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公开(公告)号：CN118524713A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410583239.X
申请日：2024-05-11
申请人： 西安交通大学
摘要： 一种非易失有机电化学晶体管阵列及其制备方法，非易失有机电化学晶体管包括氧化硅衬底，氧化硅衬底上沉积有漏极和栅极，漏极和栅极在水平方向上留有间隙；漏极上方沉积有聚合物半导体层，在漏极和聚合物半导体层的四周以及栅极与氧化硅衬底之间沉积有聚合物钝化层，在聚合物半导体层上方的聚合物钝化层中沉积源极，封装在聚合物钝化层内部的源极、聚合物半导体层和漏极组成垂直结构；在垂直结构与栅极的上方以及垂直结构与栅极及栅极下方的聚合物钝化层之间覆盖和填充电解质；栅极连接外部写入脉冲电路，漏极连接外部读取脉冲电路，源极接地。本发明能够从阵列角度实现高均一性、强非易失性、低串扰以及高集成密度的特点，适用于神经形态计算。
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公开(公告)号：CN118475134A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410566685.X
申请日：2024-05-09
申请人： 北京印刷学院
摘要： 本发明属于纳米材料及光电子学领域，具体公开一种碳纳米管复合稀土铕配合物突触晶体管及其制备方法与应用。本发明将稀土铕配合物与碳纳米管相结合，可以充分发挥两者的优势，实现突触晶体管的高性能模拟，对于开发低成本柔性类神经元电子器件具有重要现实意义。所述的碳纳米管复合稀土铕配合物生长于源极漏极的上表面，器件具有突触特性。本发明提供的基于碳纳米管复合稀土铕配合物晶体管器件具有类神经元功能，且制备工艺简单，可通过喷墨印刷在柔性基底上制备高分辨突触晶体管阵列，具有产业化前景。
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公开(公告)号：CN118459700A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410535018.5
申请日：2024-04-30
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： C08G16/02 , H10K85/10 , H10K10/46 , C07D513/16 , C07D487/16 , H10K85/60
摘要： 本发明公开了一种噻唑/吡嗪基稠环受体及其梯形共轭聚合物半导体材料的制备方法与应用。该类材料具有以下式(I)和式(II)所示的结构式。本发明以4,7‑二溴‑5,6‑硝基苯并[c][1,2,5]噻二唑和5‑苊频哪醇硼酸酯为起始原料，采用Suzuki‑Miyaura偶联、Cadogan环化、亲核取代、LiAlH4还原、缩合和苯亚硒酸酐氧化法，制备得到了四酮功能氮杂螺烯单体5和7。进一步分别与1,2‑苯二乙腈和2,2',2”,2”'‑(苯‑1,2,4,5‑四酰基)四乙腈进行Knoevenagel缩合反应，制得式(I)和式(Ⅱ)所示噻唑/吡嗪基稠环受体及其梯形共轭聚合物半导体材料。本发明提供的技术路线具备原料易得、缩合反应条件温和、普适性高和重复性好等特点。另外，该类材料具有结构与性质易调、吸电能力强、成膜性好、热稳定性优异以及双极性载流子传输性能优异等优点，在有机场效应晶体管、有机逻辑互补电路、全聚合物太阳能电池等光电器件中展现出广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118344293A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202311397335.7
申请日：2023-10-25
申请人： 中国石油化工股份有限公司 , 中石化石油化工科学研究院有限公司
IPC分类号： C07D221/18 , H10K85/60 , H10K10/46
摘要： 本发明涉及有机光电材料领域，公开了一种苊二聚体衍生物及其制备方法和应用，所述苊二聚体衍生物具有式(1)所示的结构，#imgabs0#其中，R、R3、R4、R5、R6各自独立地选自氢、卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、烷氧基或烷硫基。该苊二聚体衍生物兼具空穴传输性能和电子传输性能，具有良好的双极性，在场效应晶体管中具有重要应用价值。
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公开(公告)号：CN118284064A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211722306.9
申请日：2022-12-30
申请人： 广东粤港澳大湾区国家纳米科技创新研究院 , 国家纳米科学中心
IPC分类号： H10K10/46 , H10K85/20 , H10K71/60 , H10K71/16 , H01L23/544
摘要： 本申请属于电子学技术领域，尤其涉及一种基于无序单壁碳纳米管条带自旋场效应晶体管及制备方法。包括：绝缘衬底和分别设置在绝缘衬底表面的碳纳米管条带、导电电极和探测电极，以及栅电极；导电电极用于提供导通电路；碳纳米管条带由无序单壁碳纳米管组成，与导电电极和探测电极形成欧姆接触；位于导电电极与探测电极下方的碳纳米管的管壁上具有开口，有电流通过所述导电电极时，碳纳米管条带中产生自旋流；探测电极用于检测碳纳米管条带中的自旋流；栅电极用于提供栅极电压控制自旋流的状态。本申请基于无序单壁碳纳米管条带自旋场效应晶体管，实现电流和自旋流的分离，器件的稳定性好，非局域电压随栅压调控明显，非局域电压随栅压跳变更突变。
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公开(公告)号：CN118239965A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311741807.6
申请日：2023-12-18
申请人： 国立大学法人京都大学 , 爱思开新材料捷恩智株式会社
摘要： 本发明提供一种新颖的多环芳香族化合物及其多聚体、有机器件用材料及其应用、有机电场发光元件及其应用。通过通式(A‑1)所表示的多环芳香族化合物，增加有机器件用材料的选择项。所述式(A‑1)中，Ra1～Ra3、Rb1～Rb4及Rc1～Rc4分别独立地为氢、芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基、烷基、环烷基、烯基、烷氧基、芳氧基、芳硫基或取代硅烷基，Y1为B、P、P＝O、P＝S、Al、Ga、As、Si‑R或Ge‑R，X1及X2分别独立地为O、N‑R、C(‑R)2、Si(‑R)2、S或Se，其中，X1及X2的至少一个为N‑R，此时，所述N‑R的R为式(G‑1)所表示的基。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN114213258B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202111521169.8
申请日：2021-12-13
申请人： 北京未名元上分子技术有限公司 , 南开大学
IPC分类号： C07C211/50 , C07C211/31 , C07D487/22 , C07D471/06 , H10K71/15 , H10K71/12 , H10K85/60 , H10K10/46
摘要： 本申请提供了一种平面共轭分子化合物及包含其的单分子场效应晶体管，所述平面共轭分子化合物，共轭性好，平面性好，能够实现面对面堆积，有利于载流子的传输；所述单分子场效应晶体管中，所述平面共轭分子化合物能够通过酰胺共价键稳定连接于具有纳米间隙阵列的二维单层石墨烯的间隙形成分子异质结，并采用具有原子级平整且原子层厚度可控的新型二维材料，通过不同二维材料的范德华堆叠组装，形成范德华异质结构，能够实现单分子场效应晶体管器件制备的精准控制和测量的稳定性，使单分子场效应晶体管具有较强的栅电场调控能力、较好的稳定性和集成性。
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公开(公告)号：CN118147506A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410322555.1
申请日：2024-03-20
申请人： 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司 , 山西北大碳基薄膜电子研究院 , 太原理工大学
摘要： 本发明涉及一种用于源漏电极的低功函数合金及其制备方法，属于半导体器件技术领域，所述合金包括：原子百分比为32at.％‑80at.％的钪；原子百分比为20at.％‑60at.％的钇；以及原子百分比为0‑8at.％的微调元素，其中，所述微调元素为锆、镍、铪、钛、硅、钕中的一种或多种。本申请提供合金及其制备方法，通过设计了主要成分为钪和钇的合金，并且在其中掺杂微调元素，在保证功函数和碳纳米管导带对准、合金和碳纳米管浸润性的基础上，使合金不易氧化，并形成了优异的N型欧姆接触，有利于降低碳纳米管N型晶体管的接触电阻、有利于提高碳纳米管N型晶体管的电学性能、有利于制备小尺寸碳纳米管N型晶体管器件。
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