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    静电吸盘
    2.
    发明授权
    静电吸盘 有权

    公开(公告)号：CN103907181B

    公开(公告)日：2016-11-16

    申请号：CN201280046774.7

    申请日：2012-09-27

    Applicant: TOTO株式会社

    Inventor： 和田琢真 ,  穴田和辉

    IPC: H01L21/683 ,  B23Q3/15 ,  H02N13/00

    CPC classification number: H01L21/6831 ,  B23Q3/1543 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/6875

    Abstract: 本发明公开了一种静电吸盘。基于本发明的静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置被吸附物的第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面；电极，设置在所述陶瓷电介体基板的所述第1主面与所述第2主面之间；以及连接部，在所述陶瓷电介体基板的比所述电极更靠所述第2主面侧与所述电极连接，且具有与所述电极接触的第1区域，其中，在将从所述第1主面朝向所述第2主面的方向作为第1方向，将与所述第1方向正交的方向作为第2方向时，所述第1区域在所述电极及所述连接部的所述第2方向上观察的截面上，沿所述电极的所述第2主面侧外形的延长线与所述连接部外形的切线所形成的角度当中所述连接部侧的角度在所述第1方向上逐渐增大。

    半导体制造装置构件、半导体制造装置、显示器制造装置
    3.
    发明授权
    半导体制造装置构件、半导体制造装置、显示器制造装置 有权

    公开(公告)号：CN111627790B

    公开(公告)日：2024-05-03

    申请号：CN202010107275.0

    申请日：2020-02-21

    Applicant: TOTO株式会社

    Inventor： 新田安隆 ,  和田琢真 ,  滝沢亮人

    IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683

    Abstract: 本发明提供一种可减少粒子的半导体制造装置用构件。具体而言，提供一种如下半导体制造装置用构件，具备：基体材料，包括第1面、与所述第1面发生交叉的第2面、连接所述第1面与所述第2面的棱部分；及抗粒子层，覆盖所述第1面、所述第2面、所述棱部分，包含多结晶陶瓷，该抗粒子层包括：设置于所述棱部的第1抗粒子层；及设置于所述第1面的第2抗粒子层，所述第1抗粒子层的抗粒子性高于所述第2抗粒子层的抗粒子性。

    静电吸盘以及晶片处理装置
    4.
    发明公开
    静电吸盘以及晶片处理装置 有权

    公开(公告)号：CN107431038A

    公开(公告)日：2017-12-01

    申请号：CN201580077698.X

    申请日：2015-04-28

    Applicant: TOTO株式会社

    Inventor： 穴田和辉 ,  吉井雄一 ,  和田琢真

    IPC: H01L21/683

    CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735

    Abstract: 本发明所涉及的静电吸盘具备：多结晶陶瓷烧结体即陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面、设置在周端部且形成所述第1主面的一部分的密封环；及电极层，设置在所述陶瓷电介体基板的所述第1主面与所述第2主面之间，呈一体地烧结于所述陶瓷电介体基板，其特征为，在与第1主面正交的方向上观察时，所述陶瓷电介体基板的外周被加工成所述陶瓷电介体基板的外周与所述电极层的外周的间隔均匀，所述密封环的宽度为0.3毫米以上、3毫米以下，在与第1主面正交的方向上观察时，所述电极层与所述密封环发生重复的宽度为-0.7毫米以上、2毫米以下。正确且均匀地将电极的外周配置至接近陶瓷电介体基板的外周的位置为止，在保持绝缘强度的同时，能够在陶瓷电介体基板外周部得到较大且一定的吸附力，而且能够使处理对象物的温度分布均匀化。

    静电吸盘
    5.
    发明授权
    静电吸盘 有权

    公开(公告)号：CN103681437B

    公开(公告)日：2017-09-29

    申请号：CN201310400048.7

    申请日：2013-09-05

    Applicant: TOTO株式会社

    Inventor： 穴田和辉 ,  和田琢真

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

    CPC classification number: H02N13/00 ,  H01L21/6833

    Abstract: 本发明提供一种静电吸盘，其能够将吸附保持的处理对象物维持在所希望的温度。具体而言，其特征为，具备：陶瓷电介体基板，其为多结晶陶瓷烧结体，具有放置处理对象物的第1主面和第1主面相反侧的第2主面；电极层，内设于陶瓷电介体基板的第1主面与第2主面之间，一体烧结于陶瓷电介体基板；调温板，设置在第2主面侧；及加热器，设置在电极层与调温板之间，陶瓷电介体基板具有：第1电介层，位于电极层与第1主面之间；及第2电介层，位于电极层与第2主面之间，陶瓷电介体基板的第1电介层与第2电介层的红外线分光透过率为，按1mm厚度换算时为20%以上。

    静电吸盘以及晶片处理装置
    6.
    发明授权
    静电吸盘以及晶片处理装置 有权

    公开(公告)号：CN107431038B

    公开(公告)日：2021-08-10

    申请号：CN201580077698.X

    申请日：2015-04-28

    Applicant: TOTO株式会社

    Inventor： 穴田和辉 ,  吉井雄一 ,  和田琢真

    IPC: H01L21/683

    Abstract: 本发明所涉及的静电吸盘具备：多结晶陶瓷烧结体即陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面、设置在周端部且形成所述第1主面的一部分的密封环；及电极层，设置在所述陶瓷电介体基板的所述第1主面与所述第2主面之间，呈一体地烧结于所述陶瓷电介体基板，其特征为，在与第1主面正交的方向上观察时，所述陶瓷电介体基板的外周被加工成所述陶瓷电介体基板的外周与所述电极层的外周的间隔均匀，所述密封环的宽度为0.3毫米以上、3毫米以下，在与第1主面正交的方向上观察时，所述电极层与所述密封环发生重复的宽度为‑0.7毫米以上、2毫米以下。正确且均匀地将电极的外周配置至接近陶瓷电介体基板的外周的位置为止，在保持绝缘强度的同时，能够在陶瓷电介体基板外周部得到较大且一定的吸附力，而且能够使处理对象物的温度分布均匀化。

    静电吸盘
    7.
    发明公开
    静电吸盘 有权

    公开(公告)号：CN103681433A

    公开(公告)日：2014-03-26

    申请号：CN201310379178.7

    申请日：2013-08-27

    Applicant: TOTO株式会社

    Inventor： 穴田和辉 ,  和田琢真

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

    CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01L21/68757

    Abstract: 本发明提供一种静电吸盘，其能够将吸附保持的处理对象物维持在所希望的温度。具体而言，其特征为，具备：陶瓷电介体基板，其为多结晶陶瓷烧结体，具有放置处理对象物的第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面；及电极层，内设于所述陶瓷电介体基板的所述第1主面与所述第2主面之间，一体烧结于所述陶瓷电介体基板，所述陶瓷电介体基板具有：第1电介层，位于所述电极层与所述第1主面之间；及第2电介层，位于所述电极层与所述第2主面之间，所述陶瓷电介体基板中至少所述第1电介层的红外线分光透过率为，按1mm厚度换算时为20%以上。

    静电吸盘
    8.
    发明公开
    静电吸盘 有权

    公开(公告)号：CN103681432A

    公开(公告)日：2014-03-26

    申请号：CN201310378847.9

    申请日：2013-08-27

    Applicant: TOTO株式会社

    Inventor： 穴田和辉 ,  和田琢真

    IPC: H01L21/683

    CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01L21/68757

    Abstract: 本发明提供一种静电吸盘，其能够提高内部电极层与陶瓷电介体基板的贴紧性，能够提高内部电极层的导通性。具体而言，其特征为，具备：陶瓷电介体基板，其为多结晶陶瓷烧结体，具有放置处理对象物的第1主面和第1主面相反侧的第2主面；及电极层，内设于陶瓷电介体基板的第1主面与第2主面之间，一体烧结于陶瓷电介体基板，陶瓷电介体基板具有：第1电介层，位于电极层与第1主面之间；及第2电介层，位于电极层与第2主面之间，电极层具有：第1部分，具有导电性；及第2部分，将第1电介层与第2电介层结合起来，第2部分所含有的结晶的平均粒径小于陶瓷电介体基板所含有的结晶的平均粒径。

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