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公开(公告)号：CN117423774A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311207212.2
申请日：2023-09-19
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/225
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池选择性掺杂硼扩散方法，包括：（1）将硅片置于热丝化学气相沉积设备的反应腔室中，抽真空，通入硅烷、乙硼烷和氢气，沉积厚度为10~30nm的掺硼非晶硅层，出腔；（2）进行激光选择性重掺杂处理；（3）将硅片置于硼扩散炉管中，抽真空，通入氮气进行无氧硼扩散；（4）抽真空，氮气吹扫，通入氧气，将硅片进行氧化推结，完成硅片的选择性掺杂硼扩散。本发明采用掺硼非晶硅可以使得激光选择性重掺杂中采用较低激光功率就可以将离子扩散到较大的深度；采用热丝化学气相沉积法制备掺硼非晶硅层，不会出现绕扩现象；采用无氧硼源，整个工艺中无B2O3副产物产生，不会对石英件造成损坏。
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公开(公告)号：CN117410386A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311717503.6
申请日：2023-12-14
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/40 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，特别涉及具有陷光结构的叠层钝化结构的制备方法，其首先在半导体衬底表面通过原子层沉积得到光滑的第一钝化层，然后继续依次循环脉冲通入由铝源前驱体以及硅烷封端剂构成的混合气体以及氧源，并在混合气体以及氧源的通入间隙使用吹扫气进行吹扫，从而在第一钝化层表面通过原子层沉积得到具有粗糙结构的第二钝化层，对得到的第二钝化层进行加热，从而得到所述具有陷光结构的叠层钝化层。通过本发明中的方法制备得到的具有陷光结构的叠层钝化层，可以同时提高太阳能电池的稳定性和效率。
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公开(公告)号：CN117328040A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311508687.5
申请日：2023-11-14
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种钙钛矿薄膜太阳能电池的制备方法。其中电荷传输层使用原子层沉积方式形成于所述衬底上，具体包括如下步骤：S01.将衬底置于反应室内，并抽真空，然后升温并保持；S02.将氮前驱体和镓前驱体混合，然后正向吹扫，接着逆向吹扫，接着正向吹扫；S03.通入惰性吹扫气吹扫;S04.将步骤S02‑S03循环若干周期后，完成沉积过程。通过在ALD沉积过程中前驱体正向、逆向吹扫结合，使得在保持GaN膜均匀性的同时，大大提升沉积效率，从而提高太阳能电池的生产效率。
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公开(公告)号：CN109373763B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201811426083.5
申请日：2018-11-27
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
Inventor： 陈庆敏
IPC: F27D1/18
Abstract: 本发明涉及半导体加工设备技术领域，尤其涉及一种用于扩散炉的炉门结构，包括炉门门体和炉门驱动机构，炉门门体包括炉门支撑板、炉门支撑轴、限位转轴、向心关节轴承、铝门、连接板和石英门，炉门驱动机构包括底板、2个滑杆组件、支撑板、无杆气缸、滑轨组件、炉门连接杆、第一气缸、第二气缸、第一气缸连接块、第二气缸连接块、第一限位块、2个第一限位开关、第二限位块和2个第二限位开关；本案炉门门体结构简单，密封性能好；炉门驱动机构占用空间减小，且行程控制精准；当扩散炉采用该炉门结构时，炉门门体的密封性能能够达到工艺要求，炉门本体作为一个独立的整体而不必和送舟机构集成为一体，便于安装和维护，大大提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN116885046B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311146298.2
申请日：2023-09-07
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L21/306 , H01L21/3065
Abstract: 本发明属于太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种单晶硅片制绒方法。本发明用于单晶硅片的制绒方法，包括如下步骤：第一次制绒：使用氩离子气体对单晶硅片进行反应离子刻蚀，得到一次处理硅片；第二次制绒：将所述一次处理硅片使用化学腐蚀液进行化学腐蚀过程，得到二次处理硅片；第三次制绒：使用氟离子气体对所述二次处理硅片进行反应离子刻蚀，得到制绒后硅片。其中在第二次制绒之前设置了第一次制绒能够去除脏污，提高第二次制绒过程绒面液膜覆盖的均匀程度，从而减少绒面雨点现象。并且在前两次制绒的基础上，增加第三次制绒，能够使得绒面更为均匀和规则。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117051381A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311321562.1
申请日：2023-10-13
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , H10K71/00 , H10K30/15 , H10K30/50
Abstract: 本发明涉及光伏电池领域，尤其涉及一种钙钛矿电池电荷传输层及钙钛矿电池的制备方法，所述钙钛矿电池电荷传输层的制备方法，包括在锡源和/或氧源通入结束后，向原子层沉积反应仓内部通入温度为T2的第一吹扫气从而对原子层沉积反应仓进行热清洗，并使得二氧化锡膜热重排的步骤；以及在热清洗结束后向原子层沉积反应仓内部通入温度T3的第二吹扫气，从而对原子层沉积反应仓进行冷清洗的步骤，从而有效去除残留的未反应前驱体以及反应后的副产物，提升了电荷传输层的沉积效果，另一方面还能够促进二氧化锡的排列，从而修补晶格缺陷使得二氧化锡电荷传输层的结晶度能够有效提升，进而使得钙钛矿电池的效率能够得到有效提升。
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公开(公告)号：CN116936685A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311184961.8
申请日：2023-09-14
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池抗反射叠层结构及其制备方法、应用，所述制备方法包括（1）将沉积有氧化铝钝化膜层的硅衬底置于PECVD设备的反应腔体内，通入笑气，抽真空预热，进行一次等离子体处理；（2）通入硅烷和氨气，在氧化铝钝化膜层表面沉积氮化硅层；（3）通入笑气，进行二次等离子体处理；（4）通入硅烷、氨气和笑气，在氮化硅层表面沉积氮氧化硅层；（5）通入硅烷和笑气，在氮氧化硅层表面沉积氧化硅层。本发明的太阳能电池抗反射叠层结构膜层不仅在光学上提升太阳能电池的光生电流，还能从钝化角度提升太阳能电池的钝化水平。
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公开(公告)号：CN116885046A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311146298.2
申请日：2023-09-07
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L21/306 , H01L21/3065
Abstract: 本发明属于太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种单晶硅片制绒方法。本发明用于单晶硅片的制绒方法，包括如下步骤：第一次制绒：使用氩离子气体对单晶硅片进行反应离子刻蚀，得到一次处理硅片；第二次制绒：将所述一次处理硅片使用化学腐蚀液进行化学腐蚀过程，得到二次处理硅片；第三次制绒：使用氟离子气体对所述二次处理硅片进行反应离子刻蚀，得到制绒后硅片。其中在第二次制绒之前设置了第一次制绒能够去除脏污，提高第二次制绒过程绒面液膜覆盖的均匀程度，从而减少绒面雨点现象。并且在前两次制绒的基础上，增加第三次制绒，能够使得绒面更为均匀和规则。
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公开(公告)号：CN116536771A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310789442.8
申请日：2023-06-30
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
IPC: C30B31/16 , H01L31/18 , H01L21/225
Abstract: 本发明涉及光伏电池制造技术领域，尤其涉及一种提高硼扩散均匀度的方法。包括如下步骤：S01.在反应腔室内放入插有硅片的石英舟，并进行前扩散步骤；S02.进行低压通源扩散步骤，低压通源扩散步骤包括：向反应腔室内同时通入三氯化硼，氧气及氮气；S03.在低压通源扩散步骤结束后，停止向反应腔室中通入三氯化硼，且通入氮气提升反应腔室内气压；S04.进行高压通源扩散步骤，高压通源扩散步骤包括：同时通入三氯化硼，氧气及氮气；本发明通过使用高低压力分步通入硼源，利用反应腔室高压和低压来控制硼源在腔室里流动的速度，从而扩散出整体高均匀度的方阻。并且本发明用工艺的方法弥补炉口炉尾方阻均匀度差的问题，机台可省略因抽气导致的反应腔加长的结构。
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公开(公告)号：CN116404073A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310677409.6
申请日：2023-06-09
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种制备TOPCon电池中非晶硅薄膜的方法及装置，方法包括：步骤（1）：提供一个低压化学气相沉积室；低压化学气相沉积室内设有硅片载具、进气管和出气管，进气管位于硅片载具下方；进气管具有出气孔；步骤（2）：在靠近出气孔的硅片载具的底部与出气孔之间设置挡流板；步骤（3）：在硅片载具内放置硅片；抽真空至100 mtorr，并加热至600~650℃；通入氧气形成650torr的微负压，沉积隧穿氧化层；步骤（4）：再次抽真空至150mtorr，通入硅烷发生反应，沉积非晶硅薄膜。本发明通过采用微负压工艺及挡流板提高非晶硅薄膜的沉积均匀性，提高TOPCon电池的转换效率和外观良率。
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