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公开(公告)号：CN116682893A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310937265.3
申请日：2023-07-28
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/673 , H01L21/68 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L31/0216 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/40
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，公开了硅片正面与背面不同厚度的Al2O3薄膜的制备方法。基于双插硅片的管式原子层沉积法，本发明通过在待沉积Al2O3薄膜的硅片载具铝舟上设置有用于固定硅片位置的侧槽及底槽，沿着原子层沉积室的进气至出气方向，通过使每组定位齿杆的侧槽及底槽开口依次增大，使背面相对的2片硅片的背面距离沿着前驱体进气至出气方向逐渐增大，并在沉积薄膜的过程中加大N2的流量确保背面相对的2片硅片的背面距离，最终使硅片正面与背面分别制备得到厚度均匀的Al2O3薄膜，且硅片正面的Al2O3薄膜厚度大于硅片背面的Al2O3薄膜厚度。使用本发明制备得到的硅片片内正面、背面各自的Al2O3薄膜均匀性及批内均匀性较好。
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公开(公告)号：CN116504611A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310771873.1
申请日：2023-06-28
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
IPC: H01L21/22 , H01L21/223 , H01L21/67 , H01L31/18 , H01L31/103
Abstract: 本发明属于光伏电池制造技术领域，尤其涉及一种硼扩散设备及其使用方法。本发明硼扩散炉包括：炉体，用于提供扩散剂输送到硅片表面的场所；进气系统；排气系统；其中，所述进气系统包括至少部分设置在所述炉体内的前部进气管以及中部进气管，所述中部进气管位于所述炉体中部的部分的设有出气口，所述出气口的开口朝向接近水平。本发明的硼扩散设备在控制硼扩散整体进气量不变的情况下，将常规的单路进气改为双路进气，即增加一路额外的进气管路，且该管路的出口处在炉管中部，炉管中部的进气管路具有水平方向的两个出气口，水平设置的出气口一方面均匀了炉体内部硼扩散均匀性，另一方面避免了硼源直接喷到硅片上。
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公开(公告)号：CN119049950A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411076491.8
申请日：2024-08-07
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
Abstract: 本发明涉及光伏太阳能技术领域，公开了一种延长石英件使用寿命的方法。为了防止硅在石英件表面附着，传统的且主流的做法是在石英件的表面形成隔绝保护层，以避免石英件表面直接附着硅，进而延长其使用寿命，但这些传统的隔绝保护膜层，无法防止硅的产生。本发明通过在石英件表面形成含氧的碳化硅膜层，避免硅在石英件表面的产生，很好地改善了石英件在长时间使用后的内应力作用，特别是，很好地改善了石英件的表层的应力作用，使得石英件在长时间使用后也不出现表面碎裂问题，石英件使用寿命可延长至2年以上。
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公开(公告)号：CN117352598B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311660248.6
申请日：2023-12-06
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , C30B28/14 , C30B29/06
Abstract: 本发明涉及光伏电池技术领域，尤其涉及一种降低TopCon电池中多晶硅层十字隐裂率的方法，包括：步骤S.1：提供一个反应腔室，对反应腔室内部通入氮气并提升反应腔室温度；步骤S.2：将硅片随氮气输送至反应腔室内部；步骤S.3：停止氮气的通入，并对反应腔室内部进行抽真空至底压；步骤S.4：降低反应腔室内的温度，并向反应腔室内部通入氮气对硅片进行深度吹扫；步骤S.5：通入硅烷从而在硅片表面沉积多晶硅层。本申请中的技术方案通过针对性调整不同沉积步骤中的反应腔室温度以及在沉积多晶硅之前增加一个深度吹扫步骤，在上述两种技术方案的联用下，有效降低了TopCon电池中多晶硅层的十字隐裂发生率。
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公开(公告)号：CN116682894B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310937307.3
申请日：2023-07-28
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L31/0216 , C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及提升TOPCon电池ALD钝化膜批间均匀性的方法及应用，所述方法包括在每组前驱体气体通入后增加一个通入推进气的步骤，从而加快了前驱体气体的扩散速度，使得位于原子层沉积室头部以及尾部的硅片其表面的氧化铝沉积速度保持一致，进而减少了同一批次内不同硅片表面氧化铝钝化膜的均匀性。同时通过控制吹扫气的通入量，能够在短时间内有效提升对于基底表面残余前驱体气体以及反应副产物的吹扫效果，从而减少了因为杂质未被吹扫干净而导致的沉积不均匀的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116666501A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310937284.6
申请日：2023-07-28
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L31/0216 , C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种提升氧化铝钝化膜沉积均匀性的方法及应用。本申请通过在氧化铝钝化膜的沉积过程中，创造性的在每组铝前驱体、氧前驱体以及吹扫气的通入后主动增加一个无干扰的中间处理步骤，能够有效提升氧化铝钝化膜沉积均匀性，减少了在氧化铝薄膜引入缺陷以及杂质的可能性，有效提高了薄膜的沉积质量和稳定性，从而能够有效满足太阳能电池领域对于氧化铝钝化膜的需求，提升产品质量。
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公开(公告)号：CN118380510B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410804183.6
申请日：2024-06-21
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/67 , H01L31/0216 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种基于ALD工艺制备叠层氧化铝膜层的方法，属于太阳能电池技术和半导体技术领域。本发明针对原子层沉积(ALD)工艺进行了改进，由传统的单类型氧化铝膜层改变成多层氧化铝膜；具体地，至少满足如下至少一种情形：多层氧化铝膜中的底层膜含有的TMA的量高于顶层膜含有的TMA的量，和/或，多层氧化铝膜中的底层膜含有的H2O量低于顶层膜含有的H2O量。该方法相比现有多层氧化铝膜中H2O和TMA源量相当的方法能够获得性能更优的氧化铝膜层。
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公开(公告)号：CN118326374A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410399622.X
申请日：2024-04-03
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
IPC: C23C16/458 , H01L21/677 , C23C16/50
Abstract: 本发明涉及一种PECVD用石墨舟卡点及其安装方法，属于太阳能电池制造的技术领域。它包括相互独立的第一不导电部件、导电部件和第二不导电部件；所述导电部件安装在石墨舟上，所述第一不导电部件和第二不导电部件对称安装在导电部件的两侧；所述第一不导电部件和第二不导电部件是不导电的陶瓷或石英材质制成的环状部件；所述导电部件是石墨材质制成并且与石墨舟匹配。本发明将石墨舟卡点设置成互为独立的部分，能够避免卡点形状问题导致的电场干扰，提高良率。
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公开(公告)号：CN116536771A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310789442.8
申请日：2023-06-30
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
IPC: C30B31/16 , H01L31/18 , H01L21/225
Abstract: 本发明涉及光伏电池制造技术领域，尤其涉及一种提高硼扩散均匀度的方法。包括如下步骤：S01.在反应腔室内放入插有硅片的石英舟，并进行前扩散步骤；S02.进行低压通源扩散步骤，低压通源扩散步骤包括：向反应腔室内同时通入三氯化硼，氧气及氮气；S03.在低压通源扩散步骤结束后，停止向反应腔室中通入三氯化硼，且通入氮气提升反应腔室内气压；S04.进行高压通源扩散步骤，高压通源扩散步骤包括：同时通入三氯化硼，氧气及氮气；本发明通过使用高低压力分步通入硼源，利用反应腔室高压和低压来控制硼源在腔室里流动的速度，从而扩散出整体高均匀度的方阻。并且本发明用工艺的方法弥补炉口炉尾方阻均匀度差的问题，机台可省略因抽气导致的反应腔加长的结构。
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公开(公告)号：CN116404073A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310677409.6
申请日：2023-06-09
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种制备TOPCon电池中非晶硅薄膜的方法及装置，方法包括：步骤（1）：提供一个低压化学气相沉积室；低压化学气相沉积室内设有硅片载具、进气管和出气管，进气管位于硅片载具下方；进气管具有出气孔；步骤（2）：在靠近出气孔的硅片载具的底部与出气孔之间设置挡流板；步骤（3）：在硅片载具内放置硅片；抽真空至100 mtorr，并加热至600~650℃；通入氧气形成650torr的微负压，沉积隧穿氧化层；步骤（4）：再次抽真空至150mtorr，通入硅烷发生反应，沉积非晶硅薄膜。本发明通过采用微负压工艺及挡流板提高非晶硅薄膜的沉积均匀性，提高TOPCon电池的转换效率和外观良率。
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