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公开(公告)号：CN113066725A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110286665.3
申请日：2021-03-17
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
发明人： 詹智颖
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/06
摘要： 本发明提供了一种晶体管及其制作方法，该制作方法包括：提供一隔绝层；在隔绝层上形成半导体层；在半导体层背离隔绝层的一侧形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述半导体层的隔绝区域；对所述半导体层的其它区域进行掺杂处理形成源极和漏极，所述隔绝区域位于所述源极和所述漏极之间；在所述阻挡层的侧壁形成掩膜层，所述掩膜层覆盖所述源极的部分区域，以及所述漏极的部分区域；进行刻蚀处理以刻蚀掉未被所述掩膜层覆盖的源极区域和漏极区域。通过对源极和漏极区域进行刻蚀处理，在缩小源极和漏极尺寸的情况下，实现了一种更小尺寸更高集成度的晶体管架构。与曝光技术的制作方法相比较而言，在工艺简单的前提下，还可以实现更小尺寸的源极和漏极。
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公开(公告)号：CN113035954A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110213264.5
申请日：2021-02-25
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
发明人： 詹智颖
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
摘要： 本发明的实施例提供了一种全环绕闸极水平贯穿式晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。全环绕闸极水平贯穿式晶体管包括衬底、隔离层、闸极、绝缘层和器件单元；隔离层生长在衬底上；多个闸极平铺、间隔生长在隔离层上；绝缘层生长在闸极和隔离层上；至少一个器件单元生长在绝缘层上。这样，通过在隔离层上平铺、间隔生长多个闸极，全部的闸极可以一次性同时形成，不存在各个闸极单独形成的情况，也不存在闸极制造顺序不同的情况，各个闸极受到的负载相同，再在闸极和隔离层上生长绝缘层和至少一个器件单元，各个器件单元之间不会存在明显的电性差异。
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公开(公告)号：CN113035695A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110211225.1
申请日：2021-02-25
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/09
摘要： 本发明提供了一种掩膜结构的制备方法、半导体器件及其制备方法，无需在SOC层和SOG层之间及在SOG层和光刻胶层之间制备粘合剂结构，仅仅需要在衬底的亲水性表面和SOC层之间形成粘合剂层即可，进而能够降低掩膜结构的制备难度和成本。并且，由于仅需要在衬底和SOC层之间形成粘合剂层，因此所需粘合剂材料较少，在制备光刻胶层前能够保证制备腔体内粘合剂材料的充分排放，避免粘合剂材料出现结晶而掉落至光刻胶层表面的情况出现，保证光刻胶层的制备质量较高，改善了掩膜结构制备过程中出现的缺陷的情况。
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公开(公告)号：CN112967995A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110139329.6
申请日：2021-02-01
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种芯片夹具、芯片清洗装置及芯片刻蚀装置，涉及芯片制造技术领域。芯片夹具包括支撑平台以及设置在支撑平台上的多个卡盘，多个卡盘围合形成了芯片的固定空间，芯片的边缘同时与多个卡盘的侧壁接触以固定在固定空间内，芯片与支撑平台之间存在间隙。芯片被多个卡盘的侧壁共同卡紧在固定空间内并与下方的支撑平台间存在一定的距离。卡盘的侧壁仅与芯片的边缘接触，同时，芯片的背面与支撑平台之间具有间隙，使得芯片的背面被完全暴露，不与其他物体接触。上述芯片夹具在进行芯片背面清洗或微刻蚀时，有效避免了芯片背面因被覆盖而产生水痕或刻蚀厚度不均匀的现象，提高了芯片的良品率。
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公开(公告)号：CN112951920A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110177234.3
申请日：2021-02-07
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
发明人： 陈尚志
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本申请公开了一种半导体鳍式场效应晶体管结构及其制备方法，其中，所述半导体鳍式场效应晶体管结构的衬底中设计有至少两类防穿通注入，不同类的所述防穿通注入深入所述衬底的深度和/或掺杂浓度不同，可以兼顾不同器件或区域对于载流子迁移率和抗漏电能力的需求，避免同一深度或掺杂浓度的防穿通注入无法兼顾载流子迁移率和抗漏电能力需求的情况，实现合理设计半导体鳍式场效应晶体管结构中的防穿通注入、兼顾载流子迁移率和抗漏电能力需求的目的。
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公开(公告)号：CN112925172A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110083384.8
申请日：2021-01-21
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
摘要： 本发明提供了一种光刻胶层的形貌检测方法及系统，包括：提供待测样品，所述待测样品包括衬底基板及位于所述衬底基板一侧上的光刻胶层，所述光刻胶层包括待检测区；对所述光刻胶层的待检测区进行冷脆处理；沿裂片线对所述待测样品进行裂片，裸露所述光刻胶层在所述待测区的截面，其中，所述待检测区位于所述裂片线的延伸路径上；对所述光刻胶层在所述待测区的截面进行形貌检测。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，在对待测样品进行裂片前，对光刻胶层的待检测区进行了冷脆处理，进而能够降低光刻胶层的待检测区处的截面在裂片时发生形变的情况，保证对光刻胶层在待检测区的截面处形貌检测的准确性高。
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公开(公告)号：CN112743447A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011644887.X
申请日：2020-12-31
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
发明人： 叶顺成
摘要： 本发明公开了一种转轴角度确认机构及硅片研磨装置，涉及硅片制造技术领域。一种转轴角度确认机构包括支撑平台、光源和两个接收杆，支撑平台用于安装转轴，转轴穿过支撑平台的支撑面，光源设置在转轴的侧壁上，两个接收杆分别垂直安装在支撑平台上，且两个接收杆相互平行，光源发出的光线随着转轴的转动照射在两个接收杆上。上述转轴角度确认机构通过测量设置在转轴上的光源的光线照射在两个平行且垂直于支撑平台的接收杆上的位置，确定转轴安装是否正常以及转轴与支撑平台之间是否存在异物，可以在硅片研磨之前确认转轴安装是否存在偏移，缩短了验证时间，有效避免了因转轴安装不良引起的硅片质量异常或者破片，减少了经济损失。
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公开(公告)号：CN112530794A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011387805.8
申请日：2020-12-01
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/033
摘要： 本发明提供了一种光刻方法、半导体器件及其制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底一侧表面形成光刻胶层；将所述光刻胶层背离所述衬底一侧朝向地面；自所述地面朝向所述衬底方向，对所述光刻胶层进行曝光；对曝光后的所述光刻胶层进行显影；对所述衬底进行刻蚀后去除所述光刻胶层。本发明提供的技术方案，在对光刻胶进行曝光时，将光刻胶层背离衬底一侧表面朝向地面，进而能够避免微粒受重力作用掉落在光刻胶层的表面而出现曝光不精准的情况，本发明提供的技术方案能够保证光刻制程的效果高，提高了半导体器件的制作良率。
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公开(公告)号：CN112507491A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011471523.6
申请日：2020-12-14
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
摘要： 本发明提供了一种参数化单元及其实现方法，包括：提供参数化单元，所述参数化单元包括多个第一结构和多个第二结构，所述第一结构和所述第二结构为重复的结构，所述第一结构和所述第二结构的功能不同；改变所述第一结构和/或所述第二结构的图层设定，使所述第一结构的功能与所述第二结构的功能相同，和/或，使所述第二结构的功能与所述第一结构的功能相同，使所述第一结构和/或所述第二结构与其他结构形成所需的器件，从而可以实现器件的特性和器件的面积的平衡，即在最少面积的浪费下，得到最佳的器件特性。
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公开(公告)号：CN112420674A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011302974.7
申请日：2020-11-19
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/66 , G03F9/00 , G01B15/04
摘要： 本发明实施例公开了一种套刻对准标记和套刻误差测量方法，通过设置在待测晶片的厚度方向上，前层标记图案沿第一方向延伸的第一侧边的至少部分、第二侧边的至少部分和当层标记图案暴露，前层标记图案的第一侧边与当层标记图案之间，以及前层标记图案的第二侧边与当层标记图案之间包括刻蚀区，该刻蚀区内不包括当层的结构，而可以包括前层的结构，因此进行电子束扫描时，当层标记图案和前层标记图案相当于在一个平面内，进而使得电子束扫描得到的SEM图像可以清楚的显示出当层标记图案和前层标记图案的边界，进而可以根据第一侧边与当层标记图案的最小距离以及第二侧边与当层标记图案的最小距离得到准确的套刻误差。
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