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公开(公告)号：CN102400134A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110258782.5
申请日：2011-09-02
Applicant: TOTO株式会社
CPC classification number: C23C24/04 , B05B13/0442
Abstract: 本发明提供用简单的方法即可形成连续且优质的膜的制膜方法，其通过一边在制膜对象物上喷涂从喷嘴喷射出来的气溶胶，一边连续地改变其喷涂位置，从而生成连续地覆盖上表面和外侧面和弯曲面的膜。该制膜方法具备第一制膜工序和第二制膜工序，在所述第一制膜工序中，在上表面(W01)和与上表面(W01)相连的弯曲面(W03)上连续地喷涂气溶胶，连续地形成覆盖上表面(W01)的膜和覆盖弯曲面(W03)的至少一部分的膜，在所述第二制膜工序中，连续地形成覆盖外侧面(W02)的膜和进一步覆盖在第一制膜工序中形成于弯曲面(W03)的膜的膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108780750B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201780017901.3
申请日：2017-09-12
Applicant: TOTO株式会社
Inventor： 新田安隆
IPC: H01L21/3065 , C23C24/04
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置用部件。具体而言，半导体制造装置用部件具备包含凹部的氧化铝膜基材、形成在所述氧化铝膜基材上且包含钇化合物的第1层，其特征在于，所述第1层具有第1区域、设置在所述凹部内且位于所述第1区域和所述氧化铝膜基材之间的第2区域，所述第1区域中的平均粒径比所述第2区域中的平均粒径更短。
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公开(公告)号：CN111627790B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202010107275.0
申请日：2020-02-21
Applicant: TOTO株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种可减少粒子的半导体制造装置用构件。具体而言，提供一种如下半导体制造装置用构件，具备：基体材料，包括第1面、与所述第1面发生交叉的第2面、连接所述第1面与所述第2面的棱部分；及抗粒子层，覆盖所述第1面、所述第2面、所述棱部分，包含多结晶陶瓷，该抗粒子层包括：设置于所述棱部的第1抗粒子层；及设置于所述第1面的第2抗粒子层，所述第1抗粒子层的抗粒子性高于所述第2抗粒子层的抗粒子性。
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公开(公告)号：CN108780750A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780017901.3
申请日：2017-09-12
Applicant: TOTO株式会社
Inventor： 新田安隆
IPC: H01L21/3065 , C23C24/04
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置用部件。具体而言，半导体制造装置用部件具备包含凹部的氧化铝膜基材、形成在所述氧化铝膜基材上且包含钇化合物的第1层，其特征在于，所述第1层具有第1区域、设置在所述凹部内且位于所述第1区域和所述氧化铝膜基材之间的第2区域，所述第1区域中的平均粒径比所述第2区域中的平均粒径更短。
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公开(公告)号：CN111627790A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010107275.0
申请日：2020-02-21
Applicant: TOTO株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种可减少粒子的半导体制造装置用构件。具体而言，提供一种如下半导体制造装置用构件，具备：基体材料，包括第1面、与所述第1面发生交叉的第2面、连接所述第1面与所述第2面的棱部分；及抗粒子层，覆盖所述第1面、所述第2面、所述棱部分，包含多结晶陶瓷，该抗粒子层包括：设置于所述棱部的第1抗粒子层；及设置于所述第1面的第2抗粒子层，所述第1抗粒子层的抗粒子性高于所述第2抗粒子层的抗粒子性。
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公开(公告)号：CN102400134B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201110258782.5
申请日：2011-09-02
Applicant: TOTO株式会社
CPC classification number: C23C24/04 , B05B13/0442
Abstract: 本发明提供用简单的方法即可形成连续且优质的膜的制膜方法，其通过一边在制膜对象物上喷涂从喷嘴喷射出来的气溶胶，一边连续地改变其喷涂位置，从而生成连续地覆盖上表面和外侧面和弯曲面的膜。该制膜方法具备第一制膜工序和第二制膜工序，在所述第一制膜工序中，在上表面(W01)和与上表面(W01)相连的弯曲面(W03)上连续地喷涂气溶胶，连续地形成覆盖上表面(W01)的膜和覆盖弯曲面(W03)的至少一部分的膜，在所述第二制膜工序中，连续地形成覆盖外侧面(W02)的膜和进一步覆盖在第一制膜工序中形成于弯曲面(W03)的膜的膜。
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