B22F2202/05 , B22F2999/00 , C22C33/0278 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16 , H01F1/0577
Abstract: 本发明所涉及的R-T-B系烧结磁体其特征在于,所述R-T-B系烧结磁体具有R2T14B结晶粒,在由相邻的2个以上的R2T14B结晶粒形成的晶粒边界中具有R-O-C浓缩部,相比R2T14B结晶粒内,所述R-O-C浓缩部的R、O以及C的浓度都更高,R-O-C浓缩部中O原子相对于R原子的比率(O/R)满足下述式(1)。0.4<(O/R)<0.7 (1)。
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公开(公告)号:CN104137198A
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN201380009223.8
申请日:2013-02-13
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F1/057 , B22F3/10 , C22C38/00 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16 , H01F1/0577 , H01F7/02
Abstract: 本发明所涉及的R-T-B系烧结磁体其特征在于,所述R-T-B系烧结磁体具有R2T14B结晶粒,在由相邻的2个以上的R2T14B结晶粒形成的晶粒边界中具有R-O-C浓缩部,相比R2T14B结晶粒内部,所述R-O-C浓缩部的R、O以及C的浓度都更高,在R-T-B系烧结磁体的截面中R-O-C浓缩部的面积占晶粒边界的面积的10%以上且75%以下的范围。
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公开(公告)号:CN101937752A
公开(公告)日:2011-01-05
申请号:CN201010211877.7
申请日:2010-06-23
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H02K1/2786 , B32B15/015 , C22C38/002 , C22C38/005 , C25D7/001 , H01F1/0577 , H01F7/0221 , H01F41/026 , H02K1/27 , Y10T428/265 , Y10T428/32
Abstract: 本发明涉及一种金属磁铁(10),其具有磁铁素体(12)以及磁铁素体(12)之上的覆盖层(14),覆盖层(14)的马氏硬度为2000N/mm2以上,并且覆盖层(14)的弹性回复率为25%以下。本发明还涉及一种具备金属磁铁(10)的马达。
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公开(公告)号:CN1416303A
公开(公告)日:2003-05-07
申请号:CN02147087.1
申请日:2002-10-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: H05B33/22
CPC classification number: C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/89 , C04B2111/00844 , C04B2111/80 , H05B33/22 , Y10S428/917 , Y10T428/31504 , C04B41/4572 , C04B41/5111 , C04B41/4539 , C04B41/5027 , C04B41/4537 , C04B41/5041 , C04B41/5042 , C04B41/4529 , C04B41/5054 , C04B41/5066 , C04B41/505 , C04B35/10 , C04B35/00
Abstract: 本发明的目的是提供确保厚膜电介质层的绝缘性,而且由簿膜制成的发光层等的功能性薄膜能够稳定工作,特别是可以稳定发光的复合基片和EL面板及其制造方法,并提供在用溶胶凝胶电介质层确保厚膜陶瓷电介质层的表面平坦性的EL元件中,制造稳定性高,没有元件驱动时的EL发光不均匀的EL元件的制造方法和EL元件,为了达到这个目的,本发明提出了具有至少具有基片,在这个基片上形成的电极和作为在这个电极上形成的厚膜电介质的第1电介质层,在上述第1电介质层上,在第1电介质层的下部和/或第1电介质层之间用溶液涂敷烘烤法形成的第2电介质层的构成的复合基片和EL面板及其制造方法。
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公开(公告)号:CN1363199A
公开(公告)日:2002-08-07
申请号:CN01800292.7
申请日:2001-02-06
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H05B33/22 , H05B33/02 , H05B33/10 , H05B33/12 , Y10S428/917
Abstract: 提供一种复合衬底,包括:基片、电极、通过用形成厚膜用的高浓度溶胶凝胶溶液不产生介电层开裂地制成的带有光滑表面的厚膜介电层。提供一种包括电气上绝缘的基片、依次在基片上形成的用厚膜法形成的电极、和绝缘层的复合衬底的制造方法,包括涂布通过把金属化合物溶解在二醇溶剂(OH(CH2)nOH)中制备的溶胶凝胶溶液、干燥和烧制的步骤,由此形成薄膜绝缘层。还提供包括这种复合衬底的EL器件。
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