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公开(公告)号：CN107916411A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201711165336.3
申请日：2017-11-21
申请人： 三峡大学
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/505 , B82Y40/00
摘要： 本发明提供了一种固态荧光碳量子点的制备方法。具体步骤包括将石英片或者单晶硅片置于丙酮无水乙醇中超声清洗后用去离子水超声冲洗，氮气吹干；在200-300℃条件下对反应室预抽真空，至压强低于10-4Pa；以甲烷为工作气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在反应室内于石英片或者单晶硅片上制备嵌有碳量子点的薄膜。该方法制备的碳量子点具有工艺简单、效率高、周期短、绿色环保等特点，所生长的碳量子点具有纯度高、粒度小、荧光发光效率高等特性。本发明所制备的荧光碳量子点在医学影像、光致发光材料以及各种半导体发光器件等方面有很好的潜在应用。
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公开(公告)号：CN107863401A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711003470.3
申请日：2017-10-24
申请人： 三峡大学
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/0445 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种硫化锑基全无机薄膜太阳能电池的制备方法，首先采用溶胶-凝胶法在FTO上制备一层致密的二氧化钛薄膜；二氧化钛薄膜经过退火后使用热蒸镀沉积硫化锑薄膜；然后使用硫代乙酰胺对硫化锑薄膜进行表面硫化同时进行退火处理；最后将化学气相沉积法生长的石墨烯薄膜转移到硫化锑薄膜上，形成TiO2/Sb2S3/Gr薄膜结构。器件在室温、100mW/cm2的模拟太阳光源照射下得到为560 mV的开路光电压、6.8 mA/cm2的短路光电流、1.17%的光电转换效率。本发明采用石墨烯作为硫化锑基太阳能电池的空穴传输层及透明导电电极具有价格低廉，制备简单且相较于硫化锑基太阳能电池大多使用的有机空穴传输具有更加稳定的器件性能。
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公开(公告)号：CN107819044A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711002158.2
申请日：2017-10-24
申请人： 三峡大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/108 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及了一种硫化锑基可见光光电探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域，首先采用溶胶-凝胶法在FTO上制备一层致密的二氧化钛薄膜；二氧化钛薄膜经过退火后使用热蒸镀沉积硫化锑（Sb2S3）薄膜；然后使用硫代乙酰胺对硫化锑薄膜进行表面硫化同时进行退火处理；最后将化学气相沉积（CVD）法生长的石墨烯薄膜（Gr）转移到硫化锑薄膜上，形成TiO2/Sb2S3/Gr薄膜结构的可见光探测器，为制作高性能的可见光探测器提供了新的方法。该光电探测器可以在可见光有很高的响应且对不同波长的可见光具有不同的响应电流，同时随入射光强的增加响应电流线性增加。
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公开(公告)号：CN105648417B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201610144655.5
申请日：2016-03-14
申请人： 三峡大学
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/505
摘要： 本发明公开了一种利用低温化学气相沉积技术制备非晶碳薄膜的方法，该方法包括以下步骤：(1)清洗单晶硅片；(2)将清洗好的硅片放入充有氧气的高温石英退火炉中进行热氧化处理，使其表面形成一层氧化硅薄膜；(3)以甲烷为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积法在步骤(2)中所形成的氧化硅薄膜表面沉积非晶碳薄膜。用上述方法所制备的非晶碳薄膜具有工艺简单、均匀性好、电阻率低以及适合大面积制备等优点，而且此工艺与现有的半导体工艺技术相兼容，有利于非晶碳薄膜的应用。
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公开(公告)号：CN104795243B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510057777.6
申请日：2015-02-04
申请人： 三峡大学
CPC分类号： Y02E60/13
摘要： 本发明属于电容器的制备技术领域，涉及一种基于镍铁层状双金属氢氧化物的非对称超级电容器及其制备方法。本电容器包括正极极片、负极极片、电解液、隔膜以及封装膜；正极极片为氢氧化镍，基底为泡沫镍或钛片，其特征是负极活性材料为镍铁层状双金属氢氧化物，基底为泡沫镍或钛片，电解液采用氢氧化钠、氢氧化钾、硫酸钠或硫酸钾溶液。该非对称超级电容器的制备方法，包括正极极片、负极极片的制备，电解液的配置以及电容器的组装。该非对称超级电容器电压窗口较宽，比电容较高，循环性能好，制备方法简单易操作，成本低。在电子产品、交通运输、移动通信、航空航天和国防科技等领域有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN106601484A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611134082.4
申请日：2016-12-10
申请人： 三峡大学
IPC分类号： H01G9/20
CPC分类号： Y02E10/542 , H01G9/2031 , H01G9/0029 , H01G9/2036
摘要： 本发明所提供的碘掺杂二氧化钛微球及其制备方法。在室温条件下，将无水乙醇，十二胺和钛酸异丙酯混合搅拌作为前驱液；其次，用碘和去离子水作为反应溶液，将前驱液滴加到反应溶液中，快速搅拌，反应12个小时。最后，离心洗涤后取沉淀加入到无水乙醇和去离子水中搅拌均匀，取TiO2反应胶体加入到反应釜内，密封、控制温度160‑250℃进行反应12h后冷至室温，离心、洗涤、加入乙基纤维素可得TiO2浆料，通过丝网印刷法制备TiO2电极，500℃烧结0.5 h即可得碘掺杂TiO2微球电极。本发明所得电极具有大的比表面积、有效的电子传输路径和高的电导率，其用于准固态染料敏化太阳能电池，电池光电转化效率可达6.38%。
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公开(公告)号：CN106563608A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610962121.3
申请日：2016-11-04
申请人： 三峡大学
CPC分类号： B05B9/0403 , B05B13/0271 , B05B13/041 , B05B15/68 , B05B16/00 , C03C17/001
摘要： 本发明提供一种新的制备玻璃上增透自洁薄膜的方法，采用室内生产线制备工艺，利用移动喷头往洁净的玻璃上不间断喷出适量的镀膜液，在重力作用下积液形成竖直带状积液，并由喷头水平方向移动从而拉动薄膜水平展开，完成均匀镀膜，然后经退火处理使薄膜性能进一步优化。经光学性能和除污性能测试，该种方法可以很好的实现玻璃的增透自洁功能，不仅耐磨擦，具有自清洁的效果，而且明显的提高了透光率。经过小范围光伏电站实验证明，有效的提高了光伏电池的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN104617185B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510042506.3
申请日：2015-01-28
申请人： 三峡大学
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种以绒面单晶硅片为基底的含硅量子点薄膜材料制备方法，该方法包括以下步骤：（1）配制化学腐蚀溶液并获取具有绒面结构的单晶硅基片；（2）采用等离子体增强化学气相沉积技术在绒面单晶硅基片上制备微晶硅薄膜；（3）对步骤（2）所制备的样品在高纯氮气或氧气氛围下进行高温退火处理。经过上述步骤所制备的硅量子点薄膜材料具有硅量子点尺寸精度可控性高、钝化效果好等优点。
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公开(公告)号：CN105551934A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510910126.7
申请日：2015-12-10
申请人： 三峡大学
IPC分类号： H01L21/02 , H01L31/0352 , H01L31/20
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L21/02381 , H01L21/02527 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L31/035218 , H01L31/202
摘要： 本发明公开了一种含硅量子点碳硅基薄膜材料制备方法，步骤为：采用标准RCA清洗技术清洗单晶硅基片；采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅基片表面沉积非化学计量比碳化硅薄膜，硅量子点在非化学计量比碳化硅薄膜沉积过程中形成；采用等离子体增强化学气相沉积技术在非化学计量比碳化硅薄膜上沉积非晶碳薄膜；依次上述重复，制备周期性多层膜。经过上述步骤所制备的含硅量子点碳硅基薄膜材料具有制备工艺简单、能耗小、薄膜面积大、均匀性好、缺陷态少以及载流子遂穿势垒低等优点。本发明所提供的方法在硅量子点光电器件制备与应用方面有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104774676A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510113811.7
申请日：2015-03-16
申请人： 三峡大学
IPC分类号： C10M169/04 , C10M177/00
摘要： 本发明属于功能材料技术领域，具体涉及一种具有高导电性的磁流变液及其制备方法，包括以下质量百分比的组分：39.8％～90％载液、0.2％～2％表面活性剂、8％～60％镀银羰基铁粉；本发明制备镀银羰基铁粉，采用化学镀的方法；本发明制备磁流变液的方法为，将39.8％～90％载液、0.2％～2％表面活性剂用混合机搅拌均匀后，加入8％～60％镀银羰基铁粉，通过粉碎装置研磨1～4小时，制备成磁流变液。本发明的磁流变液具有高导电性，制备工艺简单，可实现工业化生产的优点。
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