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公开(公告)号:CN1494762A
公开(公告)日:2004-05-05
申请号:CN02804268.9
申请日:2002-01-28
申请人: 新泻精密株式会社
发明人: 喜多村守
IPC分类号: H03F3/217
CPC分类号: H03F3/2171 , H03F1/303 , H03F3/2173 , H03F2200/331 , H04R3/00
摘要: 一种音频再生装置,在检测功率放大器(3)的电源电压(V0)的变动反馈到开关电源(5)的控制回路的基础上,再设置采用将成为驱动控制功率放大器(3)的基础的PWM信号前馈到开关电源(5)的控制回路,不仅负反馈控制也通过进行配合前馈控制,从而比起单纯进行反馈控制的情形可使控制精确度提高,并可有效控制电源电压的变动的同时,比起通过数字运算校正电源电压的变动的情形可更简易进行地控制。
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公开(公告)号:CN1468465A
公开(公告)日:2004-01-14
申请号:CN01816933.3
申请日:2001-09-26
申请人: 新泻精密株式会社
IPC分类号: H03H11/04
CPC分类号: H03H11/04 , H03H11/1213
摘要: 本发明提供一种滤波器电路,具备连接于信号的输入端(IN)与输出端(OUT)之间的电容器(1)、及连接于电源(VDD)与地之间的MOS结构恒流电路(2),通过连接电容器(1)输出侧节点与恒流电路(2,3)的中间节点而构成滤波器,避免了因使用大电容值的电容器或大电阻值的电阻使得电路面积的增大,而只需通过调整流过恒流电路(2,3)的电流值即可降低滤波器的截止频率。
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公开(公告)号:CN1337122A
公开(公告)日:2002-02-20
申请号:CN00802816.8
申请日:2000-04-20
IPC分类号: H04N7/01
CPC分类号: G06T3/4007 , G06T1/20 , G09G2340/0414 , G09G2340/0421 , H04N5/14 , H04N7/012 , H04N7/0135
摘要: 本发明的目的在于提供能实现处理的高速化、能利用简单的电路结构来提高水平解像度和垂直解像度的图像处理电路。利用像素值抽出装置对于沿扫描线的水平方向和邻接的扫描线并排的垂直方向的每一个方向抽出3个像素、在整体上抽出9个像素的像素值a~i,利用由像素值运算部进行的运算,求出在该中心像素P5的周围新生成的4个像素Q1~Q4的像素值A1~A4。利用像素值输出部与2条扫描线对应地以扫描线单位输出这些像素值。
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公开(公告)号:CN1288606A
公开(公告)日:2001-03-21
申请号:CN99802241.1
申请日:1999-01-19
申请人: 新泻精密株式会社
发明人: 宫成弘
IPC分类号: H03D1/18
CPC分类号: H03D1/18 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本发明以提供一种能够进行检波而波形不失真,能够容易地使整个电路芯片化的检波电路为目的。该电路具有类似于电流镜像电路的电路结构,通过电阻3把FET1与FET2此二者的栅极端子连接起来,AM调制了的被调制信号输入到电阻3的一端上。此外,把低通滤波器20连接到FET2的漏极端子上,从低通滤波器20的输出取出检波信号。把连接到FET2的漏极端子上的电阻6的阻值设定成连接到FET1的漏极端子上的电阻5的阻值的0.8倍左右,破坏了FET1一侧与FET2一侧的平衡。此外,把电阻5和6的阻值增大到某种程度,以使FET1、2在饱和区内工作。由低通滤波器只取出与被调制信号的正侧包络或负侧包络的某一方相关的信号。
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公开(公告)号:CN100508407C
公开(公告)日:2009-07-01
申请号:CN02813226.2
申请日:2002-06-24
发明人: 宫城弘
摘要: 本发明的目的在于提供一种接收机,当使用CMOS工艺或MOS工艺在半导体衬底上一体形成时,可以降低所产生的低频噪声。构成FM接收机的高频放大电路(11)、混频电路(12)、本机振荡器(13)、中频滤波器(14、16)、中频放大器(15)、限幅电路(17)、FM检波电路(18)和立体声解调电路(19)作为单芯片元件(10)形成。该单芯片元件(10)使用CMOS工艺或MOS工艺在半导体衬底上形成,使用p沟道FET形成混频电路(12)、中频滤波器(14、16)、中频放大器(15)和本机振荡器(13)所包含的放大元件。
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公开(公告)号:CN100490306C
公开(公告)日:2009-05-20
申请号:CN01821352.9
申请日:2001-12-27
IPC分类号: H03F1/26
CPC分类号: H03F3/195 , H03F1/223 , H03F1/26 , H03F3/193 , H03F3/1935 , H03F2200/324 , H03F2200/372 , H03F2200/541
摘要: 一种AM广播用放大电路,是用场效应晶体管对所输入的AM广播信号进行放大并输出的AM广播用放大电路,以闪变噪声较小的P沟道MOS半导体场效应晶体管(4、5)构成该信号放大用场效应晶体管,以实现不仅可以尽可能抑制闪变噪声的发生,还可以将AM广播用射频放大器与其他电路一起集成于一个芯片上,从而实现整体电路的小型化与低噪声化。
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公开(公告)号:CN101431343A
公开(公告)日:2009-05-13
申请号:CN200810170496.1
申请日:2008-11-04
申请人: 新泻精密株式会社
CPC分类号: H04B1/28 , H04B1/0039 , H04L27/0014 , H04L2027/0028 , H04L2027/003 , H04L2027/0055
摘要: 一种接收器,能够准确地校正I信号和Q信号的相位误差及振幅误差,有效地抑制镜像噪声。包括:IF信号生成部(10),生成中间频率信号;振幅误差校正处理部(15),当切换器(7I)和(7Q)选择IF信号生成部(10)所生成的中间频率信号时,设定振幅校正部(12)的增益,使得消除用于I信号的第一信号处理系统所处理的信号及用于Q信号的第二信号处理系统所处理的信号的振幅误差。取代处理实际的接收信号而生成的中间频率信号,使用IF信号生成部(10)所生成的中间频率信号执行振幅误差的校正,使用不包含由于混频器(4I)和(4Q)及90°移相器(6)自身的元件偏差而造成的相位误差的信号,能够不受相位误差的影响而准确地检测振幅误差。
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公开(公告)号:CN100405532C
公开(公告)日:2008-07-23
申请号:CN200410056061.6
申请日:2004-08-10
申请人: 新泻精密株式会社
CPC分类号: H05K3/3494 , B23K1/0056 , B23K2101/40 , H05K3/3442 , H05K2201/10636 , H05K2203/081 , H05K2203/107 , H05K2203/1121 , Y02P70/611 , Y02P70/613
摘要: 本发明提供一种半导体部件的钎焊方法及半导体部件的安装构造,将在里面及侧面形成有金属端子(2)的半导体部件(1)按照仅该金属端子(2)的里面部与膏状钎焊料(3)接触的方式搭载,通过向金属端子(2)的侧面部照射激光,利用从金属端子(2)的侧面部向里面部的热传导,对金属端子(2)的里面部加热,从而将与该金属端子(2)的里面部接触的膏状钎焊料(3)熔融而进行钎焊。由此,在将耐热保证温度低而不能穿过回流炉的半导体部件高密度安装在电路基板上的情况下,即使在小到只能在半导体部件的里侧部分上印刷焊料的程度的连接盘上,也可以可靠地对半导体部件进行钎焊。
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公开(公告)号:CN101223749A
公开(公告)日:2008-07-16
申请号:CN200680025394.X
申请日:2006-02-08
IPC分类号: H04L27/20
CPC分类号: H04L27/364 , H04L27/206
摘要: 本发明公开一种调制电路,其中备有:第1正交调制部5,其将输入信号分割成I信号及与其成直角相位之Q信号,且将I信号及Q信号,藉由基频频率进行频率变换,从而进行正交调制;第2正交调制部8,其利用调频频率,并利用相位互相偏移90°的同相及正交的载波,对藉由第1正交调制部5所产生的I信号及Q信号,进行频率变换,从而进行正交调制;再藉由第2正交调制部8,对藉由第1正交调制部5使相位偏移90°而产生的I信号和Q信号之相位进一步偏移90°,藉此具有相位反转的频率成分,可使目标频率的失真侧中多余的高次谐波成分衰减。
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公开(公告)号:CN101142744A
公开(公告)日:2008-03-12
申请号:CN200680007746.9
申请日:2006-02-24
IPC分类号: H03M1/12 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC分类号: H03M1/0827 , H04B1/40 , H04B15/00
摘要: 本发明旨在提供一种可防止混入噪声使信号质量下降并同时缩小电路规模的半导体装置。在半导体基片上形成进行接收和发送这两方动作的收发机的结构,上述接收动作和上述发送动作各自一部分通过模拟处理进行,另一部分通过数字处理进行。与上述接收动作和上述发送动作各自对应的上述数字处理通过共用数字处理部20进行。另外,与上述接收动作对应的接收处理部10配置在矩形形状的上述半导体基片100的一个角部附近,上述数字处理部20配置在与上述一个角部不相邻的另一个角部附近。
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