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公开(公告)号：CN103472413A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310461005.X
申请日：2013-09-30
申请人： 东南大学
IPC分类号： G01R33/028
摘要： 本发明公开了一种用于测量磁场方向的微机电系统磁场传感器，包括从下向上依次叠加设置的衬底、底电极层、牺牲层、金属层和氮化硅层，牺牲层的中部和金属层的中部均为空心，氮化硅层的中部为弯曲板，弯曲板的一侧设有向外延伸的凸板，金属层的顶面设有锚区，凸板与锚区固定连接，弯曲板位于金属层中部的上方；弯曲板的底面设置第一电容、第二电容和第三电容，弯曲板的顶面布设有第一电容引线、第二电容引线、第三电容引线和沿弯曲板边缘布设的金属线；金属线的两端分别与一个第四焊盘连接；底电极层与金属层连接；在氮化硅层的边部上方设置第五焊盘，金属层与第五焊盘连接。该磁场传感器结构简单，可以实现磁场方向以及幅度的测量。
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公开(公告)号：CN102914750A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210470225.4
申请日：2012-11-19
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G01R33/028
CPC分类号： G01R33/028
摘要： 本发明提供一种微机械磁场传感器及其应用，所述微机械磁场传感器至少包括：谐振振子对和依次形成于其表面上的绝缘层及金属线圈。本发明利用单端电容激励和电磁感应来测量磁场大小，其中，构成谐振振子对的两个谐振振子结构工作在同相位模式，各该谐振振子结构上的金属线圈环绕方向相反，两个谐振振子结构上的金属线圈产生的感应电动势相互串联；由于采用了差分方式输出，消除输出信号中的容性耦合信号，以获得单纯的磁场输出信号；同时，本发明利用耦合结构将两个谐振振子结构耦合起来使两个谐振振子结构连接为一体运动；进一步，本发明结构简单，受温度影响小，输出信号大，灵敏度高，检测的准确度高，适合高工作频率。
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公开(公告)号：CN101408595B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200810227535.7
申请日：2008-11-28
申请人： 清华大学
IPC分类号： G01R33/028 , B81B7/02 , B81B7/00
摘要： 本发明公开了传感器制造技术领域中的一种扭摆式微型磁敏感器。技术方案是，扭摆式微型磁敏感器包括表头芯片和检测控制电路；表头芯片由低阻硅片和玻璃基底键合而成；检测控制电路包括高频调制模块、一次同步解调模块、锁相环、二次同步解调模块。低阻硅片由可动结构和支座构成；可动结构包括扭摆、两根折叠梁、应力释放结构和阻尼孔；可动结构上面加工有上层金属线圈、下层金属线圈、T字型开口和SiNx绝缘层；玻璃基底上包含金属极板、金属极板引线电极和硅引线电极；支座与玻璃基底阳极键合，并使可动结构与玻璃基底脱离，成悬空状态。本发明提供的磁敏感器制作简便、灵敏度高、灵活性强；输出的信号准确、稳定。
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公开(公告)号：CN101408595A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810227535.7
申请日：2008-11-28
申请人： 清华大学
IPC分类号： G01R33/028 , B81B7/02 , B81B7/00
摘要： 本发明公开了传感器制造技术领域中的一种扭摆式微型磁敏感器。技术方案是，扭摆式微型磁敏感器包括表头芯片和检测控制电路；表头芯片由低阻硅片和玻璃基底键合而成；检测控制电路包括高频调制模块、一次同步解调模块、锁相环、二次同步解调模块。低阻硅片由可动结构和支座构成；可动结构包括扭摆、两根折叠梁、应力释放结构和阻尼孔；可动结构上面加工有上层金属线圈、下层金属线圈、T字型开口和SiNx绝缘层；玻璃基底上包含金属极板、金属极板引线电极和硅引线电极；支座与玻璃基底阳极键合，并使可动结构与玻璃基底脱离，成悬空状态。本发明提供的磁敏感器制作简便、灵敏度高、灵活性强；输出的信号准确、稳定。
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公开(公告)号：CN1379860A
公开(公告)日：2002-11-13
申请号：CN00813965.2
申请日：2000-07-24
申请人： 森泰克有限公司
发明人： 安德鲁·尼古拉斯·达姆 , 爱德华·格雷利耶·科尔比
IPC分类号： G01R15/18 , G01R33/028
CPC分类号： G01R15/18 , G01R15/185
摘要： 本发明公开了一种用于测量供给负载中的能量的财务电量计。负载电流流过一个传感器的初级线圈并感应可以表示流过次级线圈中的电流的EMF(电动势)。次级线圈包括一个设置成可以更强烈地耦合初级线圈的传感绕组以及一个抵消补偿绕组,这两个绕组具有相同并相对的多匝导体面积,以便可以提供对外界磁场的无效响应。绕组设置成它们的磁轴共轴并对齐,这样它们还可以对具有场梯度的外界磁场提供无效响应。
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公开(公告)号：CN118483628A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410946867.X
申请日：2024-07-16
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G01R33/00 , G01R33/028
摘要： 本公开涉及磁传感技术领域，具体涉及一种磁敏元件及其制备方法、磁敏传感器、电子器件、芯片和电子设备。该磁敏元件包括：基底、有源区、激励电极和磁偏转电流检测电极；该基底位于最底层；该有源区形成于该基底上；该有源区为梳状结构，该梳状结构包括梳脊和多个梳齿，该多个梳齿从该梳脊的一侧或多侧伸出；该激励电极设置于该梳脊上或该梳脊外围，与该梳脊形成电接触，通过导线与外部电源相连，用于为该磁敏元件施加激励电流；该磁偏转电流检测电极设置于该梳齿两侧，用于检测该激励电流因磁场作用而发生偏转后所产生的电流变化。磁敏传感器包括该磁敏元件，利用该激励电流所产生的电流变化测量磁场，由此提高了传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN118444220A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410534400.4
申请日：2024-04-29
申请人： 华南农业大学
IPC分类号： G01R33/02 , G01R33/028 , G01R33/00
摘要： 本发明公开一种阵列式内共振微机械结构及其微型磁传感器，通过内共振系统经阵列拓扑组成；在串并联拓扑关系上，一对扭转结构通过耦合梁相接，形成阵列系统中的最小系统，再根据最小系统的数量，利用耦合梁相接，形成内共振多阵列系统；多阵列通过耦合梁进行连接具有不同的串并联方式；在高低频结构的位置关系上，一对具有整数倍频比的扭转或平动结构通过内共振的原理实现谐振，其中一个为高频扭转或平动结构，另一个为低频扭转或平动结构。而对于内共振多阵列系统中高频或低频的扭转或平动结构则具备多种不同的位置组成关系。通过将各个内共振阵列系统的敏感信号相叠加作为信号输出，有利于降低谐振结构的等效电阻并提高磁传感器灵敏度等。
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公开(公告)号：CN117120861A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202280024815.6
申请日：2022-03-21
申请人： 恩德莱斯和豪瑟尔欧洲两合公司
IPC分类号： G01R33/028
摘要： 本发明涉及一种用于检测磁场(B)的磁场传感器(6)，包括：‑能够机械振荡的磁电传感器元件(1)，该传感器元件(1)具有由磁致伸缩材料制成的至少一个第一层(2)、由压电材料制成的第二层(3)以及由导电材料制成的至少一个电极(4)，该导电材料更具体地是金属；以及‑电子器件(7)。磁场传感器(6)，更具体地电子器件(7)，被设计成借助于激励信号(A)引起传感器元件(1)的机械振荡、接收传感器元件(1)的机械振荡并将所述机械振荡转换成接收信号(E)、从接收信号(E)产生激励信号(A)，并且基于接收信号(E)确定与磁场(B)相关的变量。
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公开(公告)号：CN114325509A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111652246.3
申请日：2021-12-30
申请人： 北京理工大学重庆创新中心 , 北京理工大学
IPC分类号： G01R33/02 , G01R33/028 , H01M50/40 , H01M50/403
摘要： 本发明公开了一种用于检测锂离子电池枝晶生长的智能隔膜及检测方法，所述智能隔膜用于锂离子电池中，该智能隔膜包括隔膜基体，隔膜基体至少一面负载磁性金属的非磁性化合物，磁性金属的非磁性化合物通过磁控溅射的方法覆盖在隔膜基体上，以形成智能隔膜。本发明利用智能隔膜来判断锂离子电池的锂枝晶生长情况，不仅时效性好，在锂离子电池短路前监测到锂枝晶，而且可以在不破坏锂离子电池的情况下准确检测出生长的锂枝晶，不影响锂离子电池正常工作的能力。本发明克服了传统锂枝晶检测方法所存在的操作难度大、准确性差、检测效率低等问题。
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公开(公告)号：CN111693906A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010587423.3
申请日：2020-06-24
申请人： 电子科技大学 , 苏州芯镁信电子科技有限公司
IPC分类号： G01R33/00 , G01R33/028 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , C23C14/24 , C23C14/08 , C23C14/06 , C23C14/18
摘要： 本发明公开了一种硅基腔光机械系统洛伦兹力磁场传感器加工方法，包括以下步骤S1、准备SOI衬底；S2、在SOI衬底表面蒸镀一层绝缘介质层，在绝缘介质层上蒸镀一层金属薄膜形成洛伦兹线圈结构；S3、通过图形化处理和等离子体增强蚀刻工艺在SOI衬底上蚀刻出大质量块、固定块、悬臂梁以及周期排列的腐蚀孔；S4、采用电子束曝光刻蚀技术，刻蚀出光子晶体结构；S5、采用HF气体腐蚀大质量块、固定块以及光子晶体区域下方SOI衬底埋氧层。本发明采用了新型的金属氧化物和氟化物作为介质层，并使用HF干法释放工艺，解决了传统介质层无法耐受HF溶液的问题，极大的缩短了工艺时间，且不存在局部F离子浓度不均匀的状况，刻蚀更加均匀。
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