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公开(公告)号：CN108134585A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711314625.5
申请日：2017-12-12
申请人： 无锡中普微电子有限公司
发明人： 赵罡
摘要： 本发明揭露了一种射频功率放大器及其输出匹配电路，所述输出匹配电路包括：射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端的第一电感、第二电容、第三电容、第四电感；耦接于第一电感的与第二电容耦接的连接端和接地端之间的第一电容；耦接于第二电容的与第三电容耦接的连接端和接地端之间的第二电感；耦接于第三电容的与第四电感耦接的连接端和接地端之间的第三电感。本发明中的输出匹配电路能够覆盖两个不同的频段，为单颗功率放大器实现多频段放大信号打下了良好的基础。
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公开(公告)号：CN108055011A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711314662.6
申请日：2017-12-12
申请人： 无锡中普微电子有限公司
发明人： 赵罡
摘要： 本发明揭露了一种射频功率放大器，其包括：射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的多级射频功率放大单元，每级射频功率放大单元均包括一双极型晶体管；耦接于初级射频功率放大单元的双极型晶体管的集电极和基极之间的反馈电路，该反馈电路包括有模式控制端，通过调整模式控制端的电压值来调整所述反馈电路的阻抗状态，进而调整所述射频功率放大器工作在不同工作模式下。这样使得同一个射频功率放大器能够支持不同的工作模式，比如可以同时支持高功率高增益模式和高线性低增益模式。
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公开(公告)号：CN106788369A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611069003.6
申请日：2016-11-28
申请人： 无锡中普微电子有限公司
IPC分类号： H03K17/687
CPC分类号： H03K17/687
摘要： 本发明揭露了一种具有改进偏置电路的射频开关电路，其包括：第一射频端、第二射频端、第一电容、第二电容；射频开关，其包括源极、漏极、栅极以及体端，源极经过第一电容与第一射频端耦接，漏极经过第二电容与第二射频端耦接，偏置电路，其基于电池电压提供第一偏置电压、第二偏置电压和第三偏置电压，第一偏置电压大于第二偏置电压，第二偏置电压大于第三偏置电压，其中，第二偏置电压被耦接至射频开关的源极以及漏极，在需要控制所述射频开关导通时，第一偏置电压被耦接至射频开关的栅极，第二偏置电压被耦接至射频开关的体端，在需要控制射频开关截止时，第三偏置电压被耦接至射频开关的栅极和体端。这样可以节省芯片面积，降低成本。
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公开(公告)号：CN106788287A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611235220.8
申请日：2016-12-28
申请人： 无锡中普微电子有限公司
CPC分类号： H03F3/19 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F2200/451
摘要： 本发明涉及一种3G射频功率放大器模块，其包括第一级放大结构以及通过级间匹配电路与所述第一级放大结构连接的第二级放大结构；第一级放大结构包括射频放大管T1、与所述射频放大管T1适配的输入匹配电路以及与所述射频放大管T1适配的放大管T1偏置电路；第二级放大结构包括射频放大管T2、与所述射频放大管T2适配的输出匹配电路以及与所述射频放大管T2适配的放大管T2偏置电路；第一级放大结构通过级间匹配电路与第二级放大结构连接，第一级放大结构的输入匹配电路、第二级放大结构的输出匹配电路以及所述级间匹配电路均不采用SMD电容及SMD电感，能有效提高封装产能，降低封装成本，提高封装的适应性，安全可靠。
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公开(公告)号：CN104883200B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510306624.0
申请日：2015-06-05
申请人： 无锡中普微电子有限公司
摘要： 本发明提供一种适用于双频收发系统的双工器，其包括第一收发端口、第二收发端口、天线端口、连接于第一收发端口和天线端口之间的低通滤波单元、连接于第二收发端口和天线端口之间的高通滤波单元。该低通滤波单元包括第一电感、第二电感、第三电感和第一电容。该高通滤波单元包括第四电感、第五电感、第二电容和第三电容。本发明中通过在低频通道上的低通滤波单元内增加一个电感，在高频通道上的高通滤波单元内增加一个电感，从而可以提高低频通道和高频通道之间的隔离度，同时还可以实现天线端口的静电释放功能。
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公开(公告)号：CN103986428A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410239556.6
申请日：2014-05-30
申请人： 无锡中普微电子有限公司
IPC分类号： H03F3/20
CPC分类号： H03F1/42 , G01R27/02 , H03F1/565 , H03F3/19 , H03F3/193 , H03F3/21 , H03F3/211 , H03F3/45089 , H03F3/45179 , H03F3/45475 , H03F2200/129 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2203/21142 , H03F2203/21151 , H03F2203/45662 , H03F2203/45731
摘要： 本发明提供一种超频宽放大器及其设计方法，所述超频宽放大器包括功率放大单元、连接于所述功率放大单元的输出端或输入端的阻抗匹配电路，所述阻抗匹配电路包括初级线圈、与初级线圈互感耦合的次级线圈、与初级线圈并联的初级调谐电容和与次级线圈并联的次级调谐电容。通过配置初级线圈的自感系数、次级线圈的自感系数、初级线圈与次级线圈的互感系数、初级调谐电容的电容值、次级调谐电容的电容值，使得所述阻抗匹配电路具有第一互谐振频点和第二互谐振频点，所述阻抗匹配电路在第一互谐振频点和第二互谐振频点之间的整个频带的插损均小于3dB，从而利用同一个阻抗匹配电路实现超频宽的阻抗匹配。
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公开(公告)号：CN103986425A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410182787.8
申请日：2014-04-30
申请人： 无锡中普微电子有限公司
IPC分类号： H03F3/20
摘要： 本发明提供一种基于射频直流反馈的功率放大器，其包括：功率放大电路，其输入端通过输入电容接收外部输入的射频输入信号，其对射频输入信号进行功率放大，并通过其输出端输出射频输出信号；采样电路，其采样所述功率放大电路的输出电流得到采样电流；直流转换电路，将所述采样电流转换成直流反馈电流；偏置电路，其包括提供偏置电流的偏置电流源，其基于直流反馈电流和偏置电流提供为所述功率放大电路的输入端提供偏置电压。由于建立了直流反馈环路，功率放大器的输出电流由环路增益以及偏置电流来确定，这样还可以精确的控制功率放大器的输出功率，受电源电压、温度和工艺偏差的影响较小。
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公开(公告)号：CN102006017A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010570407.X
申请日：2010-12-02
申请人： 无锡中普微电子有限公司
IPC分类号： H03F3/20
摘要： 本发明公开了一种偏置电路，其包括：输入端、输出端、第二晶体管、第一电阻、第二电阻和数字可调电阻。所述数字可调电阻和所述第二电阻依次串联在所述输入端和第二晶体管的集电极之间，所述第一电阻串联于所述输出端和第二晶体管的基极之间，所述第二电阻和所述数字可调电阻的中间节点与第二晶体管的基极相连，所述第二晶体管的发射极与地相连。其中所述偏置电路通过输入端连接偏置电压，通过输出端为功率放大器提供偏置。
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公开(公告)号：CN206422750U
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201621462656.6
申请日：2016-12-28
申请人： 无锡中普微电子有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种3G射频功率放大器电路模块，其包括第一级放大结构以及通过级间匹配电路与所述第一级放大结构连接的第二级放大结构；第一级放大结构包括射频放大管T1、与所述射频放大管T1适配的输入匹配电路以及与所述射频放大管T1适配的放大管T1偏置电路；第二级放大结构包括射频放大管T2、与所述射频放大管T2适配的输出匹配电路以及与所述射频放大管T2适配的放大管T2偏置电路；第一级放大结构通过级间匹配电路与第二级放大结构连接，第一级放大结构的输入匹配电路、第二级放大结构的输出匹配电路以及所述级间匹配电路均不采用SMD电容及SMD电感，能有效提高封装产能，降低封装成本，提高封装的适应性，安全可靠。
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公开(公告)号：CN205231220U
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201520901630.6
申请日：2015-11-12
申请人： 无锡中普微电子有限公司
IPC分类号： H01P5/18
摘要： 本实用新型提供一种宽带定向耦合器，其包括：发射端口、输出端口、隔离端口、耦合端口、连接于所述发射端口和所述输出端口之间的第一电感以及连接于所述耦合端口和所述隔离端口之间的第二电感，其中第一电感的电感值小于第二电感的电感值，至少第二电感为集总元件。这样的定向耦合器可以节省面积，且使用灵活，特别适用于片上实现或者基板设计，这种结构相较于分布式无源结构的方案而言，对无源结构的设计要求大大降低，灵活性也大大增强，而且容易实现高集成度和低成本。
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