公开(公告)号：CN102005456A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010264991.6

申请日：2010-08-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙炳根 ,  金汉洙 ,  安永洙 ,  金敏求 ,  金镇瑚 ,  崔在亨 ,  崔锡宪 ,  沈载株 ,  赵源锡 ,  沈善一 ,  林周永

IPC: H01L27/105 ,  H01L23/00 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L27/11575 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体存储器件，包括：实质上平面状的衬底；相对于衬底垂直的存储串，该存储串包括多个存储单元；以及多条伸长的字线，每条字线包括实质上平行于衬底且连接至存储串的第一部分、以及相对于衬底实质上倾斜并且在衬底上延伸的第二部分；其中，多条字线中的第一组与放置在存储串的第一侧的第一导线电连接，多条字线中的第二组与放置在存储串的第二侧的第二导线电连接。