-
公开(公告)号：CN115493715A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202110683029.4
申请日：2021-06-18
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本发明公开了一种耐高温型温度传感器，包括安装座，所述安装座的上端固定连接有固定箱，所述安装座内插设有安装套管，所述安装套管的两端内侧壁之间共同固定连接有固定板，所述固定板内滑动连接有传感针头，所述传感针头的上端固定连接有第一热敏感组件。本发明还提出了一种耐高温型温度传感器的芯片制造工艺，包括以下制备步骤：S1、原料切片；S2、晶圆涂膜；S3、晶圆光刻显影、蚀刻；S4、离子注入；S5、晶圆测试，本发明通过设置降温机构，实现对芯片主体的表面进行降温，通过设置连接机构，实现可对安装套管进行便捷的拆卸，通过设置单向进液阀以及单向出液阀，实现自动添加冷却液，提高装置实用性。
-
公开(公告)号：CN115235682B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211151573.5
申请日：2022-09-21
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本申请公开了一种MEMS压力传感器的封装结构及方法，所述MEMS压力传感器的封装结构包括：底座，与膜片形成密封腔体，所述密封腔体内部设有传感介质及压力传感芯片，当外界压力增大时，所述膜片向所述密封腔体的内侧弯曲，以使所述密封腔体收缩并通过传感介质向压力传感芯片传递压力；所述底座包括底板，所述底板包括第一结构层、第二结构层以及位于第一结构层和第二结构层之间的N型半导体和P型半导体，所述N型半导体与所述P型半导体相串联后与直流电源连接。本申请的封装结构可以实现对密封腔体内部温度的控制，能够避免环境温度变化导致传感器芯片性能产生漂移的问题。
-
公开(公告)号：CN115127630B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211068252.9
申请日：2022-09-02
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种双轴多向MEMS热式流量传感器的制备方法，其使用多孔结构的固态隔热技术，该结构可靠稳定，防止了芯片损坏，并且设置三组热电堆进行X轴向、Y轴向和45°轴向的排布，使得芯片适用于监测多轴向流入的气体流量，其包括以下步骤：步骤1、得到减薄后的硅片结构；步骤2、得到固态多孔隔热结构；步骤3、沉积氧化硅支撑层和氮化硅支撑层；步骤4、形成镂空圆形中心热源结构；步骤5、制作热电堆和芯片本体电极；步骤6、形成一层微阵列微针圆锥结构；步骤7、沉积碳化硅保护层；步骤8、将芯片本体封装于凹槽内。
-
公开(公告)号：CN115077648B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210995877.3
申请日：2022-08-19
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种MEMS质量流量传感器及制备方法，其测温元件热电偶设计了一种“Z”形冷端工艺，温度测量时，冷热端温差更大，提升了测温灵敏度，提高了对细微温度变化的分辨率，进而增大了质量流量测量量程，其包括衬底，所述衬底上表面设置有一层支撑层，所述支撑层的上表面设置有中心加热元件、测温热电堆元件和温度补偿电阻，所述测温热电堆元件包括测温热电偶对，其特征在于：每个所述测温热电偶对的下层热电偶均为“Z”形结构，所述下层热电偶的下端贯穿支撑层与衬底相连接。
-
公开(公告)号：CN115248080A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110470077.5
申请日：2021-04-28
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本发明公开了具有垂直排列热电偶的MEMS热电堆结构，包括硅基底，所述硅基底上设有第一绝缘膜层，本发明还提出了一种具有垂直排列热电偶的MEMS热电堆结构的制作方法，包括以下步骤：步骤S100,在硅基底上沉积第一绝缘膜层；步骤S200；步骤S400；步骤S500；步骤S600；步骤S700；步骤S800。本发明，通过设置第二绝缘膜层、第三绝缘膜层，并在二者上对应设置通孔将热电偶直柱与相应的金属电极电性连接起来，可以通过通孔精确控制热电偶直柱与第一、第二金属电极的欧姆接触，可以严格控制先后沉积的热电偶材料完全按照设计形成顶部‑底部首尾串联，通过调节通孔的面积和形状，能提升串联电路的总电阻阻值的一致性，为更密集的行列布置提供了实施条件。
-
公开(公告)号：CN115235682A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202211151573.5
申请日：2022-09-21
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本申请公开了一种MEMS压力传感器的封装结构及方法，所述MEMS压力传感器的封装结构包括：底座，与膜片形成密封腔体，所述密封腔体内部设有传感介质及压力传感芯片，当外界压力增大时，所述膜片向所述密封腔体的内侧弯曲，以使所述密封腔体收缩并通过传感介质向压力传感芯片传递压力；所述底座包括底板，所述底板包括第一结构层、第二结构层以及位于第一结构层和第二结构层之间的N型半导体和P型半导体，所述N型半导体与所述P型半导体相串联后与直流电源连接。本申请的封装结构可以实现对密封腔体内部温度的控制，能够避免环境温度变化导致传感器芯片性能产生漂移的问题。
-
公开(公告)号：CN115183931A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202211082788.6
申请日：2022-09-06
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种MEMS气体压力传感器封装结构，其便于组装，能够使得MEMS气体压力传感器具有较高的可靠性和密封性，其包括壳体、电路板和上盖；其特征在于：所述壳体的内部设置有安装腔，所述安装腔的前侧设置有安装槽，所述壳体的下端设置有导向槽，所述壳体的后端侧边上设置有气嘴，所述气嘴的气管与安装腔相连通；所述电路板通过密封胶固定安装在安装腔内，所述电路板的前侧安装有气压传感器芯片和金属端子，所述气压传感器芯片的底部进气口通过电路板的通孔与气嘴的气管相连通，所述金属端子的引脚通过导向槽引出至壳体外部；所述上盖通过密封胶固定安装在安装槽内，所述上盖上设置有通孔，所述通孔与气压传感器芯片的顶部进气口相连通。
-
公开(公告)号：CN115183918A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210853844.5
申请日：2022-07-20
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种适用于MEMS压力传感器的带温补电桥平衡结构，其可以调节零点电压和满量程电压，实现温度补偿，提高了MEMS压力传感器的测量精度，同时简化了电桥结构，降低了生产工艺成本并提高了可靠性，其包括由第一压敏电阻R1、第二压敏电阻R2、第三压敏电阻R3、第四压敏电阻R4构成的惠斯通电桥，其特征在于：所述惠斯通电桥与地GND之间串联有第一限幅电阻R；所述第四压敏电阻R4的两端并联有第一调零电阻Ro‑，或者所述第一压敏电阻R1的两端并联有第二调零电阻Ro+。
-
公开(公告)号：CN113108922A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110435938.6
申请日：2021-04-22
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
IPC分类号： G01J5/12
摘要： 本发明公开一种MEMS热电堆传感器及其制造方法。MEMS热电堆传感器包括：第一衬底上设置有多个安装位，多个安装位在第一衬底上排列呈环形；多个热电堆单元对应的安装在多个安装位上；其中，热电堆单元包括：第二衬底由高阻硅构成；第一热偶层设置在第二衬底上，第一热偶层包括第一半导体和第一金属；隔离层铺设在第一热偶层上；第二热偶层设置在隔离层上，第二热偶层包括第二半导体和第二金属，第二半导体与第一金属关于隔离层对称，第二金属与第一半导体关于隔离层对称；第一金属与其对应的第二半导体连接形成热电偶，第二金属与其对应的第一半导体连接形成热电偶，相邻的热电偶串联。本发明技术方案有利于提高MEMS热电堆传感器的检测灵敏度。
-
公开(公告)号：CN101835079B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010142506.8
申请日：2010-04-09
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种电容式微型硅麦克风及其制备方法。其包括基板；所述基板的中心区淀积有振膜；基板对应于设置基板的表面还淀积有绝缘材料层；所述绝缘材料层覆盖在基板与振膜的表面，且与振膜间形成空腔；绝缘材料层与振膜相对应的内壁上设置固定连接的背极板，所述背极板与振膜形成电容结构；绝缘材料层与振膜相对应的外壁上设置若干声孔，所述声孔与绝缘材料层、振膜形成的腔体相连通；基板对应于设置振膜的下部设置声腔，所述声腔的深度从基板对应于设置振膜另一端表面延伸到振膜。本发明制造成本低、成品率高、工艺操作简单及满足小尺寸的要求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
173 条记录 (耗时 0.052 秒)
