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公开(公告)号：CN118147479A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410322563.6
申请日：2024-03-20
申请人： 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司 , 山西北大碳基薄膜电子研究院 , 太原理工大学
摘要： 本发明涉及一种用于源漏电极的高功函数合金及其制备方法，属于半导体器件技术领域，所述合金包括：原子百分比为30at.％‑45at.％的钯；原子百分比为35at.％‑65at.％的铂；以及原子百分比为5at.％‑20at.％的的微调元素，其中，所述微调元素为镍、钴、金、钌、铑、铱中的一种或多种。本申请提供的用于源漏电极的高功函数合金及其制备方法，相较单元素金属具有更高的功函数，有利于和小直径碳纳米管价带对准、降低接触势垒，并且保持了和小直径碳纳米管接触的浸润性，提升开态电流；此外，由于提供的合金具有更高的功函数，对大直径碳纳米管也展示出较现有技术方案更优异的开态电流。
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公开(公告)号：CN118159040A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410322558.5
申请日：2024-03-20
申请人： 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司 , 山西北大碳基薄膜电子研究院 , 太原理工大学
IPC分类号： H10K10/84 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C1/02 , C22F1/18 , C22F1/02 , H10K10/46 , H10K85/20 , H10K10/88 , H10K71/60
摘要： 本发明涉及一种基于低功函数合金的源漏结构、N型晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域，所述结构包括：低功函数合金层，其中，低功函数合金层的材料包括：原子百分比为32at％‑80at％的钪；原子百分比为20at％‑60at％的钇；以及原子百分比为0‑8at％的微调元素，微调元素为锆、镍、铪、钛、硅、钕中的一种或多种；设置在低功函数合金层上方的金属钝化层，其中，金属钝化层的材料为铝、钯、钛、铬、金等中的一种或多种；以及设置在金属钝化层上方的非金属钝化层，其中，非金属钝化层为氧化物钝化层或氮化物钝化层。本申请提供的基于低功函数合金的源漏结构、N型晶体管及其制备方法，有利于降低N型晶体管的接触电阻、提高N型晶体管的电学性能。
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公开(公告)号：CN118147506A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410322555.1
申请日：2024-03-20
申请人： 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司 , 山西北大碳基薄膜电子研究院 , 太原理工大学
摘要： 本发明涉及一种用于源漏电极的低功函数合金及其制备方法，属于半导体器件技术领域，所述合金包括：原子百分比为32at.％‑80at.％的钪；原子百分比为20at.％‑60at.％的钇；以及原子百分比为0‑8at.％的微调元素，其中，所述微调元素为锆、镍、铪、钛、硅、钕中的一种或多种。本申请提供合金及其制备方法，通过设计了主要成分为钪和钇的合金，并且在其中掺杂微调元素，在保证功函数和碳纳米管导带对准、合金和碳纳米管浸润性的基础上，使合金不易氧化，并形成了优异的N型欧姆接触，有利于降低碳纳米管N型晶体管的接触电阻、有利于提高碳纳米管N型晶体管的电学性能、有利于制备小尺寸碳纳米管N型晶体管器件。
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公开(公告)号：CN118506736A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410746430.1
申请日：2024-06-11
申请人： 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司 , 山西北大碳基薄膜电子研究院
IPC分类号： G09G3/3258 , G09G3/3266
摘要： 本申请公开了一种碳基有源矩阵Micro‑LED的驱动系统及显示器，属于显示控制领域，包括FPGA控制器、供电与通信接口模块、电源管理电路、电压调节电路以及控制电平运放电路，其中：供电与通信接口模块，用于连接外部电源以及上位机；FPGA控制器，通过供电与通信接口模块连接上位机，用于进行碳基P型有源矩阵Micro‑LED的显示控制；电源管理电路，连接供电与通信接口模块，用于将外部电源转换为+5V电源、‑5V电源以及为各个模块供电；电压调节电路，用于对+5V电源和‑5V电源进行调节控制，可为VDD端供电，并输出0.5V～+5V和‑1.2V～‑5V的线性电压；控制电平运放电路，为DATA端和SCAN端供电。本驱动系统能够对碳基P型有源矩阵Micro‑LED进行驱动控制，实现亮度调节以及文字、图片的显示。
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公开(公告)号：CN116947022A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210387364.4
申请日：2022-04-14
申请人： 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 , 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种本征型半导体碳纳米管材料的制备方法。通过使用可降解共轭聚合物替代常用的分离聚合物，可实现半导体碳纳米管的分离提纯及表面聚合物的去除。本发明使用的聚合物在保证了半导体碳纳米管的分离产率和高纯度的基础上，在弱酸条件下即可快速降解，分解为小分子，从碳纳米管表面去除，使半导体碳纳米管表现其本征性能。因此，采用本发明的方法可制备得到具有其本征性能的半导体碳纳米管材料，且工艺简单，条件温和，稳定高效，可广泛应用于碳基电子领域。
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公开(公告)号：CN116947026A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210387265.6
申请日：2022-04-14
申请人： 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 , 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司
IPC分类号： C01B32/168 , C01B32/17 , C08G73/06
摘要： 本发明公开了一种基于可降解聚合物和微流道制备本征碳纳米管阵列的方法。采用含有可降解基团的共轭聚合物分离制备高纯度半导体碳纳米管溶液，并基于此溶液采用微流道两相限域自组装法同时在两片衬底上制备高密度碳纳米管阵列，随后使用弱酸性溶剂将碳纳米管表面包裹的可降解聚合物分解为小分子，经过后续清洗、退火等工序，使其完全从碳纳米管表面去除，得到高半导体纯度、高密度和表面无聚合物包裹的本征碳纳米管阵列，为实现碳纳米管的极限性能奠定了材料基础，有利于碳纳米管电子技术的早日应用。
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公开(公告)号：CN116925306A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210354231.7
申请日：2022-04-06
申请人： 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 , 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司
IPC分类号： C08G12/08 , C01B32/159 , C01B32/17
摘要： 本发明公开了一种可降解共轭聚合物、制备方法及应用。通过分子结构和合成工艺设计，通过在聚合物主链中引入亚胺键(C＝N)直接与芳杂环连接可保证聚合物主链的共轭结构，保证了半导体碳纳米管的分离产率和高纯度；C＝N键在弱酸条件下可快速降解，使聚合物分解为小分子，从碳纳米管表面去除。采用本发明制备的聚合物可高效分离半导体碳纳米管，并在弱酸性条件下快速从碳纳米管表面去除，得到具有其本征性能的半导体碳纳米管材料，相较于常用的分离半导体碳纳米管用共轭聚合物，不仅能够实现半导体碳纳米管的分离提纯，还能够实现包裹在碳纳米管表面聚合物的去除，工艺简单，可广泛应用于碳基电子领域。
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公开(公告)号：CN118571788A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410624122.1
申请日：2024-05-20
申请人： 山西北大碳基薄膜电子研究院
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是一种用于沉积纳米棒、线网络薄膜的自动化设备，包括机台，在所述机台的内部设置有药液池以及清洗池，所述机台的顶部设置有气路接口；所述机台的内部还安装有移载单元，所述移载单元用于对衬底托盘进行承载及移动，所述衬底托盘上设置有用于固定晶圆的夹持结构；其中所述机台上固定有控制单元，过程中监测薄膜电阻，控制密度，制备的薄膜不仅均匀性大大提高，而且能够实现批次间连续成膜，保证薄膜批次稳定性，此外，本发明中的自动化机台是通过移载单元操作，比人为手动操作更稳定，不仅移动、旋转速度可以调节，而且成膜时间控制能够精准到秒，同时自动化操作过程中晶圆接触面少，洁净度大大提高。
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公开(公告)号：CN118495522A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410610847.5
申请日：2024-05-16
申请人： 山西北大碳基薄膜电子研究院
摘要： 本发明涉及一种快速制备大面积均匀碳纳米管网络薄膜的方法及装置，属于碳纳米管制备技术领域，所述方法包括：提供基底，并对基底进行清洗和烘干处理，以及将经过清洗和烘干处理后的基底置于可伸缩夹具上；制备碳纳米管溶液，并将制备的碳纳米管溶液置于喷枪的料罐中，调节喷枪的相关参数，采用喷枪在基底上多次喷涂碳纳米管溶液；采用有机溶剂清洗经过喷涂碳纳米管溶液的基底，并采用高纯度气体吹干，得到碳纳米管网络薄膜。本申请提供的方法及装置，采用喷枪喷涂碳纳米管溶液，将碳纳米管溶液雾化，使得液滴在基底表面以更少的液量铺展的更加均匀，降低了碳纳米管网络薄膜的制备成本，不受基底软硬、形状等性质的限制，提高了制备效率。
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公开(公告)号：CN117089023A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311111875.4
申请日：2023-08-31
申请人： 太原理工大学 , 山西浙大新材料与化工研究院
IPC分类号： C08F251/00 , A61K9/06 , A61K47/36 , A61K47/02 , A61K47/32 , A61L26/00 , C08F220/54 , C08F222/38 , C08F2/44 , C08K3/04 , C08J3/075 , C08J3/24 , C08L51/02
摘要： 本发明涉及一种双重交联的复合水凝胶及其制备方法和应用，属于水凝胶技术领域，本发明的设计构思为：通过将氧化石墨烯超声破碎分散在去离子水中形成溶剂；通过交联剂N，N'‑亚甲基双丙烯酰胺交联N‑异丙基丙烯酰胺，通过缓慢滴入硫酸钙交联海藻酸钠，获得了具有优异的机械性能、生物相容性和光热性能的、双重交联的聚N‑异丙基丙烯酰胺/海藻酸钠/氧化石墨烯水凝胶，是一种双重交联可调节收缩和可控区域黏附的复合温敏水凝胶，进而通过近红外可以实现对水凝胶收缩能力的调节。在此基础上，通过引入桥接聚合物壳聚糖溶液，实现可控的区域黏附，使其在机械活性敷料和药物控释系统等领域中具有广阔的应用前景。
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