公开(公告)号：CN110246811A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910171153.5

申请日：2019-03-07

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 岩泽顺一 ,  芹泽宏明 ,  和田琢真 ,  滝沢亮人 ,  青岛利裕 ,  高桥祐宜 ,  金城厚

IPC: H01L23/29 ,  C04B41/87 ,  C23C24/04 ,  G01N23/203 ,  G01N27/62

Abstract: 本发明提供一种抗粒子性出色的陶瓷涂层以及评价陶瓷涂层的抗粒子性的方法。具体而言，是一种包含基体材料及设置在所述基体材料上且具有表面的结构物的复合结构物，结构物包含多结晶陶瓷，将通过TEM图像解析算出的亮度Sa满足规定值的复合结构物，可作为要求具有抗粒子性的半导体制造装置的内部构件而适当加以使用。

公开(公告)号：CN116895608A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310681240.1

申请日：2019-03-07

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 岩泽顺一 ,  芹泽宏明 ,  和田琢真 ,  滝沢亮人 ,  青岛利裕 ,  高桥祐宜 ,  金城厚

IPC: H01L23/29 ,  C23C24/04 ,  G01N27/62 ,  G01N23/203 ,  C04B41/87

Abstract: 本发明提供一种抗粒子性出色的陶瓷涂层以及评价陶瓷涂层的抗粒子性的方法。具体而言，是一种包含基体材料及设置在所述基体材料上且具有表面的结构物的复合结构物，结构物包含多结晶陶瓷，将通过TEM图像解析算出的亮度Sa满足规定值的复合结构物，可作为要求具有抗粒子性的半导体制造装置的内部构件而适当加以使用。

公开(公告)号：CN116895607A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310681234.6

申请日：2019-03-07

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 岩泽顺一 ,  芹泽宏明 ,  和田琢真 ,  滝沢亮人 ,  青岛利裕 ,  高桥祐宜 ,  金城厚

IPC: H01L23/29 ,  C23C24/04 ,  G01N27/62 ,  G01N23/203 ,  C04B41/87

Abstract: 本发明提供一种抗粒子性出色的陶瓷涂层以及评价陶瓷涂层的抗粒子性的方法。具体而言，是一种包含基体材料及设置在所述基体材料上且具有表面的结构物的复合结构物，结构物包含多结晶陶瓷，将通过TEM图像解析算出的亮度Sa满足规定值的复合结构物，可作为要求具有抗粒子性的半导体制造装置的内部构件而适当加以使用。

公开(公告)号：CN111627790B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202010107275.0

申请日：2020-02-21

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 新田安隆 ,  和田琢真 ,  滝沢亮人

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种可减少粒子的半导体制造装置用构件。具体而言，提供一种如下半导体制造装置用构件，具备：基体材料，包括第1面、与所述第1面发生交叉的第2面、连接所述第1面与所述第2面的棱部分；及抗粒子层，覆盖所述第1面、所述第2面、所述棱部分，包含多结晶陶瓷，该抗粒子层包括：设置于所述棱部的第1抗粒子层；及设置于所述第1面的第2抗粒子层，所述第1抗粒子层的抗粒子性高于所述第2抗粒子层的抗粒子性。

公开(公告)号：CN113582678B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202110485141.7

申请日：2021-04-30

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 芹泽宏明 ,  滝沢亮人

IPC: C04B35/44 ,  C04B35/505 ,  C04B35/622 ,  C04B41/87 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明的目的在于提供一种作为可提高抗粒子性(low‑particle generation)的半导体制造装置用构件及半导体制造装置。具体而言，具备：基材；及设置在所述基材上且具有暴露于等离子体环境的表面的结构物，所述结构物作为主成分而含有钇及铝的氧化物，用下述式(1)：a＝d·(h2+k2+l2)1/2…(式1)(式1中，d为晶格间距，(hkl)为密勒指数)算出的晶格常数a大于 的复合结构物具有出色的抗粒子性，优选作为半导体制造装置用构件而被使用。

公开(公告)号：CN116917544A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280015976.9

申请日：2022-03-17

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 芦泽宏明 ,  滝沢亮人

IPC: C23C24/04

Abstract: 本发明中公开了作为可提高抗粒子性(low‑particle generation)的半导体制造装置用构件而被使用的复合结构物以及具备其的半导体制造装置。复合结构物包含：基材；及结构物，设置在所述基材上且具有表面，所述结构物作为主成分而含有Y4Al2O9，而且其压痕硬度大于6.0GPa，这样的复合结构物抗粒子性出色，作为半导体制造装置用构件而优选被使用。

公开(公告)号：CN113582678A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110485141.7

申请日：2021-04-30

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 芹泽宏明 ,  滝沢亮人

IPC: C04B35/44 ,  C04B35/505 ,  C04B35/622 ,  C04B41/87 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明的目的在于提供一种作为可提高抗粒子性(low‑particle generation)的半导体制造装置用构件及半导体制造装置。具体而言，具备：基材；及设置在所述基材上且具有暴露于等离子体环境的表面的结构物，所述结构物作为主成分而含有钇及铝的氧化物，用下述式(1)：a＝d·(h2+k2+l2)1/2…(式1)(式1中，d为晶格间距，(hkl)为密勒指数)算出的晶格常数a大于的复合结构物具有出色的抗粒子性，优选作为半导体制造装置用构件而被使用。

公开(公告)号：CN116884926A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310681163.X

申请日：2019-03-07

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 岩泽顺一 ,  芹泽宏明 ,  和田琢真 ,  滝沢亮人 ,  青岛利裕 ,  高桥祐宜 ,  金城厚

IPC: H01L23/29 ,  C23C24/04 ,  G01N23/2202 ,  G01N23/2251 ,  C04B41/87

Abstract: 本发明提供一种抗粒子性出色的陶瓷涂层以及评价陶瓷涂层的抗粒子性的方法。具体而言，是一种包含基体材料及设置在所述基体材料上且具有表面的结构物的复合结构物，结构物包含多结晶陶瓷，将通过TEM图像解析算出的亮度Sa满足规定值的复合结构物，可作为要求具有抗粒子性的半导体制造装置的内部构件而适当加以使用。

公开(公告)号：CN116868316A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202280015978.8

申请日：2022-03-17

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 芦泽宏明 ,  滝沢亮人

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明中公开了可提高抗粒子性(low‑particle generation)的半导体制造装置用构件及半导体制造装置。复合结构物具备：基材；及结构物，设置在所述基材上且具有暴露于等离子体环境的表面，所述结构物作为主成分而含有Y4Al2O9，而且晶格常数及/或X射线衍射的特定峰值的强度比满足特定条件，这样的复合结构物抗粒子性出色，作为半导体制造装置用构件而优选被使用。

公开(公告)号：CN110246811B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201910171153.5

申请日：2019-03-07

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 岩泽顺一 ,  芹泽宏明 ,  和田琢真 ,  滝沢亮人 ,  青岛利裕 ,  高桥祐宜 ,  金城厚

IPC: H01L23/29 ,  C04B41/87 ,  C23C24/04 ,  G01N23/203 ,  G01N27/62

Abstract: 本发明提供一种抗粒子性出色的陶瓷涂层以及评价陶瓷涂层的抗粒子性的方法。具体而言，是一种包含基体材料及设置在所述基体材料上且具有表面的结构物的复合结构物，结构物包含多结晶陶瓷，将通过TEM图像解析算出的亮度Sa满足规定值的复合结构物，可作为要求具有抗粒子性的半导体制造装置的内部构件而适当加以使用。