公开(公告)号：CN113582726A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110485046.7

申请日：2021-04-30

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 芹泽宏明 ,  滝沢亮人

IPC: C04B41/87 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明的目的在于提供一种作为可提高抗粒子性(low‑particle generation)的半导体制造装置用构件而加以使用的复合结构物以及具备其的半导体制造装置。具体而言，是包含基材和设置在所述基材上且具有表面的结构物的复合结构物，所述结构物作为主成分而含有Y3Al5O12，而且其压痕硬度大于8.5GPa的复合结构物的抗粒子性比较出色，作为半导体制造装置用构件而优选被使用。

公开(公告)号：CN111627790A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010107275.0

申请日：2020-02-21

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 新田安隆 ,  和田琢真 ,  滝沢亮人

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种可减少粒子的半导体制造装置用构件。具体而言，提供一种如下半导体制造装置用构件，具备：基体材料，包括第1面、与所述第1面发生交叉的第2面、连接所述第1面与所述第2面的棱部分；及抗粒子层，覆盖所述第1面、所述第2面、所述棱部分，包含多结晶陶瓷，该抗粒子层包括：设置于所述棱部的第1抗粒子层；及设置于所述第1面的第2抗粒子层，所述第1抗粒子层的抗粒子性高于所述第2抗粒子层的抗粒子性。