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公开(公告)号：CN102483444A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200980161327.4
申请日：2009-09-09
Applicant: 于利希研究中心有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
CPC classification number: G01R33/0356
Abstract: 本发明涉及一种SQUID自举电路(SBC)，其包括互相耦合的dc-SQUID和反馈线圈。SQUID和线圈串联连接。反馈线圈可以由超导体或常规金属制成，也可以集成在SQUID芯片上，或邻近SQUID分开地布置。SQUID和线圈一起形成新型的称为SBC的双端子器件。本发明集合了APF和NC的优势，避免了其缺陷。有了这种新设计，SQUID的电流-Ф或电压-Ф特性将是非对称性的，且等效动态电阻也将改变。
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公开(公告)号：CN102426342A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110254078.2
申请日：2011-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明公布了一种基于三端变压器的SQUID前端电路与其调整方法。三端变压器由绕制在同一个磁环上的三组线圈构成，三端变压器原边(1)和(2)用于实现SQUID磁通信号传输和方波偏置波形的补偿，副边主要用于信号输出；通过在SQUID并联支路加入合成波形，可实现SQUID偏置为理想的方波偏置电流，并可借助补偿支路对输入前置放大器的偏置载波进行补偿。本发明还提供了前端电路的调整方法，主要思路是采用低频调节-高频使用，包括偏置电流调整与工作点测定、合成波形调整、波形补偿和高频微调步骤。
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公开(公告)号：CN102392225A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110206608.6
申请日：2011-07-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/186 , C01B2204/065
Abstract: 本发明提供了一种在具有原子级平整度解理面的绝缘基底上生长石墨烯纳米带的方法，属于低维材料和新材料领域。该方法包括如下步骤：第一步解理绝缘基底得到具有原子级平整度的解理面并制备单原子层台阶；第二步以具有规则单原子台阶的绝缘基底直接生长石墨烯纳米带。本发明利用了石墨烯在原子台阶和平整解理面上成核功不同的特点，通过调节温度、压强、活性碳原子过饱和度等条件使石墨烯仅沿台阶边缘生长，生长成为尺寸可调的石墨烯纳米带。主要应用于新型石墨烯光电器件领域。
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公开(公告)号：CN102353911A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110254095.6
申请日：2011-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035 , G01R15/00
Abstract: 一种基于扰动补偿的环境场下高灵敏度磁测量装置及实现方法，该方法包括：由第二积分器、低通滤波器、第二反馈电阻和反馈线圈构成的第二反馈支路和基于该支路形成的第二磁通锁定环路，实现环境磁场低频扰动补偿。基于该方法构建的超导磁传感器可同时实现对环境场的高通响应频率特性和对电路噪声的低通响应频率特性，保证在不影响微弱信号测量的前提条件下，抑制环境场扰动对SQUID磁测量的影响，避免溢出现象发生。该方法基于超导磁传感器，适用于待测磁场信号频率高于环境场扰动频段(直流-30Hz)的应用环境。
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公开(公告)号：CN101993065A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010593157.1
申请日：2010-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种规模化制备石墨烯粉体的方法，其特征在于首先，将氧化石墨均匀剥离成氧化石墨烯悬浮溶液，然后，利用喷雾干燥技术，包括喷雾热解干燥和喷雾冷冻干燥，使氧化石墨烯溶液雾化后去除溶剂得到氧化石墨烯粉体，最后采用无膨胀热处理氧化石墨烯得到无团聚石墨烯粉体。喷雾技术的连续制备过程以及无膨胀热处理过程保证了石墨烯粉体的规模化制备。所制备的石墨烯粉体，包括中间产物氧化石墨烯粉体，没有团聚，在溶剂中分散性能好。其应用领域包括作为填料制备高强度复合材料、导电复合材料、新型气密性和阻燃性复合材料以及新型纳米器件等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101923153A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010212981.8
申请日：2010-06-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种多通道SQUID生物磁系统标定方法，是一种室温和低温相联合的标定方法。通过室温标定确定梯度计的等效误差面积，在低温下使用Helmholtz线圈产生均匀的磁场，利用系统输出的对应电压信号和测量的误差面积，进行系统磁场电压系数的标定。本发明包括以下步骤：(1)梯度计等效误差面积室温标定；(2)SQUID生物磁系统安装；(3)Helmholtz线圈低温标定。本方法的特点是利用室温和低温等效误差面积的一致性进行系统的标定，其优势是避免了单一低温线圈标定带来的空间定位精度和计算问题，操作简单，多通道同时标定，一致性好。
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公开(公告)号：CN108539004B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201810375704.5
申请日：2018-04-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种亚微米约瑟夫森隧道结及其制备方法，包括如下步骤：1）提供一衬底，并于衬底的上表面形成底层超导薄膜层、绝缘薄膜层及顶层超导薄膜层；2）刻蚀去除部分顶层超导薄膜层、部分绝缘薄膜层及部分底层超导薄膜层；3）于步骤2）所得到结构的表面形成一第一绝缘层；4）于步骤3）所得到结构的表面形成第二绝缘层；5）于步骤4）所述得到结构的表面形成附加超导薄膜层，并刻蚀附加超导薄膜层以形成第二亚微米线条，第二亚微米线条至少与第一亚微米线条呈十字交叉连接。本发明可以有效解决现有技术中存在的电极窗口问题；双层绝缘层不仅改善了边缘效应、降低了台阶过渡处漏电流的产生，还有利于提高约瑟夫森结的质量及可靠性。(56)对比文件张雪;张国峰;金华;刘晓宇;王镇.超导Nb薄膜的RIE刻蚀与表征.低温物理学报.2016,(第04期),余铁军，张雪霞，高保新，吴培亨.超导Fresnel公式及其应用.低温物理学报.1996,(第02期),
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公开(公告)号：CN111217359B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201811403473.0
申请日：2018-11-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明涉及一种Si基衬底异质集成石墨烯的制备方法，包括：提供一Si基衬底，在所述Si基衬底上表面形成介质层；提供一复合结构，所述复合结构包括牺牲衬底以及覆盖于所述牺牲衬底上表面的金属层；在所述复合结构上表面沉积石墨烯薄膜，形成覆盖所述金属层的石墨烯层；将所述Si基衬底覆盖有所述介质层的一面与所述复合结构上覆盖有所述石墨烯薄膜的一面进行键合；采用腐蚀工艺腐蚀所述金属层，以实现所述牺牲衬底的分离，使得石墨烯薄膜转移到Si基衬底上。本发明将石墨烯薄膜转移至Si基衬底上，解决了石墨烯薄膜与Si基衬底晶圆级集成的问题，为石墨烯在微电子器件领域的应用提供支撑。
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公开(公告)号：CN116913895A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310941238.3
申请日：2023-07-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种超导硅通孔转接板及其制备方法，所述超导硅通孔转接板包括：上凹槽、下凹槽、凹槽埋层及超导金属柱；其中，所述上凹槽及所述下凹槽分别对应设置在所述基板的上表面及下表面，且所述通孔贯穿所述上凹槽及所述下凹槽；所述凹槽埋层形成在所述上凹槽的内壁表面及所述下凹槽的内壁表面；所述超导金属柱填充设置在所述上凹槽、所述下凹槽及所述通孔内。本发明提供的超导硅通孔转接板及其制备方法能够解决现有超导硅通孔转接板中的超导金属柱因冷缩松动无法实现电连接功能的问题。
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公开(公告)号：CN109633540B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201910061731.X
申请日：2019-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种磁源的实时定位系统及实时定位方法，所述定位系统包括：设于不同测点的至少两组磁源定位装置；其中，磁源定位装置包括：安装支架，用于提供安装平台；全张量磁梯度测量组件，设于所述安装支架上，用于同步测量待定位磁源在所述全张量磁梯度测量组件处产生的磁场梯度值；位置定位器，刚性连接于所述全张量磁梯度测量组件，用于测量所述全张量磁梯度测量组件在地理坐标系下的位置信息；测控组件，电连接于所述全张量磁梯度测量组件及所述位置定位器，用于采集所述磁场梯度值及所述位置信息并根据采集的数据对所述待定位磁源进行实时定位。通过本发明解决了现有定位方法中存在虚解或受基线长度限制而无法实现长距离高精度定位的问题。
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