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公开(公告)号:CN111138296A
公开(公告)日:2020-05-12
申请号:CN201911051436.2
申请日:2019-10-31
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C07C211/58 , C07C211/59 , C07C211/61 , C07C217/84 , C07C255/58 , C07C323/36 , C07D213/74 , C07D307/91 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及覆盖层用化合物及包含其的有机发光器件,本发明的一实例的覆盖层用化合物适用于有机发光器件,可提高有机发光器件的外部发光效率、色坐标及寿命。
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公开(公告)号:CN111087374A
公开(公告)日:2020-05-01
申请号:CN201910977477.8
申请日:2019-10-15
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C07D307/91 , C07D409/12 , C07D333/76 , C07D409/14 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及新颖化合物及包含其的有机发光器件,本发明一实例的新颖化合物适用于有机发光器件,可确保有机发光器件的高效率、长寿命、低的驱动电压及驱动稳定性。
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公开(公告)号:CN104011594B
公开(公告)日:2020-04-24
申请号:CN201280061667.1
申请日:2012-12-11
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/075 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种光致抗蚀剂组合物,更为详细地讲,涉及包括在基板的氮化硅膜(SiNx)上形成半色调(halftone)的工序的基板微细图案形成用光致抗蚀剂组合物。本发明的光致抗蚀剂组合物,其常温稳定性优良、变色少且透射率优良,从而即便省略HMDS工序,也不存在经微细化的图案在执行显影工序时产生遗失,或者在执行后工序时产生图案变形的危险。
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公开(公告)号:CN110938063A
公开(公告)日:2020-03-31
申请号:CN201910858011.6
申请日:2019-09-11
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C07D405/12 , C07D405/14 , C07D409/12 , C07D209/86 , C07D409/14 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及新颖的覆盖层用化合物及包含其的有机发光器件。根据本发明的一实例的化合物以胺为中心,在一侧结合咔唑以及在另一侧结合二苯并呋喃、二苯并噻吩或二烷基芴,可获得可吸收可见光范围的较宽的带隙,上述咔唑及二苯并呋喃、二苯并噻吩或二烷基芴通过连接基与胺相结合而维持高折射率,在胺的另一侧结合C10以上的芳基或杂芳基,通过改善折射率的同时增大紫外线范围的吸收波长,从外部紫外线暴露中改善稳定性,可实现高效率、高色纯度及长寿命有机发光器件。
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公开(公告)号:CN105051609B
公开(公告)日:2020-03-03
申请号:CN201480017300.9
申请日:2014-03-24
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开一种抗蚀剂下层膜组合物及利用其的图案形成方法,所述抗蚀剂下层膜组合物不仅热稳定性和耐蚀刻性优良,而且间隙填充(gap fill)特性也优良。上述抗蚀剂下层膜组合物,包含:包含以说明书的化学式1表示的重复单元的含芳香环高分子;以说明书的化学式4表示的化合物;以及有机溶剂。在说明书的化学式1中,R1是碳原子数为5至20的单环或多环芳香烃基,R2和R3各自独立地为碳原子数为4至14的单环或多环芳香烃基,a为1至3的整数,b为0至2的整数,在说明书的化学式4中,n为1至250的整数。
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公开(公告)号:CN110818681A
公开(公告)日:2020-02-21
申请号:CN201910724965.8
申请日:2019-08-07
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C07D333/76 , C07D409/12 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及新颖化合物及包含其的有机发光器件,根据本发明的一实例的新颖化合物适用于有机发光器件,可确保有机发光器件的高效率、长寿命、低的驱动电压及驱动稳定性。
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公开(公告)号:CN110698448A
公开(公告)日:2020-01-17
申请号:CN201910609146.9
申请日:2019-07-08
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C07D307/91 , C07D333/76 , C07D409/12 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及新颖化合物及包含其的有机发光器件,根据本发明的一实例的新颖化合物适用于有机发光器件,可确保有机发光器件的高效率、长寿命、低的驱动电压及驱动稳定性。
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公开(公告)号:CN104629946B
公开(公告)日:2019-12-31
申请号:CN201410641916.5
申请日:2014-11-11
Applicant: 东进世美肯株式会社
Abstract: 本发明涉及一种用于化学机械研磨后清洗的组合物,更具体地,涉及一种在半导体制造工艺中,用于包括金属布线及金属膜的半导体基板的清洗工艺,尤其是用于化学机械研磨后清洗裸露出金属布线的半导体基板的组合物。本发明的清洗组合物即能有效地清除附在半导体工件表面上的杂质,又不损伤金属布线,而且清洗后,不会残留在表面上造成工件污染,因此能够制造优秀的半导体。
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公开(公告)号:CN109896965A
公开(公告)日:2019-06-18
申请号:CN201811509398.6
申请日:2018-12-11
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C07C211/54 , C07C211/61 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及新颖化合物及包含其的有机发光器件,根据本发明的一实例的新颖化合物适用于有机发光器件,可确保有机发光器件的高效率、长寿命、低的驱动电压及驱动稳定性。
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