抗蚀剂下层膜组合物及利用其的图案形成方法

    公开(公告)号:CN105051609B

    公开(公告)日:2020-03-03

    申请号:CN201480017300.9

    申请日:2014-03-24

    Abstract: 本发明公开一种抗蚀剂下层膜组合物及利用其的图案形成方法,所述抗蚀剂下层膜组合物不仅热稳定性和耐蚀刻性优良,而且间隙填充(gap fill)特性也优良。上述抗蚀剂下层膜组合物,包含:包含以说明书的化学式1表示的重复单元的含芳香环高分子;以说明书的化学式4表示的化合物;以及有机溶剂。在说明书的化学式1中,R1是碳原子数为5至20的单环或多环芳香烃基,R2和R3各自独立地为碳原子数为4至14的单环或多环芳香烃基,a为1至3的整数,b为0至2的整数,在说明书的化学式4中,n为1至250的整数。

    用于化学机械研磨后清洗的组合物

    公开(公告)号:CN104629946B

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201410641916.5

    申请日:2014-11-11

    Abstract: 本发明涉及一种用于化学机械研磨后清洗的组合物,更具体地,涉及一种在半导体制造工艺中,用于包括金属布线及金属膜的半导体基板的清洗工艺,尤其是用于化学机械研磨后清洗裸露出金属布线的半导体基板的组合物。本发明的清洗组合物即能有效地清除附在半导体工件表面上的杂质,又不损伤金属布线,而且清洗后,不会残留在表面上造成工件污染,因此能够制造优秀的半导体。

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